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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及方法-CN202110042908.9在审
发明人：廖思羽;苏祖辉;范纯祥;王育文;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善半导体器件中的沟道区域的轮廓的方法以及通过这些方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上形成半导体鳍，该半导体鳍包括锗，该半导体鳍的第一部分的锗浓度大于该半导体鳍的第二部分的锗浓度，该第一部分与半导体衬底的主表面之间的第一距离小于该第二部分与半导体衬底的主表面之间的第二距离；以及修整半导体鳍，半导体鳍的第一部分以比半导体鳍的第二部分更大的速率被修整。
半导体器件方法

[发明专利]基板处理设备、旋转式固定座及基板处理方法-CN201810325087.8有效
发明人：戴郡良;范纯祥;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明一实施例提供一种基板处理设备，包括旋转式固定座以及处理流体供给设备。旋转式固定座包括多个承载件以及旋转驱动机构。承载件耦接至旋转式基座，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供一间隙。旋转驱动机构用以转动旋转式基座。处理流体供给设备是设置在旋转式固定座上。
处理设备旋转固定方法

[发明专利]通过反馈控制鳍薄化-CN201911213456.5在审
发明人：苏祖辉;范纯祥;王育文;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及通过反馈控制鳍薄化。一种方法包括形成延伸到半导体衬底中的隔离区域。半导体条带位于隔离区域之间。该方法还包括凹陷隔离区域，使得半导体条带的顶部突出高于隔离区域的顶表面以形成半导体鳍，测量半导体鳍的鳍宽度，基于鳍宽度生成蚀刻方案，并使用蚀刻方案对半导体鳍执行薄化工艺。
通过反馈控制鳍薄化

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510860138.3有效
发明人： 范纯祥;林群雄;黄懋霖;李泳达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置的制造方法实施例，其包括形成一外延部于一基底上方，外延部包括III‑V族材料。一受损材料层位于外延部的至少一表面上。此方法还包括至少氧化受损材料层的外表面，以形成一氧化层、选择性去除氧化层以及当至少一部份的受损层余留于外延部上时，重复氧化及选择性去除步骤。本发明的半导体装置的制造方法，通过一工艺自外延鳍部的外表面、源极/汲级以及纳米接线去除受损材料层，可改善装置的效能。
半导体装置制造方法

[发明专利]高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法-CN201510826948.7有效
发明人： 范纯祥;林群雄;黄懋霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高速电子迁移率场效晶体管及其形成方法。高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的实施例，包括栅极电极于半导体基材上、及多层半导体帽冠于半导体基材上且邻于栅极电极。多层半导体帽冠包含第一半导体层及材质异于第一半导体层的第二半导体层。第一半导体层通过第一间隔而与栅极电极侧向相间隔，而第二半导体层通过较第一间隔更大的第二间隔而与该栅极电极侧向相间隔。如此所形成的高速电子迁移率场效晶体管(HEMT)的电阻会下降，而能优越地改善晶体管的导电度(Gm)及通态电流(Ion)特性，却不增加漏电电流。
高速电子迁移率晶体管及其形成方法

[发明专利]形成场效晶体管的方法-CN201811248710.0在审
发明人：范玮寒;吕伟元;杨玉麟;范纯祥;杨世海 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括提供结构，其具有基板与自基板延伸的鳍状物，其中鳍状物包括第一半导体材料并具有用于晶体管的源极区、通道区、与漏极区；形成栅极堆栈于通道区上；对源极区与漏极区中的鳍状物进行表面处理，使源极区与漏极区中的鳍状物的外侧部分转变成不同于第一半导体材料的材料；蚀刻源极区与漏极区中的鳍状物其转变的外侧部分，以减少源极区与漏极区中的鳍状物宽度；以及沉积外延层于源极区与漏极区中的鳍状物上。
鳍状物漏极区源极区半导体材料通道区基板蚀刻场效晶体管栅极堆栈外延层晶体管沉积延伸

[发明专利]用于清洁晶圆的方法-CN201810522427.6在审
发明人：黄瀚友;范纯祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种用于清洁晶圆的方法，包括用一刷子元件清洁一晶圆，刷子元件在清洁过程中从晶圆收集微粒。将刷子元件浸入一第一清洁液中。对第一清洁液施加一超声波或兆声波振动。
晶圆刷子元件清洁液清洁浸入清洁过程超声波兆声波施加

[发明专利]组合QWFINFET及其形成方法-CN201410403875.6有效
发明人：黄玉莲;范纯祥;李泳达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子阱鳍式场效应晶体管(QWFinFET)。该QWFinFET包括位于衬底上方的半导体鳍和位于半导体鳍上方的组合量子阱(QW)结构。组合QW结构包括位于半导体鳍的顶部上方的QW结构和半导体鳍的中间部分。半导体鳍和QW包括不同的半导体材料。QWFinFET也包括位于组合QW结构上方的栅极堆叠件。本发明还提供了组合QWFINFET的形成方法。
组合 qwfinfet 及其形成方法

[发明专利]制造具有覆盖层的半导器件的方法-CN201310164871.2有效
发明人：彭辞修;陈昭诚;范纯祥;蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造具有覆盖层的半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一区域中形成第一伪栅极结构，以及在半导体衬底的第二区域中形成第二伪栅极结构。在第二伪栅极结构上形成保护层(例如，氧化物和/或氮化硅硬掩模)。在形成保护层之后去除第一伪栅极结构，从而提供第一沟槽。在第一沟槽中形成覆盖层(例如，硅)。可在覆盖层上形成金属栅极结构。在去除第一伪栅极结构期间，保护层可保护第二伪栅极结构。
制造具有覆盖层器件方法

[发明专利]6H-吲哚[3,2-b]喹喔啉衍生物及其有机发光二极管-CN201010234578.5有效
发明人：郑建鸿;范纯祥 -专利权人：郑建鸿
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：本发明是一种6H-吲哚[3，2-b]喹喔啉衍生物及其有机发光二极管。6H-吲哚[3，2-b]喹喔啉衍生物具有化学式(I)。其中R⁹可选自具有一或多取代基的一芳基(aryl group)及具有一或多取代基的一杂芳基(heteroaryl)；以及R¹至R⁸具有取代基。本发明的化合物具有6H-吲哚[3，2-b]喹喔啉官能基，其结合了吲哚及喹喔啉，因此具有吲哚的良好能量转移能力及喹喔啉的良好电子注入能力。化合物可为发光层的一主体发光材料或一掺杂物。或者，本发明的化合物可为一空穴传输材料、一电子传输材料、一空穴阻挡材料、一电子阻挡材料、一空穴注入材料或一电子注入材料。
吲哚喹喔啉衍生物及其有机发光二极管

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