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[发明专利]利用自组装分子制造光掩模的方法-CN200910006032.1无效
发明人：柳振镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及利用自组装分子制造光掩模的方法，包括：在透明衬底上形成光阻挡层和在所述光阻挡层上形成硬掩模图案。所述硬掩模图案暴露出光阻挡层的一部分。所述方法还包括在硬掩模图案上沉积自组装分子(SAM)层。所述SAM层覆盖硬掩模图案和暴露的光阻挡层的一部分。所述方法还包括：在没有被沉积的SAM层覆盖的光阻挡层的暴露部分上形成抗蚀剂层图案。所述方法还包括移除SAM层以暴露出硬掩模图案和光阻挡层，和利用硬掩模图案和抗蚀剂层图案蚀刻光阻挡层以形成光掩模。此外，所述方法还包括移除硬掩模图案和抗蚀剂层图案。
利用组装分子制造光掩模方法

[发明专利]制造包括支撑图案的半导体器件的方法-CN201710665594.1有效
发明人：朴相真;高镛璇;黄寅奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上顺序地形成栅极层和型芯层；在型芯层上形成第一光致抗蚀剂；通过使用第一光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除型芯层而形成型芯图案；形成间隔物图案，间隔物图案包括位于型芯图案中包括的第一型芯一侧的第一型芯间隔物以及位于第一型芯另一侧的第二型芯间隔物；在去除型芯图案之后，形成覆盖间隔物图案的牺牲层；在牺牲层上形成包括桥图案的第二光致抗蚀剂，桥图案重叠第一型芯间隔物和第二型芯间隔物的部分；以及通过使用间隔物图案以及第二光致抗蚀剂作为掩模至少部分地去除栅极层而形成栅极图案
制造包括支撑图案半导体器件方法

[发明专利]光掩模用基板和光掩模及它们的组、制造方法及转印方法-CN201210106982.3有效
发明人：土屋雅誉;池边寿美 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供光掩模用基板和光掩模及它们的组、制造方法及转印方法，在进行接近曝光时提高图案的转印精度。一种光掩模用基板，其用于在主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，主表面上的图案区域的高度变动的最大值ΔZmax为8.5(μm)以下。
光掩模用基板光掩模它们制造方法

[发明专利]一种掩模板挠度检测装置、调节装置及检测和调节方法-CN201710860427.2有效
发明人：杨忠英;吴建鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模板挠度检测装置、调节装置及检测和调节方法，以降低掩模板在蒸镀显示基板的时候由于掩模板下垂从而产生蒸镀阴影的情况，提高显示面板的良品率并提高显示效率。该掩模板挠度检测装置包括：光发射器、光接收器、光路调整机构和两个光路构件，两个光路构件紧贴设置于掩模板下侧表面的两端，光路构件内部具有多个反射面，且两个光路构件在掩模板下侧表面处形成有光路通道，当掩模板下垂产生挠度则部分或完全遮挡光路通道；光发生器用于向光路通道中发射检测光线，光接收器用于接收检测光线；光路调整机构安装于两个光路构件处，用于调整光路通道中的检测光线不被遮挡。
一种模板挠度检测装置调节方法

[发明专利]曝光方法和曝光装置-CN200680020369.2有效
发明人：桥本博信;高木俊博;三宅健 -专利权人：三荣技研股份有限公司;新光电气工业株式会社
申请日： 2006-06-20 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种将光掩模上描绘的图案转印到基板上的曝光方法和曝光装置。将光掩模配置在覆盖基板的位置。形成光掩模和基板相互均匀地接触，并且光掩模和基板相对于各自变形为凹状或凸状的状态。在该状态下，通过光掩模对基板上的感光层照射光，由此将尺寸实质上已变化的图案转印到基板上。
曝光方法装置

[发明专利]一种掩模版相位型缺陷识别方法、装置、设备及介质-CN202210356724.4在审
发明人：马赫;吴晓斌;韩晓泉;季艺雯;谭芳蕊;王魁波;沙鹏飞;李慧;罗艳;谢婉露;马翔宇;孙家政;户权 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种掩模版相位型缺陷识别方法、装置、设备及介质，所述方法包括：采集掩模版相位型缺陷的光场反射幅值分布，将所述光场反射幅值分布转换为掩模缺陷的空间像样本数据；将所述空间像样本数据按照预设比例分为空间像样本数据训练集
一种模版相位缺陷识别方法装置设备介质

[发明专利]掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法-CN202111344806.9在审
发明人：徐甲锺;高敏硕;全保建 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：公开了掩模、制造掩模的方法以及制造显示面板的方法。所述制造掩模的方法包括：形成第一掩模层，在第一掩模层上形成第二掩模层，在第二掩模层上形成光致抗蚀剂图案层，去除第二掩模层的通过光致抗蚀剂图案层暴露的第一区域，限定通过第一掩模层的开口，去除光致抗蚀剂图案层的部分以暴露第二掩模层的第二区域的部分，以及去除第二掩模层的第二区域的部分。
掩模制造方法以及显示面板

[发明专利]清洁光掩模板的装置和方法-CN201310625604.0有效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B08B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造装备技术领域，尤其是一种清洁光掩模板的装置以及清洁方法。该装置包括具有排气口的腔体；位于所述腔体内的用于固定待清洁光掩模板的平台；能够平行于光掩模板表面移动的喷管，所述喷管具有沿着其长度延伸方向布置的一组喷嘴，所述喷管与含离子气溶剂的产生装置连接；所述平台连接静电导出通道实现电位接地本发明在有效去除光掩模板表面的微尘和沾污的同时，高效地去除了光掩模板表面的静电，避免了静电释放对光掩模板的损伤，提高了去除光掩模板表面微尘和沾污的效率，可以有效地延长光掩模在生产中的使用寿命。
清洁模板装置方法

[发明专利]光刻方法及掩模装置-CN200810213774.7有效
发明人：玛丽·K·格特伯雷特;兰博德·纳德;迈克尔·A·帕克;道格拉斯·J·沃纳 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-09-04 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及光刻方法及掩模装置。一种用于在器件上生成多个字符的光刻方法使用包括多个光刻掩模的掩模组，其中每个掩模包括围绕非不透明掩模字符区域的至少一个非不透明掩模字符场区域。顺序利用掩模通过掩模组使光致抗蚀剂曝光于辐射能量密度，从而生成光致抗蚀剂的至少一个字符场区域、及光致抗蚀剂的字符区域。最后，因为光致抗蚀剂的字符区域在每个掩模曝光步骤期间曝光于来自非不透明掩模字符场区域的一些光能量密度，生成字符串的总的光致抗蚀剂曝光时间小于现有技术。
光刻方法装置

[发明专利]光掩模板-CN202210684259.7在审
发明人：吉强;钟国强;陈建;解严;刘震一;唐文浩;张然;朱飞飞 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种光掩模板，包括光掩模主体，所述光掩模主体包括层叠设置的透明基板、相移层和光屏蔽层；所述透明基板位于所述相移层和所述光屏蔽层之间，或者所述透明基板位于所述相移层远离所述光屏蔽层的一侧，或者所述透明基板位于所述光屏蔽层远离所述相移层的一侧；所述光掩模主体包括多个阻光区域和所述阻光区域之间的曝光区域，所述曝光区域内设置有光补偿图案。上述方案使得该光掩模板出光侧的光强得以提高。
模板

[发明专利]光掩模制造方法-CN201310354226.7有效
发明人：张沧岂 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模制造方法。根据本发明的方法，首先，采用包含曝光及蚀刻等在内的工艺来形成待检光掩模；随后，在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补，当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除，并当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。本发明能有效消除孤立且巨大之缺陷，提高光掩模的生产良率。
光掩模制造方法

[发明专利]利用划割道图案来减少缺陷的集成电路-CN202080074719.3在审
发明人： A·萨利纳斯;W·K·麦克唐纳;S·A·约翰内斯梅耶尔;R·P·勒金;S·A·迈斯纳 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：在实例中，一种制造集成电路的方法包括将光掩模定位于光源与半导体晶片之间，所述半导体晶片在所述晶片的晶片划割道中具有光致抗蚀剂层，其中所述光掩模包括：第一掩模划割道图案；第二掩模划割道图案，其匹配所述第一掩模划割道图案；及所述集成电路的至少一个电路图案，其位于所述第一与第二掩模划割道图案之间(802)。所述方法进一步包含照明所述光掩模以在所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层中产生对应于所述第二掩模划割道图案的第一经曝光部分(804)；将所述第一掩模划割道图案定位于所述光源与所述第一经曝光部分之间(806)；及照明所述光掩模，其中所述第一掩模划割道图案大体上屏蔽所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层的未曝光部分以免于曝光(808)。
利用划割道图案减少缺陷集成电路

[发明专利]光掩模单元及其制造方法-CN201180017361.1有效
发明人：秋山昌次;久保田芳宏 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G03F1/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种适宜于使用EUV曝光技术，在感光膜上形成32nm或其以下的微小图案的光刻用光掩模，以提供能确实地防止光掩模的平坦度发生恶化的光掩模单元为目的。本发明的光掩模单元1为：防尘薄膜6、在其一个表面粘贴有防尘薄膜6的侧部近旁区域的防尘薄膜组件框架7、光掩模2、其一个表面固定有光掩模2及防尘薄膜组件框架7的台子3，防尘薄膜组件框架7在比固定有光掩模2的台子
光掩模单元及其制造方法

[发明专利]一种光掩模图案的修复方法-CN201410222368.2在审
发明人：吴苇;王云海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模图案的修复方法，所述修复方法包括步骤：提供光掩模，所述光掩模包括透明基板和位于所述透明基板上且具有掩模图案的遮光层，所述掩模图案具有待修复部分；刻蚀所述透明基板，在与所述待修复部分对应的位置形成与待修复部分图案相同的沟槽；沉积修复材料至所述沟槽中，修复所述光掩模图案。本发明通过在所述透明基板中制作沟槽并将修复材料填充在沟槽中，确保修复完成后，修复材料与透明基板稳定结合，使之可以经受高强度的清洗工艺，避免修复材料再次缺损，保证光掩模的可靠性，提高光掩模的产率。
一种光掩模图案修复方法

[发明专利]一种关键尺寸补偿方法-CN200810149416.4无效
发明人：陈宣克;汪美里;金持正;范倍诚 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：首先，提供光源与主要光掩模。其次，提供辅助光掩模系和该主要光掩模依序排列，其包含辅助透明基板以及位于辅助透明基板中的遮蔽元件。然后，藉由光源在依序通过辅助光掩模与主要光掩模后，则可在基材中，因为该光源在通过遮蔽元件时会产生不同的反应，故可补偿元件布局图案的关键尺寸。
一种关键尺寸补偿方法