“型光掩模坯”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3255778个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]掩模处理装置及基板处理装置-CN202211728938.6在审
发明人：金泰熙;郑智训;金泰信;郑映大;全瑛恩 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F1/52 文献下载
摘要：本发明构思提供一种掩模处理装置及基板处理装置。该掩模处理装置可以包括：支承单元，其支承该掩模；及光辐照单元，该光辐照单元通过光辐照该掩模以调整形成于该掩模中图案的关键尺度，其中该光辐照单元包括产生该光的光源及光调制组件，该光调制组件调制由该光源产生的该光且形成辐照图案
处理装置

[发明专利]形成半导体器件的图案的方法-CN200710302219.7无效
发明人：金瑞玟;林昌文 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括：在半导体基板的底层上形成第一硬掩模薄膜、第一光阻膜和第二硬掩模薄膜；在所述第二硬掩模薄膜上形成第二光阻图案；利用所述第二光阻图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第二硬掩模薄膜，以形成第二硬掩模图案；利用所述第二硬掩模图案作为离子植入掩模在所述第一光阻膜上执行离子植入工序，以在所述第一光阻膜的一部分中形成离子植入层；以及利用所述第二硬掩模图案和所述离子植入层作为蚀刻掩模选择性地蚀刻所述第一光阻膜，以形成第一光阻图案。
形成半导体器件图案方法

[发明专利]光掩模清洁处理-CN201880057184.1有效
发明人：布鲁斯·芬德;杰瑞·D·莱昂哈德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：清洁光掩模的方法可包括加热在光掩模的表面上的残留耦接材料。光掩模的特征可在于作用区域及边缘区域。残留耦接材料可位于光掩模的边缘区域的部分上。所述方法可包括施加蚀刻剂至残留耦接材料。所述方法还可包括从光掩模冲洗蚀刻剂。在此方法期间，光掩模的作用区域的一部分可维持实质上不具有蚀刻剂。
光掩模清洁处理

[发明专利]清洗衬底的方法、制造光掩模的方法及清洗光掩模的方法-CN201910973167.9有效
发明人：许有心;张浩铭;魏绍琦;许盛昌;林政旻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例涉及清洗衬底的方法、制造光掩模的方法及清洗光掩模的方法。提供一种用于制造光掩模的方法。所述方法包含：接收具有放置于其上方的硬掩模的衬底；在所述硬掩模上方形成图案化光致抗蚀剂；使用所述图案化光致抗蚀剂作为掩模来图案化所述硬掩模；及去除所述图案化光致抗蚀剂。所述去除所述图案化光致抗蚀剂包含：使所述衬底上方的有机材料氧化；将碱性溶液涂覆到所述图案化光致抗蚀剂上；及通过机械冲击来去除所述图案化光致抗蚀剂。本发明还提供一种用于清洗衬底及光掩模的方法。
清洗衬底方法制造光掩模

[发明专利]光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法-CN201610173066.X有效
发明人：牛田正男;坪井诚治;安森顺一;阿山兼士 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法，上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模，上述光掩模的制造方法具有上述特性上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层，遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成，该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0此外，上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且，上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。
光掩模空白制造方法显示装置

[发明专利]立体光掩模及其制造方法以及立体表面图案化制作方法-CN201210158514.0无效
发明人：许馨卉;张胜杰;黄宝毅 -专利权人：启碁科技股份有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种立体光掩模、此立体光掩模的制造方法以及使用此立体光掩模的立体表面图案化制作方法。立体光掩模供对物件曝光时使用。其中，物件具有立体曝光面。立体光掩模包含立体图案面以及图案单元。立体表面图案化制作工艺方法包含：提供具有立体曝光面的物件，立体曝光面覆盖有光致抗蚀剂层；提供上述立体光掩模；将立体光掩模设置于光致抗蚀剂层上，且使立体图案面与立体曝光面相嵌合；以及使用立体光掩模，对光致抗蚀剂层进行曝光
立体光掩模及其制造方法以及表面图案制作方法

[发明专利]光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法-CN201010123603.2有效
发明人：洪齐元;张斌;邓泽希;张立国 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光掩模版和使用所述光掩模版的测试方法，所述光掩模版包括第一掩模结构和第二掩模结构，所述第一掩模结构用于形成电路图形，所述第二掩模结构用于形成测试图形；所述第二掩模结构中的图形类型涵盖第一掩模结构中图形的所有图形类型在使用所述光掩模版的测试方法中，只要测试第二掩模结构在硅晶圆上所形成的测试图形即可，无需再去查找位于电路图形不同位置的图形类型，从而节省时间、提高效率。
模版使用述光掩测试方法

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202210925585.2在审
发明人：苏伟硕;赖昱泽;王圣闵;谢艮轩;郑介任;张雅惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种用于极紫外(EUV)光刻的光掩模，该光掩模包括用于将光掩模与EUV光刻工具对准的掩模对准标记，以及设置在掩模对准标记周围的亚分辨率辅助图案。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]用于去除钌表面上污染物的工艺-CN201610548619.5有效
发明人：杰里·达斯汀·伦纳德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：一种用于预处理具有暴露钌表面的EUVL光掩模的方法包括使所述光掩模经受氧化和还原环境中的表面处理。另一种用于预处理具有暴露钌表面的EUVL光掩模的方法包括使所述光掩模经受氧化和还原环境中的表面处理，以及用清洁液清洁所述光掩模。
用于去除表面上污染物工艺

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202210785924.1在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射的光线同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机-CN202310251679.0在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案
曝光成像结构反射式光掩模版投影光刻

[发明专利]紧密接触型曝光装置-CN200610110673.8无效
发明人：五十岚晃;田口阳介 -专利权人：株式会社阿迪泰克工程
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模与基板的紧密接触性高的紧密接触型曝光装置。在基板(2)的外侧周围安装框体(3)并通过吸附口(56)吸附固定。通过框体(3)提高光掩模和基板的紧密接触性。在框体(3)的背面形成有流通槽(30)，以便对框体(3)和基板(2)之间形成的间隙(35)进行抽气，从而能够可靠地进行光掩模(1)和基板(2)的紧密接触。
紧密接触曝光装置

[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板-CN200980109887.5无效
发明人：林和幸;宇野俊之;海老原健 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供具有可容易地控制应力和晶体结构的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板的衬底上至少依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层含有钽(Ta)、氮(N)和氢(H)，所述吸收体层中的Ta和N的总含有率为50～99.9
euv 光刻反射型掩模基板

[发明专利]测试光掩模的设备和方法-CN201911114612.2在审
发明人：金锡珠;俞周亨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明公开了测试光掩模的设备和方法。一种用于测试光掩模的设备可以包括装载块、驱动块和控制块。装载块可以被配置为容纳光掩模盒，所述光掩模盒被配置为容纳光掩模。底表面可以被配置为支撑光掩模盒。顶表面可以面向底表面。视觉相机可以被安装在顶表面处以拍摄光掩模的边缘部分。
测试光掩模设备方法

[发明专利]液晶薄膜的制造方法及功能性薄膜的制造方法-CN201880035113.1有效
发明人：长谷川昌孝;长野论史;稻田宽;二村惠朗 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够获得能够显示精细且所期望的色阶的图像的胆甾醇型液晶层，并具有高生产率的液晶薄膜的制造方法及功能性薄膜的制造方法。本发明的液晶薄膜的制造方法依次具有：涂布工序，沿长度方向运送支撑体的同时，将包含胆甾醇型液晶化合物及感光性的手性试剂的液晶组合物涂布于支撑体表面；照射工序，向未干燥状态的液晶组合物的涂布膜照射手性试剂感光的波长的光；取向工序，对涂布膜进行加热来使液晶进行取向；及固化工序，对所取向的涂布膜进行固化，在照射工序中，经由配置于支撑体侧的图案掩模而对涂布膜照射光，图案掩模为具有对手性试剂所感光的波长的光的透射率不同的3个以上的区域的多灰度的图案掩模，照射工序中，通过经由多灰度的图案掩模而对涂布膜照射光，从而对于涂布膜的各区域照射不同的照射量的光。
液晶薄膜制造方法功能