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[发明专利]一种掩膜版的张网装置、张网方法-CN201610537988.4有效
发明人：孙朴 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版的张网装置、张网方法，属于显示技术领域，其可解决现有的掩膜版由于拉力不均匀而产生褶皱导致红绿蓝器件混色的问题。本发明的掩膜版的张网装置，采用两对第一夹具分别夹住拉伸所述掩膜版的四角，设于相邻的第一夹具之间的多个第二夹具夹住拉伸所述掩膜版的边缘，这样多个第二夹具实现对掩膜版的精确调整和控制，均匀的拉伸，提升张网能力，使掩膜版不易产生褶皱，降低混色，提高显示良率。本发明的掩膜版的张网装置适用于拉伸各种掩膜版，尤其适用于制备小尺寸显示面板的掩膜版。
一种掩膜版装置方法

[发明专利]掩膜版和掩膜版的张网方法-CN201910319253.8有效
发明人：籍亚男;葛林;蔡世星 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版和掩膜版的张网方法，掩膜版包括相互贴合的第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版上具有至少一个呈镂空状的第一蒸镀区以及与异形屏的异形区对应的遮挡区，第二掩膜版上具有至少一个第二蒸镀区，每个所述第二蒸镀区上开设多个蒸镀孔，且所述第一蒸镀区与所述第二蒸镀区相对应，本发明提供的掩膜版，实现了掩膜版在张网过程中不易发生褶皱的目的，解决了现有掩膜版在张网过程中易在与异形屏的异形区对应的位置出现褶皱的问题。
掩膜版方法

[发明专利]一种光掩膜版及光掩膜设计方法-CN202211013895.3有效
发明人：刘坤;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩膜版及光掩膜设计方法，所述光掩膜版包括：芯片区、划片道区域以及辅助图形区，所述芯片区位于版面中心，划片道区域位于所述芯片区四周，所述辅助图形区将所述芯片区和所述划片道区域全部或部分隔开本发明提供的光掩膜版上的图形设计，可以兼容MPW和NTO两种光刻生产模式，通过投影步进式光刻机的掩膜版区域选择，在不同的模式下灵活选择光掩膜版上的不同区域，将不同的图形区域进行投影曝光，从而在设计验证定型之后，不用进行第二次光掩膜的制作，省去了一次光掩膜的制作时间，缩短了IGBT芯片的开发周期。
一种光掩膜版光掩膜设计方法

[实用新型]一种光刻机的掩膜版降温装置-CN201420000246.4有效
发明人：滕飞 -专利权人：长沙创芯集成电路有限公司
申请日： 2014-01-01 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及降温装置技术领域，公开了一种光刻机的掩膜版降温装置，包括箱体，设于箱体一侧的进风口，安装于箱体内的工作架，依次设于工作架下端的压缩机、加热器和送风机，和设于工作架一侧的高效过滤器，设于工作架内由上至下的掩膜版、镜头和硅片工作台，以及安装于箱体上与掩膜版对应的汞灯，所述压缩机位于进风口的一侧，所述送风机位于高效过滤器的一侧，其还包括安装于工作架内用于实时检测掩膜版温度的红外温度测试仪，和与红外温度测试仪连接的用于对掩膜版进行降温的冷却降温装置本实用新型通过红外温度测试仪和冷却降温装置，可以对掩膜版的局部温度进行实时控制并且降温的时间短、效果好。
一种光刻掩膜版降温装置

[发明专利]提高套刻精度的刻蚀方法-CN201810894929.1有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种提高套刻精度的刻蚀方法，该方法为提供一组合掩膜版，该组合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形；对应于该组合掩膜版的下方放置有基底且基底和组合掩膜版彼此不接触，在基底上形成待图案化的材料层，材料层从下到上依次包括底掩膜层、中间掩膜层、顶掩膜层及第一光刻胶层，将第一光掩膜图形曝光显影至第一光刻胶层并转印，将第二光掩膜图形经曝光显影并转印，最后刻蚀底掩膜层。本发明将复杂的掩膜图形在一个刻蚀制程中转印至基底上，简化刻蚀工艺并提高了套刻精度。
提高精度刻蚀方法

[实用新型]一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组-CN201821531913.6有效
发明人：邹泽亚;李祥 -专利权人：杭州国翌科技有限公司;成都希格玛光电科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种掩膜版对准标记及具有该标记的掩膜版组，该掩膜版对准标记包括设置于按顺序使用的n块掩膜版上的对准标记，n为正整数，第i块掩膜版上的对准标记包括与第i‑1块掩膜版上的对准标记对应的第一对准标记单元和与前i‑1块掩膜版上的对准标记均不对应的第二对准标记单元，所述2≤i≤n。本实用新型的不同掩膜版地对准标志位置不同，提高了多层掩膜光刻的对准精度。
掩膜版对准标记本实用新型对准标志位置顺序使用正整数多层光刻掩膜对准

[发明专利]掩膜版保护装置和掩膜版保护膜的固定方法-CN202210039041.6在审
发明人：张秀璇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：本申请提供一种掩膜版保护装置和掩膜版保护膜的固定方法。本申请提供的掩膜版保护装置，用于固定掩膜版保护膜，所述掩膜版保护装置包括第一框架和第二框架，所述第一框架的外侧壁包括限位结构，所述第二框架嵌入安装在所述限位结构内，所述第一框架和第二框架之间设有间隙以用于夹持所述掩膜版保护膜本申请提供的掩膜版保护膜的固定方法，包括：提供第一框架，所述第一框架的外侧壁包括限位结构；将需要保护的掩膜版保护膜布设于所述第一框架的表面；将第二框架嵌入安装至所述限位结构内，所述第一框架和第二框架之间设有间隙，所述掩膜版保护膜被夹持在所述间隙内。利用组装嵌入的方式将掩膜版保护膜固定，隔绝污染物，延长掩膜版的使用寿命。
掩膜版保护装置保护膜固定方法

[发明专利]掩膜版以及半导体结构的形成方法-CN201911259659.8在审
发明人：游林;张婉娟;陈术 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩膜版以及半导体结构的形成方法，所述掩膜版包括：第一掩膜版，包括主图形以及位于主图形中的反相辅助图形；第二掩膜版，与第一掩膜版相配合，包括补偿图形，补偿图形的透光特性与反相辅助图形的透光特性相反，补偿图形在第一掩膜版上的投影覆盖反相辅助图形且位于主图形中本发明实施例的掩膜版还包括与第一掩膜版相配合的第二掩膜版，如果第一掩膜版中的反相辅助图形在光刻工艺中显影出图形，能够利用第二掩膜版将反相辅助图形在光刻时形成的图形去除，使目标图形满足设计要求，且不需为防止出现反相辅助图形在光刻时发生显影的问题而缩小反相辅助图形的尺寸，有利于增大形成掩膜版的工艺窗口和光刻的工艺窗口，提高图形转移的精度。
掩膜版以及半导体结构形成方法

[发明专利]掩膜版及其制备方法-CN202011411011.0有效
发明人：张浩瀚;李慧;刘明星;甘帅燕 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括开口区和围绕开口区设置的遮挡区，遮挡区包括多个半刻蚀结构，多个半刻蚀结构围绕所述开口区设置，半刻蚀结构用于在掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低掩膜版在第二方向上的内缩量本发明实施例提供的技术方案通过在遮挡区设置半刻蚀结构，使得掩膜版在进行拉伸时，可抵消拉力在掩膜版的非拉伸方向上产生的挤压力对掩膜版产生的内缩形变，进而能够减小掩膜版在非拉伸方向的内缩量。由于掩膜版在非拉伸方向的内缩量较小，因此可以提高模拟补偿值的准确度，将掩膜版焊接在框架上时，有利于将掩膜版平坦化，从而降低了掩膜版的拉伸褶皱，提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。
掩膜版及其制备方法

[发明专利]光配向掩膜版修复方法-CN201910010959.6在审
发明人：戴明鑫;李林;刘聪聪;陈林;杨俊 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种光配向掩膜版修复方法，涉及半导体技术领域，用于对损伤后的掩膜版进行修补。其中，本发明实施例提供的光配向掩膜版修复方法，包括：先对待修复掩膜版的损伤位置涂抹第一遮光色阻，然后，在预设温度环境中对所述待修复掩膜版进行加热，最后，对所述待修复掩膜版进行清洗，以形成修复后掩膜版。
掩膜版修复配向半导体技术领域损伤位置温度环境色阻预设遮光加热涂抹修补清洗损伤

[发明专利]子掩膜版以及掩膜版-CN201910932119.5有效
发明人：陈腾;陈奎;孟维欣;李杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种子掩膜版以及掩膜版，该子掩膜版包括衬底以及设置在所述衬底上的掩膜图案，所述掩膜图案包括至少一个与所述子掩膜版的拉伸方向朝向不同的第一角部，以及至少一个与所述子掩膜版的拉伸方向朝向相同的第二角部，所述第一角部为圆角，所述第二角部为倒角；该子掩膜版能够降低张网过程中的褶皱高度，提高子掩膜版的蒸镀效果。
子掩膜版以及掩膜版

[发明专利]用于制备MOS管的组合掩膜版-CN201410844614.8在审
发明人：樊茂;沈海峰 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种组合掩膜版。用于制备MOS管的组合掩膜版，包括，第一掩膜版，用于在一复合结构中形成一第一薄膜层；第二掩膜版，用于在复合结构中形成一第二薄膜层；第三掩膜版，用于在复合结构中形成一第三薄膜层；第一掩膜版与第三掩膜版叠加后的重合区域形成第四光掩模图形，第四光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第一薄膜层与第三薄膜层的连接孔；第二掩膜版与第三掩膜版叠加后的重合区域形成第五光掩模图形，第五光掩膜图形用于在复合结构中形成连接第二薄膜层与三薄膜层的连接孔。本发明可以减少针对连接孔单独设置独立的掩膜版，降低集成电路的制造成本。
用于制备 mos 组合掩膜版

[发明专利]一种FMM精细金属掩膜板-CN202011559029.5在审
发明人：罗云鹏 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种FMM精细金属掩膜板，包括掩膜版，所述掩膜版包括蒸镀像素格和减重槽；所述减重槽位于所述掩膜版除所述蒸镀像素格之外的位置上。即本发明通过在掩膜版上设置减重槽，降低掩膜版的自身重量，从而减少掩膜版的下垂量，达到改善蒸镀良率及蒸镀品质的目的。
一种 fmm 精细金属掩膜板

[实用新型]一种FMM精细金属掩膜板-CN202023194029.8有效
发明人：罗云鹏 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FMM精细金属掩膜板，包括掩膜版，所述掩膜版包括蒸镀像素格和减重槽；所述减重槽位于所述掩膜版除所述蒸镀像素格之外的位置上。即本实用新型通过在掩膜版上设置减重槽，降低掩膜版的自身重量，从而减少掩膜版的下垂量，达到改善蒸镀良率及蒸镀品质的目的。
一种 fmm 精细金属掩膜板

[实用新型]掩膜版支撑装置-CN202123153110.6有效
发明人：刘军;张彦鹏;张闯 -专利权人：江苏维普光电科技有限公司;无锡迪思微电子有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种掩膜版支撑装置，它包括支撑座和多个安装在所述支撑座上的圆锥支撑件，所述圆锥支撑件的锥面适于与掩膜版接触以支撑所述掩膜版。本实用新型与掩膜版表面形成点接触，接触少，进而有效规避掩膜版检测工序过程划伤掩膜版。
掩膜版支撑装置