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[发明专利]动态气体隔离装置及光刻设备-CN202310822085.0在审
发明人：高梓翔;吴晓斌;王魁波;罗艳;沙鹏飞;韩晓泉;谢婉露;李慧;张良乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种动态气体隔离装置及光刻设备，涉及光刻技术领域。动态气体隔离装置用于连接于光刻设备的第一工作腔室和第二工作腔室之间，其包括主管道、第一进气组件、第二进气组件以及温度控制组件。主管道两端分别连接第一工作腔室和第二工作腔室；第一进气组件和第二进气组件均连接于主管道；由进入到主管道内的第一清洁气体和第二清洁气体通过气体分子间的碰撞来抑制污染物在第一工作腔室和第二工作腔室间的流通；同时，通过温度控制组件对第二进气组件的进气温度进行控制，使得第一清洁气体与第二清洁气体进行混合冷却后再进入到第二腔室内，避免气体温度过高而导致衬底升温，进而防止产生套刻误差，保证了芯片的制造质量和可靠性。
动态气体隔离装置光刻设备

[发明专利]一种掩模版相位型缺陷识别方法、装置、设备及介质-CN202210356724.4在审
发明人：马赫;吴晓斌;韩晓泉;季艺雯;谭芳蕊;王魁波;沙鹏飞;李慧;罗艳;谢婉露;马翔宇;孙家政;户权 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种掩模版相位型缺陷识别方法、装置、设备及介质，所述方法包括：采集掩模版相位型缺陷的光场反射幅值分布，将所述光场反射幅值分布转换为掩模缺陷的空间像样本数据；将所述空间像样本数据按照预设比例分为空间像样本数据训练集、空间像样本数据测试集；对所述空间像样本数据训练集进行缺陷类型标定；对所述缺陷类型标定的结果和所述空间像样本数据训练集的对应关系进行训练，以搭建缺陷识别模型；将所述空间像样本数据测试集输入所述缺陷识别模型得到缺陷识别结果。
一种模版相位缺陷识别方法装置设备介质

[发明专利]一种质谱检出限的检测装置及其检测方法-CN201810629121.0有效
发明人：罗艳;吴晓斌;王魁波;谢婉露;张罗莎;张立佳 -专利权人：中国科学院光电研究院
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J49/02 文献下载
摘要：一种高精度质谱检出限的检测装置及其检测方法，其中，所述检测装置包括，待测高精度质谱仪、真空腔室、分子泵、干泵、隔膜泵、微调阀、金属细管、金属毛细管和大气采样阀；检测方法包括：以空气中稀有气体同位素浓度为检测目标，实现对高精度质谱仪检出限的检测。本发明的优点为，通过采用本发明检测装置，实现了利用空气中的低浓度稀有气体同位素对高精度质谱仪检出限的检测工作，解决了不易获得低浓度标准检测气体的问题，此外，相比已有的技术成果，本发明的一种高精度质谱检出限的检测装置及其检测方法简单易行，通过一次有效的测试，即可直观可比地获得检出限的数量级；通过简单地计算，即可精确可靠地获得四极质谱仪的最小可检浓度和最小可检分压。
种质检出检测装置及其方法

[发明专利]一种用于光刻设备的温度控制装置及方法-CN202210212241.7在审
发明人：王魁波;孙家政;吴晓斌;丁金滨;罗艳;谢婉露;沙鹏飞;韩晓泉;马赫;谭芳蕊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于光刻设备的温度控制装置及方法，属于光刻设备技术领域，解决的技术问题是在实现对硅片表面温度变化有效控制的前提下、避免引入线缆带来的环境污染问题。本发明包括：动态气体隔离装置、气体温度控制装置和高纯气源；所述气体温度控制装置和高纯气源设置在光刻设备的光刻设备主基板的外侧；所述动态气体隔离装置上设置清洁气体流动管道；所述清洁气体流动管道一端连接气体温度控制装置，另一端连接光刻设备内部；所述气体温度控制装置与高纯气源连接，且能够对高纯气源中存储的高纯清洁气体进行温度控制，本发明通过低温的高纯清洁气体对硅片进行温度控制，同时减少了污染。
一种用于光刻设备温度控制装置方法

[发明专利]载片系统及物料传递方法-CN202010930845.6有效
发明人：王魁波;吴晓斌;谢婉露;罗艳;沙鹏飞;韩晓泉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种载片系统及物料传递方法，载片系统包括腔室、充气装置、抽气装置和温度调节装置，腔室包括依次连通的大气腔、载片腔和工艺腔，大气腔与载片腔之间设置有第一物料阀，载片腔与工艺腔之间设置有第二物料阀；大气腔的内部设置为大气压环境，工艺腔的内部设置为真空环境；充气装置与载片腔连通，充气装置用于对载片腔充气以使载片腔的内部形成大气压环境；抽气装置与载片腔连通，抽气装置用于对载片腔抽气以使载片腔的内部形成真空环境；温度调节装置与载片腔连通以调节载片腔内的温度。本申请通过控制载片腔的气压环境和温度，以载片腔作为过渡腔，实现了物料在大气腔与工艺腔之间的传递，保证了工艺腔的清洁度和物料温度的稳定性。
系统物料传递方法

[发明专利]极紫外光学元件的微环境控制系统-CN202010929526.3有效
发明人：王魁波;吴晓斌;罗艳;谢婉露;韩晓泉;沙鹏飞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请具体涉及一种极紫外光学元件的微环境控制系统，包括用于放置光学元件的真空室、分流辐射器和供气设备，分流辐射器设置在真空室内且位于光学元件上方，分流辐射器的底板朝向光学元件的反射面，分流辐射器的内部具有空腔，分流辐射器上设置有与空腔连通的进气口和多个出气口，多个出气口设置底板上；分流辐射器上设置有供光线通过的通光孔，通光孔与空腔之间不连通；供气设备包括高纯气源、供气管路和降温装置，供气管路的两端分别与高纯气源和进气口连通，降温装置设置在供气管路上以降低供气管路中的气体的温度，本申请提出的极紫外光学元件的微环境控制系统能够降低光学元件的温度，防止光学元件变形，能减少光学元件周围的污染物气体。
紫外光学元件环境控制系统

[发明专利]一种气体采样分析装置和方法-CN202010427108.4有效
发明人：王魁波;吴晓斌;罗艳;谢婉露 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体采样分析装置和方法，所述装置包括：真空获取模块、采样模块和气体分析模块；其中，所述气体分析模块分别与所述真空获取模块、和采样模块连接；其中，所述真空获取模块包括限流阀，所述限流阀开启和关闭时，分别实现所述气体分析模块的极限真空和工作真空。因此，采用本申请实施例，可以实现对高压、常压和真空气体进行在线分析；增加气体采样量，提高系统响应速度；消除了气体采样时的分子歧视效应和抽速选择性，实现无损采样分析以及实现气体采样分析装置自带校准，从而提高气体采样分析结果的准确度。
一种气体采样分析装置方法

[发明专利]一种低真空痕量气体的快速无损采样分析装置和方法-CN202010404155.7有效
发明人：罗艳;吴晓斌;王魁波;谢婉露;李慧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本发明提出了一种低真空痕量气体的快速无损采样分析装置和方法，该装置包括真空获得模块、采样模块、气体分析模块和控制模块。其中真空获得模块包括二级真空腔室、真空泵组和隔断阀。采样模块包括工艺腔室、连接法兰、采样细管、截止阀、微孔法兰、二级真空腔室和电离单元的微孔。气体分析模块包括总压监测器、电离单元、质量分析器和探测器等。本发明装置解决了低真空气体采样分析过程中出现的质量歧视效应，真正做到了无损采样，测试结果准确；半封闭式电离单元可保持更高压力，提高了采样量；降低了采样时二级真空腔室的本底，降低了采样带来的本底干扰和微量气体的损失，进一步提高了装置的检测下限，更能分析具有极低浓度的气体。
一种真空痕量气体快速无损采样分析装置方法

[发明专利]光刻机气压控制及监测系统、方法和光刻机-CN202111417683.7有效
发明人：王魁波;吴晓斌;罗艳;谢婉露;沙鹏飞;李慧;韩晓泉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及其气压控制及监测系统和方法，光刻机气压控制及监测系统包括全量程真空规组件、薄膜真空规组件和真空泵组。全量程真空规组件包括分别设置于主腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室的全量程真空规；薄膜真空规组件包括分别设置于主腔室、照明光学腔室、投影光学腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室的薄膜真空规；真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵、硅片传输腔室真空泵和掩膜传输腔室真空泵。本发明的光刻机气压控制及监测系统能够对光刻机的整个工作过程进行实时监测，并且能够在工艺操作期间精确地测量各个腔室的工艺气压。
光刻气压控制监测系统方法

[发明专利]光刻机的污染控制系统、方法和光刻机-CN202111417648.5有效
发明人：王魁波;吴晓斌;沙鹏飞;罗艳;谢婉露;李慧;韩晓泉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及其污染控制系统和方法，光刻机的污染控制系统包括高纯清洁气源、纯化器、照明光学腔室气体装置、主腔室气体装置、投影光学腔室气体装置、硅片台腔室气体装置和真空泵组，各个气体装置分别包括各自的流量控制器和配气管道，各配气管道包括多个管道支路，用于对经由各自的流量控制器输送至相应腔室的清洁工艺气体进行分配。本发明的光刻机的污染控制系统能够调节输送至各个腔室的工艺气体流量，使得各个腔室形成合适的气压梯度，并通过真空泵组从相应腔室抽气，使光刻机内部形成工艺气流场，从而将污染物排出到光刻机外部。
光刻污染控制系统方法

[发明专利]掩模缺陷检测系统-CN202310208697.0在审
发明人：沙鹏飞;吴晓斌;王魁波;谢婉露;户权;韩晓泉;李慧;罗艳;马赫;谭芳蕊;尹皓玉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模缺陷检测系统，包括：光源，所述光源用于发射入射光场；聚焦组件，所述聚焦组件用于所述入射光场聚焦；掩膜，所述掩膜的检测面位于所述入射光场的焦点上，所述检测面设有缺陷，所述入射光场经所述检测面反射并形成反射光场，所述入射光场经所述缺陷反射并形成散射光场；明场成像波带片、暗场成像波带片，所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者设于所述反射光场和所述散射光场的照射路径上，以用于使所述反射光场和所述散射光场照射于所述明场成像波带片和所述暗场成像波带片中的其中一者。根据本发明提供的掩模缺陷检测系统，很好地解决了现有掩模缺陷检测系统无法兼顾快速扫描和精确扫描的问题。
缺陷检测系统

[发明专利]一种痕量气体分析装置以及方法-CN202010544161.2有效
发明人：王魁波;吴晓斌;谢婉露;罗艳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本申请提供一种痕量气体分析装置以及方法，其中，装置包括：采样管、采样室、气体分析单元、吸附单元、真空泵单元以及监测采样室真空度的真空计；采样管的出气口与采样室的进气口连通，采样管的进气口用于连通工艺腔室的出气口，工艺腔室输出的待测气体以分子流的流动状态经采样管输送至采样室；采样室的出气口与气体分析单元的进气口、吸附单元的进气口和真空泵组的抽气口分别连通。本申请待测气体以分子流的流动状态输送至采样室，从而消除了痕量气体采样时的分子歧视效应，痕量气体以外的气体被吸附单元吸附了，采样室内的痕量气体的分压和工艺腔室内的痕量气体的分压是相同的，即痕量气体具有较高的信号。因此，提高了痕量气体分析结果的准确度。
一种痕量气体分析装置以及方法

[发明专利]极紫外掩模的缺陷检测方法、装置、设备及介质-CN202210499810.0在审
发明人：季艺雯;韩晓泉;吴晓斌;马赫;谢婉露;沙鹏飞;王魁波;罗艳;李慧;谭芳蕊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及极紫外光刻掩模技术领域，公开了一种极紫外掩模的缺陷检测方法、装置、设备及介质，包括：获取待检测极紫外掩模的目标空间像，其中目标空间像是离焦图像；确定目标空间像与模板图像的匹配度；模板图像是具有预设缺陷的极紫外掩模的空间像；根据匹配度，确定待检测极紫外掩模的缺陷检测结果。本发明可准确检测极紫外光刻掩模多层膜相位型缺陷形貌。
紫外缺陷检测方法装置设备介质

[发明专利]一种掩模缺陷检测方法及装置、计算机设备、存储介质-CN202111089147.9在审
发明人：季艺雯;韩晓泉;吴晓斌;马赫;谢婉露;沙鹏飞;王魁波;罗艳;李慧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种掩模缺陷检测方法及装置、计算机设备、存储介质，其中缺陷检测方法包括如下的步骤。获取待检测掩模的第一图像，对第一图像进行预处理，以得到第二图像，且第二图像的分辨率小于第一图像的分辨率；对第二图像进行感兴趣区域提取处理，以确定疑似缺陷区域；对疑似缺陷区域进行图像分割处理，以确定候选目标区域；然后根据候选目标区域的灰度值确定待检测掩模上存在的缺陷。本发明基于掩模空间像进行图像处理，无需训练大量数据，在所需数据量较小的前提下实现掩模缺陷检测和掩模缺陷位置确定。本发明具有检出率高、检测速度快、位置偏差小、检测精度高及鲁棒性好等突出优点。
一种缺陷检测方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]准分子激光器的能量控制方法、装置、计算机设备及介质-CN202110838032.9在审
发明人：韩晓泉;吴晓斌;孙泽旭;王魁波;罗艳;沙鹏飞;谢婉露;李慧;马赫 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01S3/102 文献下载
摘要：本发明公开了准分子激光器的能量控制方法、装置、计算机设备及介质，该方法包括：获取准分子激光器在第一设定时间段内的第一输出能量数据和第二设定时间段内的第二输出能量数据，构建第二输出能量数据与第一输出能量数据之间的非线性关系，通过非线性关系和准分子激光器当前输出能量数据预测出准分子激光器后续输出能量数据，根据预测出的准分子激光器后续输出能量数据对准分子激光器工作电压进行调节。基于对准分子激光器后续输出能量的预测，本发明能够对准分子激光器的工作电压进行有效控制，以显著提高准分子激光器能量输出稳定性的控制精度，提高准分子激光器能量稳定性和剂量稳定性，为用于半导体器件加工的光刻工艺提供稳定的光源。
准分子激光能量控制方法装置计算机设备介质

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