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- [发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010824843.9有效
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黎子兰;张树昕
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广东致能科技有限公司
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2020-08-17
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2023-09-29
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H01L29/778
- 本发明涉及一种半导体器件,包括:第一沟道层,其包括第一沟道区、第一栅掺杂区、和第二沟道区,其中所述第二沟道区在所述第一沟道区之上,所述第一栅掺杂区在所述第一沟道区和所述第二沟道区之间;第一势垒层,其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结,在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG;第一电极,其在所述第一栅掺杂区下方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触;第二电极,其在所述第一栅掺杂区上方与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触;以及第三电极,其在所述第一栅掺杂区与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触。本发明进一步包括一种半导体器件的制造方法。
- 一种半导体器件及其制造方法
- [发明专利]一种半导体IC芯片-CN202210137935.9在审
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哈克布·阿圭伦·加西亚;王乐知
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广东致能科技有限公司
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2022-02-15
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2023-08-25
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H02M1/08
- 本申请提供一种半导体IC芯片,半导体IC芯片集成了半导体开关器件、驱动电流单元和可调电阻单元,通过可调电阻单元的电阻值改变驱动电流单元生成的驱动电流,以控制半导体开关器件的导通或关断的速度,因此,该半导体IC芯片具有自带的调节半导体开关器件的导通或关断的速度的功能,能够通过降低开关特性来避免快速响应以及晶体管能量的快速上升而产生的EMI噪声。并且,由于半导体IC芯片是将半导体开关器件、驱动电流单元和可调电阻单元形成的集成电路放在一块塑基上,做成一块芯片,起到镇流器作用的可调电阻单元与半导体开关器件的距离更近,能够更好地调节半导体开关器件的导通或关断速度,以改善EMI、切换触发和高频接通振铃等。
- 一种半导体ic芯片
- [发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202310628668.X在审
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王乐知;黎子兰
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广东致能科技有限公司
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2023-05-30
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2023-08-22
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H01L23/538
- 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,所述半导体器件的管芯结构包括第一管芯和第二管芯,所述第一管芯包括第一区域和第二区域,所述第一区域为所述第一管芯的功能区,其中包括由III‑V族半导体层构成的第一异质结和多个第一电极,所述多个第一电极中的部分第一电极与所述第一异质结耦合;所述第二管芯位于所述第一管芯的第二区域的上方,所述第二管芯包括多个第二电极,多个第一电极中的部分第一电极通过第一导电层电连接多个第二电极中的部分第二电极;其中,所述第一管芯和所述第二管芯位于同一封装体中。本发明提供的半导体器件既减小了封装尺寸,也减小了因增加额外材料及引线而引起的寄生参数,且整体器件的散热特性好。
- 一种半导体器件及其制备方法
- [发明专利]一种共源共栅级联功率及其制备方法-CN202310628571.9在审
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王乐知;黎子兰
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广东致能科技有限公司
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2023-05-30
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2023-08-15
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H01L23/538
- 本发明涉及一种共源共栅级联功率器件及其制备方法,所述共源共栅级联功率器件包括耗尽型GaN管芯和增强型MOSFET管芯,耗尽型GaN管芯包括有源区和无源区,其中所述有源区包括由III‑V族半导体层构成的第一异质结及HEMT源极、HEMT栅极和HEMT漏极,所述HEMT源极和HEMT漏极与所述第一异质结耦合;所述增强型MOSFET管芯,其包括MOSFET漏极、MOSFET源和极MOSFET栅极,所述增强型MOSFET管芯位于所述无源区上方;其中,所述HEMT源极与所述MOSFET漏极通过第一导电层电连接;所述耗尽型GaN管芯和所述增强型MOSFET管芯位于同一封装体中。本发明提供的半导体器件既减小了封装尺寸,也减小了因增加额外材料及引线而引起的寄生参数,且整体器件的散热特性好。
- 一种共源共栅级联功率及其制备方法
- [发明专利]一种驱动合封功率及其制备方法-CN202310628688.7在审
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王乐知;黎子兰
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广东致能科技有限公司
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2023-05-30
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2023-08-01
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H01L23/538
- 本发明涉及一种驱动合封功率器件及其制备方法,所述驱动合封功率器件的管芯结构包括GaN管芯、控制管芯和导电层,所述GaN管芯包括第一区域和第二区域,所述第一区域中制备有HEMT的源极、栅极和漏极;所述控制管芯位于所述第二区域上方,包括驱动电路或其一部分,所述控制管芯至少包括驱动输入端和驱动输出端;所述导电层至少在所述第一区域电连接所述HEMT的栅极,并延伸到所述第二区域电连接所述驱动输出端;所述GaN管芯和所述控制管芯位于同一封装体中。本发明提供的驱动合封功率器件既减小了封装尺寸,也减小了因增加额外材料及引线而引起的寄生参数,且整体器件的散热特性好。
- 一种驱动功率及其制备方法
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