专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于深度学习的乳腺肿块分类方法-CN202310392683.9在审
  • 刘帅成;卢良通;杨玉麟;李子琦;杨裕强 - 电子科技大学
  • 2023-04-13 - 2023-08-22 - G06T7/00
  • 本发明公开了一种基于深度学习的乳腺肿块分类方法,包括:采集乳腺肿块图像;将乳腺肿块图像分别送入三个不同的resnet卷积神经网络进行特征提取,得到六个不同的有效特征;将六个不同的有效特征构成一个六节点的图结构,输入多任务特征融合网络,得到更新后的节点特征图结构;将更新后的节点特征图结构送入分类结果预测部分进行分类,并得到分类结果。本发明将采集的乳腺肿块图像通过resnet卷积神经网络提取六个不同的有效特征,再整合成一个六节点的图结构,依次通过多任务特征融合网络、分类结果预测部分,有效准确地对乳腺肿块的良恶性进行分类。
  • 一种基于深度学习乳腺肿块分类方法
  • [发明专利]一种标签标注方法及装置、电子设备、存储介质-CN202310355912.X在审
  • 杨玉麟;韩佳岐;范世昌 - 陆泽科技有限公司
  • 2023-04-04 - 2023-08-08 - G06F18/241
  • 本发明实施例公开一种标签标注方法及装置、电子设备、存储介质,涉及计算机技术领域,便于在有效提高数据利用效率的同时,使信息标注更准确且无需额外的维护。所述方法包括:获取待标注信息;通过第一模型,确定所述待标注信息对应的语义关键词,所述第一模型为基于人工智能的模型;根据所述语义关键词,确定所述待标注信息对应的信息分类标准,所述信息分类标准的数量为至少一个;确定每个所述信息分类标准下包括的分类条目,其中,每个所述分类条目具有一个对应的条目标签;根据所述语义关键词以及所述条目标签,为所述待标注信息标注目标标签。本发明可用于信息标注中。
  • 一种标签标注方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]真实世界图像超分辨数据集构建方法及系统-CN202310393377.7在审
  • 刘帅成;李子琦;杨裕强;卢良通;杨玉麟 - 电子科技大学
  • 2023-04-13 - 2023-07-28 - G06T3/40
  • 本发明公开了一种真实世界图像超分辨数据集构建方法,包括以下步骤:获取场景高分辨率图像,再获取同一场景低分辨率图像;对高分辨率图像和低分辨率图像进行RAW域局部颜色、亮度校正;对高分辨率图像和低分辨率图像进行RAW域直方图匹配;对高分辨率图像和低分辨率图像进行RAW域对齐,获取RAW图;对RAW图进行去马赛克处理,得到RGB图;对RGB图进行gamma校正,得到真实世界RGB域数据集;同时,本发明还公开了使用该方法的真实世界图像超分辨数据集构建系统,包括:平台、分光镜、高分辨率相机和低分辨率相机。本发明解决了在模拟数据集上训练的网络在应用到真实场景下的图片时效果较差的问题,以适用于真实世界。
  • 真实世界图像分辨数据构建方法系统
  • [发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202211051201.5在审
  • 杨玉麟;李名镇 - 联发科技股份有限公司
  • 2022-08-30 - 2023-03-21 - H01L27/088
  • 本发明公开一种半导体装置,包括:半导体基板;第一装置,该第一装置包括在该半导体基板上的第一栅极结构,其中该第一栅极结构包括:在该半导体基板上的第一栅极介电层;以及位于该第一栅极介电层上的第一栅极层;以及第二装置,该第二装置包括在该半导体基板上的第二栅极结构,其中第二栅极结构包括:在该半导体基板上的第二栅极介电层;以及在该第二栅极介电层上的第二栅极层;其中,该第一装置的该第一栅极介电层和该第二装置的该第二栅极介电层具有不同的介电材料成分。本发明可以达到更加精细控制栅极结构的阈值电压的目的,从而不仅要满足设计要求,而且要达到热载流子注入寿命和装置电阻的最佳点。
  • 半导体装置结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201810902002.8有效
  • 郑兆钦;杨玉麟;云惟胜;徐振峰;陈自强 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-08-09 - 2022-07-26 - H01L21/336
  • 本公开的实施例涉及半导体装置与半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括:形成一鳍状结构,其具有交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层;在鳍状结构上形成一牺牲栅极结构;非等向蚀刻该牺牲栅极结构未覆盖的该鳍状结构的一源极/漏极区,以形成一源极/漏极空间;在该源极/漏极空间中形成一源极/漏极外延层;移除牺牲栅极结构,以露出鳍状结构的一部分;自露出的该鳍状结构移除该第一半导体层;形成朝向该源极/漏极外延层的多个凹陷部;在这些凹陷部中形成多个内侧间隔物;以及形成一栅极介电层以覆盖这些内侧间隔物,并形成一栅极层以围绕第二半导体层,其中内侧间隔物与该栅极介电层隔离该栅极层与该源极/漏极外延层。
  • 半导体装置及其形成方法

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