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[发明专利]一种轴承打滑蹭伤失效行为预测分析方法-CN202310838640.9在审
发明人：张传伟;翟晗;王黎钦;古乐;郑德志;赵小力;王廷剑 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种轴承打滑蹭伤失效行为预测分析方法，它属于轴承损伤失效行为分析及预测领域。本发明解决了现有轴承打滑蹭伤失效行为预测方法的通用性差的问题。本发明建立了从工况诱导打滑到表界面打滑蹭伤的关联路径，系统阐明工况、结构、润滑、材料和表面状态的耦合作用机制，基于轴承内部润滑状态和滑滚摩擦界面瞬时温升，形成主轴承表面不同打滑蹭伤程度的定量预测方法，且本发明方法在任何条件下均可实现，具有极强的通用性本发明方法可以应用于轴承打滑蹭伤失效行为预测。
一种轴承打滑失效行为预测分析方法

[发明专利]一种轴承钢表面硬质固体薄膜结合性能的分析方法-CN202310757496.6在审
发明人：束坤;翟晗;张传伟;李臻;吴继强;古乐;王廷剑;王黎钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：一种轴承钢表面硬质固体薄膜结合性能的分析方法，它属于固体薄膜的损伤失效行为分析、性能测量表征领域。本发明解决了现有分析方法不能对薄膜断裂和界面分层进行单独表征，且对薄膜断裂和界面分层表征的准确性差的问题。本发明采取的主要技术方案为：采用有限元、扩展有限元对压痕、划痕过程进行了综合定量分析，获取了薄膜断裂参数和界面结合强度参数，通过图像识别技术对硬质固体薄膜的分层剥落损伤中的薄膜断裂面积和界面分层面积分别进行了辨识，剥离了薄膜断裂的影响，更加精确地获取了界面分层面积，可以对薄膜断裂和界面分层进行单独表征，并提高了对薄膜断裂和界面分层表征的准确性。本发明方法可以应用于固体薄膜结合性能测量表征。
一种轴承钢表面硬质固体薄膜结合性能分析方法

[发明专利]一种气浮轴承支撑的液态金属导电滑环-CN202310749951.8在审
发明人：郑德志;王黎钦;闫志尧;于海威;古乐;张传伟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： F16C32/06 文献下载
摘要：一种气浮轴承支撑的液态金属导电滑环，它涉及高速旋转零部件温度检测技术领域。本发明解决了现有的热电偶、热电阻等接触式测温法中，存在不能测量轴承旋转套圈温度的问题。本发明的旋转轴同轴插设在内筒内孔中，旋转轴两端分别通过球面气体轴承和柱面气体轴承与内筒可转动密封连接，球面气体轴承与柱面气体轴承之间设置有组合密封结构，组合密封结构套设在旋转轴中部，内筒两侧分别安装有前端盖和后端盖，组合密封结构中的多个密封单元沿旋转轴前度方向由前至后依次串联布置，每相邻两个密封单元之间设有一个气密封环。本发明用于实现电信号从高速转子到定子的传输，提升轴承旋转套圈温度测量的准确性。
一种轴承支撑液态金属导电滑环

[发明专利]抑尘措施影响下港口TSP浓度预报方法、装置及存储介质-CN202310658966.3在审
发明人：沈金星;刘沁鑫;许阳;刘家会;古乐;封学军 -专利权人：河海大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01W1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑抑尘措施影响的港口TSP浓度预报方法、装置及存储介质，考虑抑尘措施影响的港口TSP浓度预报方法包括：获取TSP浓度的历史监测数据和实施抑尘措施后的港口气象因素数据，并对数据进行清洗；构建气象因素特征筛选模型，筛选出影响TSP浓度的特征气象因素；根据TSP浓度数据和特征气象因素，构建一个三层多输入单输出的预报模型，对港口未来的TSP浓度进行预报。本发明可以根据实施抑尘措施后气象因素的变化，对港口TSP浓度进行准确预报，为合理选择抑尘措施提供理论支撑，对港口大气污染防治具有重要意义。
措施影响港口 tsp 浓度预报方法装置存储介质

[发明专利]一种用于摩擦润滑与磨屑调控的设备及优化方法-CN202310493235.8在审
发明人：张坡;王颖;付时玉;蔡召兵;朱建阳;古乐 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：一种用于摩擦润滑与磨屑调控的设备及优化方法，首先根据摩擦副的接触和运动形式，考虑摩擦对润滑介质流动的影响，开展沟槽型微织构纹理走向的设计；然后利用固液二相流理论，开展沟槽内部磨屑的运动速度分析，实现沟槽截面形状和尺寸的优化；最后开展表面耐磨涂层设计加工，通过磨损学实验获取磨损率和摩擦系数，综合考虑涂层对摩擦磨损性能，采用多目标函数法，实现耐磨涂层的优选。其中，所述的纹理走向包括螺旋形、直线形等；所述沟槽截面包括矩形、三角形、半圆形等；所述涂层包括DLC涂层、CrN涂层、TiN涂层等。本发明旨在解决特殊工况下摩擦副润滑性能差和磨粒磨损严重造成的摩擦副性能差和寿命低的问题。
一种用于摩擦润滑调控设备优化方法

[发明专利]耐高温氧化的双相高熵合金及其制备方法-CN202310434336.8在审
发明人：蔡召兵;林广沛;董颖辉;张坡;马国军;古乐 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：耐高温氧化的双相高熵合金及其制备方法，本发明针对当前材料耐高温性能不足的问题。制备方法：一、称取Al、Cr、Co、Fe和Ni的金属颗粒作为原料；二、将原料均匀堆叠至坩埚中，坩埚送入熔炼炉的外坩埚内固定，填充氩气；三、洗炉；四、逐渐增大电流至40～45A进行熔炼，升温至1600℃～1680℃时，保温得到熔融金属；五、保温结束后，逐渐降低电流，降低炉内的温度至1200℃～1280℃，当电流降至30～35A时，重新增大电流；六、重复变温熔炼过程；七、冷却。本发明双相高熵合金由FCC相与BCC相基体组成，兼具高强度与较高的硬度，该合金的显微硬度最高可超过500HV。
耐高温氧化双相高熵合金及其制备方法

[发明专利]一种检测系统-CN202180002766.1在审
发明人：古乐;姚文亮;赵莹莹;樊博麟;魏秋旭;高涌佳;杨莉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种检测系统，应用于微流控芯片检测，包括：检测芯片(1)，检测芯片(1)包括衬底基板(11)、电极层(12)和用于容纳具有磁珠(A)的样本溶液(B)的微流控通道层(13)；衬底基板(11)具有一承载面，电极层(12)形成于承载面；微流控通道层(13)位于电极层(12)背离衬底基板(11)的一侧；电极层(12)包括多个电极(121)，多个电极(121)具有至少一个强磁电极(1211)和多个驱动电极(1212)；磁场装置(2)，磁场装置(2)位于衬底基板(11)背离电极层(12)一侧，且具有与强磁电极(1211)一一对应的强磁区；驱动机构(3)，驱动机构(3)与磁场装置(2)连接，且驱动机构(3)驱动磁场装置(2)沿垂直于承载面的方向靠近或远离检测芯片(1)动作；用于在检测芯片(1)中实现样本溶液(B)的自动化分离纯化和富集。
一种检测系统

[发明专利]轴承滚道界面薄吸附油膜厚度的测量方法-CN202210986354.2有效
发明人：古乐;汪剑云;贺彦博;张传伟;李臻;郑德志;王黎钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：一种轴承滚道界面薄吸附油膜厚度的测量方法，属于润滑油膜厚度测量领域。针对现有润滑油膜厚度测量方法无法实现两层介质油膜厚度测量的问题提出本发明。包括：使超声波经钢介质层入射到油膜吸附层；分别建立钢介质层和油膜吸附层入射波和反射波的叠加位移场，并求导获得应力场；再根据超声传播在界面处的位移与应力连续性理论建立钢介质层和油膜吸附层叠加位移场和应力场的对应关系；以及根据自由界面理论得到油膜吸附层应力场针对油膜吸附层厚度的表达式；由以上建立的关系式求解得到包含吸附油膜层厚度信息的钢介质层反射系数的表达式，进一步分析得到油膜吸附层厚度。本发明用于薄吸附油膜厚度的测量。
轴承滚道界面吸附油膜厚度测量方法

[发明专利]一种基于SOM-MQE的滚珠丝杠副健康评估方法-CN201811253853.0有效
发明人：单鹏飞;于林明;古乐;李杨 -专利权人：哈工大机器人（山东）智能装备研究院
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：一种基于SOM‑MQE的滚珠丝杠副健康评估方法，涉及滚珠丝杠副健康评估技术。该方法首先采集丝杠副系统两端的轴承支座以及丝母上的优选通道振动信号，对该信号进行预处理后进行特征提取，然后将提取到的特征值通过SOM‑MQE映射为健康值；通过自适应阈值检测算法获得健康值曲线的报警阈值，当健康值超过报警阈值时，自动报警，并将出现问题的位置定位到丝杠副系统具体的部件上面。本发明所述的方法能够评估丝杠副中具体部件的健康状态，为丝杠副的精准维修提供依据。
一种基于 som mqe 滚珠丝杠副健康评估方法

[发明专利]数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置-CN202180003119.2在审
发明人：赵莹莹;古乐;樊博麟;姚文亮;魏秋旭;高涌佳;杨莉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种数字微流控芯片及其驱动方法、数字微流控装置。数字微流控芯片包括相对设置的第一基板(1)和第二基板(2)，第一基板(1)上设置有用于驱动液滴移动的多个驱动区域，至少一个驱动区域包括驱动晶体管(50)、驱动电极(60)和存储电容，驱动电极(60)分别与驱动晶体管(50)和存储电容连接，存储电容被配置为在驱动晶体管(50)导通时充电，在驱动晶体管(50)断开时保持驱动电极(60)上的电压信号。
数字微流控芯片及其驱动方法装置

[发明专利]用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法-CN202111561581.2在审
发明人：高涌佳;魏秋旭;姚文亮;杨莉;赵莹莹;古乐;樊博麟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明公开一种用于飞行时间质谱检测的芯片及其制备方法，用于飞行时间质谱检测的芯片包括：基底层，基底层的一侧设有导电层，基底层背离导电层的一侧设有疏水层，疏水层具有阵列排布的多个通孔；基底层包括玻璃基底，玻璃基底背向导电层的一面经羟基化处理形成亲水层；或者，基底层包括层叠设置的玻璃基底和亲水层，亲水层位于导电层和玻璃基底之间。本发明中芯片采用玻璃基底，成本低；其中导电层确保该芯片可用于质谱检测；在玻璃基底背向导电层的一侧依次设有亲水层和疏水层，设置在疏水层上的通孔露出亲水层，可以稳定承载基质溶液和待测样品，该芯片结构简单、成本低且为一次性使用，能够有效避免样品污染影响质谱结果的问题。
用于飞行时间检测芯片及其制备方法

[发明专利]各向同性多层涂层体系二维温度场的求解方法-CN201910271397.0有效
发明人：王廷剑;张传伟;赵阳;尹龙承;张永钊;王燕霜;古乐;王黎钦 -专利权人：天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种各向同性多层涂层体系半平面在表面线分布移动摩擦热源作用下二维温度场的求解方法，包括以下步骤：1)通过引入一维傅里叶积分变换在频域推导各向同性多层涂层体系在表面线分布移动热源作用下二维温度场的频域解析解；2)采用基于一维快速傅里叶积分变换的转换算法由步骤1)的频域解析解转换获得多层涂层体系在表面线分布移动热源作用下二维温度场分布。该方法避免了求解线性方程组造成的大量耗时，并应用了快速傅里叶逆变换算法，求解速度快、精度高；该方法适用于具有任意涂层层数的涂层体系半平面在表面线分布移动摩擦热源作用下的温度场的求解，适用范围广。
各向同性多层涂层体系二维温度场求解方法

[发明专利]横观各向同性多层涂层体系三维温度场的求解方法-CN201910271395.1有效
发明人：王廷剑;张传伟;赵阳;吴继强;赵小力;郑德志;王燕霜;古乐;王黎钦 -专利权人：天津职业技术师范大学（中国职业培训指导教师进修中心）
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种横观各向同性多层涂层体系半空间表面在面分布移动摩擦热源作用下三维温度场的求解方法，包括以下步骤：1)通过引入二维傅里叶积分变换在频域推导横观各向同性多层涂层体系半空间表面在面分布移动摩擦热源作用下三维温度场的频域解析解；2)采用基于二维快速傅里叶变换的转换算法由步骤1)的频域解析解转换获得横观各向同性多层涂层体系半空间表面在面分布移动摩擦热源作用下三维温度场分布。该方法求解速度快、精度高，具有较优的鲁棒性，适用于具有任意涂层层数和涂层厚度的横观各向同性多层涂层体系半空间表面在面分布移动热源作用下的三维温度场的求解，适用范围广。
各向同性多层涂层体系三维温度场求解方法

[发明专利]微流控芯片和微流控系统-CN202080002111.X有效
发明人：魏秋旭;赵莹莹;姚文亮;樊博麟;古乐;高涌佳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：一种微流控芯片，包括：第一基板(2)，第一基板(2)包括：第一基底(3)、位于第一基底(3)上的第一电极层，第一电极层包括：沿第一方向间隔排布的多个第一电极(4)，第一电极(4)平行于第一基底(3)的截面形状为中心对称图形，截面形状包括：在第一方向上相对设置第一边界(4a)和第二边界(4b)；第一边界(4a)的形状为呈中心对称的曲线，第一边界(4a)的两个端点在第二方向上的距离小于第一边界(4a)的长度，第二方向与第一方向垂直；第二边界(4b)与第一边界(4a)的形状和长度均相同，且两者在第一方向上平行设置。还提供了一种包括该微流控芯片的微流控系统。
微流控芯片系统

[发明专利]微流控基板、微流控芯片及微流控系统-CN202180002431.X在审
发明人：樊博麟;姚文亮;赵莹莹;古乐;高涌佳;魏秋旭;杨莉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：一种微流控基板、微流控芯片及微流控系统，其中，微流控基板包括第一直行区、第二直行区和转向区；转向区大致呈扇环形，转向区包括相对的第一弧边和第二弧边。微流控基板包括：位于第一直行区的第一直行驱动电极、位于第二直行区的第二直行驱动电极、位于转向区的多个转向驱动电极；每个转向驱动电极的边界包括与第一弧边重合的至少一个第一参考点，和与第二弧边重合的至少一个第二参考点；其中，第一弧边的半径大于或等于参考电极的第一尺寸的倍，第二弧边的半径大于或等于参考电极的第一尺寸的倍。
微流控基板微流控芯片系统

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