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[发明专利]一组应用于双大马士革金属互连工艺的光掩模-CN201310081912.1有效
发明人：毛智彪;于世瑞;张瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一组光掩模，应用于双大马士革金属互连工艺，通过设置沟槽光掩模和通孔光掩模；沟槽光掩模包括多组密集沟槽模块、半密集沟槽模块和孤立沟槽模块，通孔光掩模包括多组密集通孔图形模块、半密集通孔模块和孤立通孔模块，并且沟槽光掩模各模块和通孔光掩模各模块之间通过套准标记可以形成多种套准组合的光掩模，能有效地提高双大马士革金属互连工艺制备的精确性和有效性，进而提高器件的良率；同时，还能在有效地减少研发时间和研发成本的基础上
一组应用于大马士革金属互连工艺光掩模

[发明专利]去除光掩模光刻胶的方法-CN201010176627.4有效
发明人：金海涛;徐飞;吉保国;王夏 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除光掩模光刻胶的方法，包括：将光掩模基片放在工艺腔内；用光刻胶去除液喷淋到光掩模基片上；将光掩模基片旋转；所述光刻胶去除液为臭氧溶于去离子水而得的臭氧去离子水；使前述的臭氧去离子水雾化并由一个喷嘴喷淋到光掩模基片上，将光刻胶分解为二氧化碳和水，从而脱离光掩模表面。本发明提供了一种安全的去除光掩模光刻胶的方法，该方法能解决困扰国际半导体行业的雾状缺陷问题，同时可以大幅度减少光掩模半导体生产工艺中硫酸和过氧化氢的排放，达到节能减排和环保的成效。
去除光掩模光刻方法

[发明专利]光掩模及显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法及装置-CN201710585047.2在审
发明人：寺田寿美 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模及显示装置的制造方法、光掩模基板的检查方法及装置。在光掩模的制造方法中，该光掩模在透明基板的第1主面具有基于设计描画数据的转印用图案，所述光掩模的制造方法包括以下工序将在第1主面上层叠了薄膜和抗蚀剂膜的光掩模基板载置在描画装置的载台上；描画工序，对光掩模基板进行描画；以及使用将抗蚀剂膜显影而形成的抗蚀剂图案对薄膜进行图案形成，在描画工序中，准备表示描画装置对光掩模基板的形状带来的变形量的描画装置固有数据、和表示光掩模基板的第2主面形状的背面数据，将起因于描画装置固有数据及背面数据的坐标偏差合成量反映在设计描画数据中，在光掩模基板上描画转印用图案。
光掩模显示装置制造方法光掩模基板检查装置

[发明专利]光掩模对位曝光方法及光掩模组件-CN200810001619.9无效
发明人：黄正邦;萧智梅 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2008-01-04 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩模对位曝光方法及光掩模组件。该方法包含利用第一光掩模的第一图案区曝光基板的光致抗蚀剂层，以形成至少一第一曝光区；利用第二光掩模的第二图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第二曝光区；利用第二光掩模的第三图案区曝光光致抗蚀剂层，以形成第三曝光区本发明还披露一种光掩模组件。本发明可提高光掩模对位准确度，并减少接合不均现象，亦可以提高工艺效率。
光掩模对位曝光方法模组

[发明专利]制造EUV光掩模的方法-CN201910807763.X在审
发明人：李信昌;许倍诚;连大成;王子奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。
制造 euv 光掩模方法

[发明专利]光学临近修正的测试方法及光掩模版制造方法-CN200810201784.9有效
发明人：王谨恒 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及光学临近修正的测试方法及光掩模版制造方法，其中，光学临近修正的测试方法包括步骤：形成曝光辅助线条；收集所述辅助线条能在光掩模版上成像的长宽比；将上述长宽比中最小的一个作为辅助线条在光掩模版上可以成像的最小长宽比本发明可以获取辅助线条在光掩模版上可以成像的最小长宽比。因此在制造光掩模版时，可以保证辅助线条都能正常地被转移至光掩模版上。
光学临近修正测试方法模版制造

[发明专利]光掩模坯料及光掩模-CN200580036565.4有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;岩片政秀;高木干夫;福岛祐一;佐贺匡 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料及光掩模，其是形成在透明基板上设置了具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模的原材料，是在透明基板上，经过或不经过其它的膜(A)形成1层或2层以上的遮光膜，构成上述遮光膜的层的至少1层(B)作为主要成分含有硅和过渡金属，而且硅和过渡金属的摩尔比是硅∶金属＝4～15∶1(原子比)的光掩模坯料及使用该光掩模坯料在透明基板上形成具有对曝光光透明的区域和实效上不透明的区域的掩模图案的光掩模
光掩模坯料

[发明专利]光掩模用基板、光掩模坯料及光掩模-CN200410029638.4有效
发明人：大田黑竜;桥口浩一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2004-03-26 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模用基板、光掩模坯料及光掩模。本发明的光掩模用基板，具有由表面及背面构成的主表面、形成在基板厚度方向上的端面(T)、形成在所述端面(T)与表面及背面之间的倒角面(C)，并具有透光性，其特征在于：所述基板，其主表面的尺寸为，其一边(L由此，可减少由侧面部发生的微粒，且在用手拿起其侧面部时不容易滑落的大型光掩模用基板。
光掩模用基板光掩模坯料

[发明专利]EUV光掩模检查设备-CN202211655943.9在审
发明人：崔佳滥;金泰重;罗志勋;崔昌勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：一种EUV光掩模检查设备，包括：多个光学系统，其分别在包括EUV光掩模和EUV光掩模上的表膜的掩模结构中形成不同的共焦点。多个光学系统中的第一光学系统包括：第一光源，其发射具有可见光范围内的波长的第一光；分束器，其透射或反射第一光；物镜，其被配置为允许第一光穿过掩模结构的至少一部分，以在掩模结构中形成第一焦点；第一光检测器，其被配置为检测通过入射的第一光从掩模结构反射的第一反射光，以及针孔板，其在第一光源前方。第一光检测器具有包括PMT和APD的检测模块和热电冷却模块。
euv 光掩模检查设备

[发明专利]光掩模图案修正的方法-CN201911260194.8有效
发明人：梁时元;刘智龙;权炳仁 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造一半导体器件的一光掩模的一设计图案的修正方法。所述修正方法包含提供所述光掩模的一基板，构建出被设计以在所述基板上形成一第一接触图案的所述光掩模的一第一掩模图案，所述第一掩模图案包含具有一孔尺寸的多个掩模孔，沿着一水平方向扩大所述多个掩模孔的所述孔尺寸，并旋转所述多个掩模孔，来调整所述第一掩模图案，以构建出被设计以形成具有多个接触孔的一第二接触图案的所述光掩模的一第二掩模图案；确认所述多个接触孔之间的多个器件间隙；以及确认所述第二接触图案与所述半导体器件中的一邻近图案之间的一套刻余量，以确定所述光掩模的所述设计图案。
光掩模图案修正方法

[发明专利]基于相位掩模增强的散射介质传输矩阵测量方法和装置-CN202310851440.7在审
发明人：杨佳苗;何巧芝;李秋苑;刘林仙;邵荣君;曲元 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于相位掩模增强的散射介质传输矩阵测量方法和装置，方法包括：生成准直光束并分隔为多个子光束，对各个子光束施加所需相位延迟量，然后合并为一束光，来施加相位掩模因子；改变光束的振幅分布，分别输入多个调控图案，得到多个调控光场；将各个调控光场依次输入散射介质，形成多个散斑图案，并获取振幅分布；调整相位掩模因子，重复执行上述步骤；根据获取的振幅分布，迭代解算散射介质传输矩阵。与现有技术相比，本发明提出通过外植入相位掩模控制模块，增加对相位的约束条件，克服了传统振幅型空间光调制器的非干涉散射介质传输矩阵测量方法难以准确测量传输矩阵相位维度信息的难题，具有测量精度高、测量速度快等优点
基于相位增强散射介质传输矩阵测量方法装置

[发明专利]曝光制程、像素结构的制造方法及其使用的半调式光掩模-CN200710142320.0有效
发明人：洪国峰;张原豪 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半调式光掩模，适用于一曝光制程中，而形成尺寸均匀的多个光阻图案。此半调式光掩模包括透明基板、以及多个光掩模图案。这些光掩模图案是沿着一设定方向设置于透明基板上，其中，光掩模图案的尺寸是沿着设定方向而渐进变化。因此，即使在大尺寸基板上的不同区域存在曝光精度不相同的情形下，仍可利用渐进补偿方式制作尺寸均匀的光阻图案。另外，使用此半调式光掩模的曝光制程与像素结构的制造方法也被提出。
曝光像素结构制造方法及其使用调式光掩模

[发明专利]具有轻掺杂漏极的金属氧化物半导体的制作方法-CN200510069615.0有效
发明人：颜士益 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具有轻掺杂漏极的金属氧化物半导体的制作方法，可利用一道光掩模同时定义栅电极、p型离子重掺杂区及n型离子轻掺杂区，且可利用另一道光掩模同时定义出接触窗及n型离子重掺杂区。因此，本发明最少只需6道光掩模，即可完成具有轻掺杂漏极薄膜晶体管的工艺，如此一来不但可达到减少多晶硅薄膜晶体管工艺的光掩模使用次数的目的，且由于工艺的步骤减少，因此可提高量产速度及增加成品率。
具有掺杂金属氧化物半导体制作方法

[发明专利]光掩模检查方法、光掩模制造方法及光掩模检查装置-CN201810841256.3在审
发明人：剑持大介 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：光掩模检查方法、光掩模制造方法及光掩模检查装置，能够简单且直接地测量在光掩模的转印用图案中包含的相移部的相移量。光掩模检查方法测量在光掩模的转印用图案中包含的相移部的相位特性，包括：在具备投影光学系统的检查装置中设置光掩模的工序；光学像数据取得工序，通过将所设置的光掩模曝光且将相移部的光学像投影到摄像面上，从而取得光学像数据；运算工序，利用所取得的光学像数据而求出相移部所具备的相移量，在光学像数据取得工序中，使光掩模、投影光学系统及摄像面中的至少一部分在光轴方向上移动而取得多个聚焦状态的各个状态下的光学像数据，在运算工序中
光学像光掩模检查光掩模相移投影光学系统光掩模制造聚焦状态数据取得运算工序相移量转印图案光掩模曝光方法测量光轴方向检查装置相位特性上移动摄像面摄像投影测量

[发明专利]光掩模安装保护膜的定位方法-CN200910247944.8有效
发明人：王国荃 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩模安装保护膜的定位方法，该方法描述了利用保护膜对准标记(Pellicle Alignment Mark，PAM)进行定位的方案。首先建立定位数据库，该定位数据库包含与光掩模关联的PAM数据，其中PAM包括用于定位保护膜的安装方向的方向对准标记和定位保护膜的安装偏移的偏移对准标记，每一标记的数据包含图案以及在光掩模上的布局。在制作光掩模时，根据PAM数据将PAM写在光掩模上，其中PAM位于光掩模的图形质量区外。在为光掩模安装保护膜时，根据PAM确定光掩模的上部，并确保保护膜框的位置偏移没有超出预设的正常范围。PAM的设计提供了易于检查保护膜安装定位的正确性的方法，因而达到可以消除由于安装膜转向错误或过大的偏移而引起的光掩模质量事故。
光掩模安装保护膜定位方法