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- [发明专利]投影式光刻机-CN200710094426.8无效
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陈福成;朱骏
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上海华虹NEC电子有限公司
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2007-12-11
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2009-06-17
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G03F7/20
- 本发明公开了一种投影式光刻机，其光学系统包括光源、掩膜版平面、透镜组，在光源和掩膜版平面之间还包括一个滤波片组，该滤波片组上包括多个滤波片，从光源出射的光线经过滤波片组中的一个滤波片照射到掩膜版上，并通过透镜组最后投射到硅片平面上本发明在光刻机的光源和掩膜版之间加入滤波片组，从而达到在一台光刻机上进行不同波长的光刻。当滤波片组设置在圆盘上时，不仅转动圆盘就改变光刻机的工作波长，而且能减少由于滤波片倾斜等问题引起光束能量的分布不均匀。
- 投影光刻
- [发明专利]掩膜版和蒸镀装置-CN202010871575.6在审
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康梦华;丁立薇
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昆山国显光电有限公司
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2020-08-26
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2020-12-01
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C23C14/04
- 本发明公开了一种掩膜版和蒸镀装置。该掩膜版包括掩膜版框架和至少一条掩膜条；掩膜版框架包括第一组边框和第二组边框，第一组边框和第二组边框均包括两个相对设置的边框；掩膜条设置于第一组边框上，沿掩膜版框架指向掩膜条的方向，第一组边框中的每一边框的高度由边框中间向边框两端减少；和/或，还包括至少一条第一支撑结构，第一支撑结构设置于第二组边框上，沿掩膜版框架指向第一支撑结构的方向，第二组边框中的每一边框的高度由边框中间向边框两端减少。当待蒸镀结构和掩膜版具有下垂现象时，可以提高掩膜版下垂时对待蒸镀结构的承托作用，进而可以提高掩膜版的蒸镀精度，减小待蒸镀结构在蒸镀过程中不同区域的shadow不均现象。
- 掩膜版装置
- [发明专利]掩膜版及其制作方法-CN201810415666.1有效
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刘孟彬;罗海龙
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中芯集成电路（宁波）有限公司
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2018-05-03
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2020-10-13
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C23C14/04
- 一种掩膜版及其制作方法，掩膜版包括：衬底，衬底包括第一表面以及与第一表面相背的第二表面，衬底内具有贯穿衬底的多个开口，衬底能够利用半导体刻蚀工艺进行图形化；位于第一表面的掩膜图形层，掩膜图形层包括相邻的图形区和遮挡区，图形区具有至少一个贯穿掩膜图形层的通孔，其中，开口露出图形区，且每一图形区与开口相对应；牺牲层，位于衬底和掩膜图形层之间。本发明所述掩膜版采用半导体工艺所制成，与传统化学刻蚀方式所制成的金属掩膜版相比，半导体工艺能够提高所述掩膜版的质量和通孔精准度，且有利于减小通孔尺寸和掩膜图形层厚度，还能防止掩膜图形层和衬底产生移位，掩膜版的质量和精准度更高
- 掩膜版及其制作方法
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