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[发明专利]硬盘驱动器中的原位接触电势测量-CN201310232082.8在审
发明人： A.N.默西;R.皮特;K.A.弗莱克西格 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：提供用于测量在硬盘驱动器（HDD）内磁头和磁盘界面之间的接触电势的硬盘驱动器和方法的方法。在一个示例中，以离散增量向磁头滑块施加偏压，并且在每个增量确定触地功率。TDP最大化的偏压与在磁头滑块和磁盘之间的固有接触电势的倒置极性相等，并且此值可以用来施加抵消接触电势的电压。
硬盘驱动器中的原位接触电势测量

[发明专利]具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法-CN201210273713.6无效
发明人：儿玉峰章;石崎浩;大川贵子;稻叶宏 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：一种具有软中间膜的气垫面外层及制造该气垫面外层的方法。在一个实施例中，一种磁头包括至少一个磁头元件，其用于从磁介质读取和/或向磁介质写入，该元件具有面向磁介质的气垫面（ABS）；在ABS上方的包含碳化硅的粘性膜，该粘性膜具有在水蒸汽局部压力下形成的特性；以及在粘性膜上方的保护膜，该保护膜包括碳。而且，在另一实施例中，一种方法包括：形成磁头的ABS，该ABS是在使用时距磁介质最近的磁头的表面；在磁头的ABS上方形成粘性膜，该粘性膜在水蒸汽局部压力下形成；以及在粘性膜上方形成保护膜，该保护膜包括碳。
具有中间气垫外层制造方法

[发明专利]磁盘驱动器的基础设计-CN201210253532.7在审
发明人：杉井泰介;广野好之;川上崇章 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G11B33/14 文献下载
摘要：磁盘驱动器的基础设计。一种磁盘装置，包括：一个或多个盘形磁盘；主轴马达；磁头；臂部，其用于支撑该磁头；封壳基部，其用于容纳上述组件；邻接对置表面，其位于封壳基部中邻接该磁盘；非邻接对置表面，其位于封壳中与该磁盘相对，并且较之邻接对置表面距该磁盘更远；连接表面，其用于连接该邻接对置表面和该非邻接对置表面；以及凹槽，其在该邻接对置表面的磁盘内圆周侧上在该磁盘的圆周方向上延伸，其中该凹槽的一端在连接表面处暴露，而另一端具有与该磁盘的旋转方向垂直的端表面。
磁盘驱动器基础设计

[发明专利]具有多个磁层和间隔层的图案化垂直磁记录介质-CN201210252631.3无效
发明人：埃内斯托·马里内罗;迪特尔·韦勒;布赖恩·约克 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明涉及具有多个磁层和间隔层的图案化垂直磁记录介质。该图案化垂直磁记录介质具有离散的数据岛，该数据岛具有第一和第二铁磁层（MAG1和MAG2），第一和第二非磁性间隔层（IL1和IL2）在所述MAG1和MAG2之间。MAG1和MAG2可以是类似CoPtCr合金并具有类似厚度，且IL1和IL2的厚度确保使MAG1和MAG2强交换耦合。替代地，MAG2可以是“写入辅助”层，例如以交换弹性结构的高饱和磁化强度的磁性软材料，且IL1非常薄使得IL2用作MAG1和写入辅助MAG2层之间的耦合层。在热辅助记录（TAR）的应用中，MAG2可以是具有高磁晶各向异性（Ku）的基于L10相的化学有序等原子二元合金FePt或CoPt。
具有多个磁层间隔图案垂直记录介质

[发明专利]具有内嵌地址间接性元数据存储的存储设备-CN201210162833.9无效
发明人： Z.Z.班迪克;Y.卡苏托;J.D.科克;C.古约特;M.桑维多 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：描述了一种方法，该方法允许磁盘驱动器，诸如迭瓦写入式记录（SMR）驱动器在紧急断电（EPO）之后恢复将LBA映射到PBA的间接性地址表。间接性地址表（IAT）快照与用户数据存储内嵌地周期性地写入，并且在一个实施例中具有增量地址更新信息的累加变量增量列表（CDL）存储在快照之间。在本发明的实施例中，当检测到即将来临的断电时，覆盖了IAT更新但还没有写入到盘的当前CDL保存到非易失性存储器。与CDL的组结合的IAT快照提供在紧急断电之后恢复电源时重建当前的间接性地址表所需的信息。在一个替换的实施例中CDL通过包括在编码地址间接性映射和最后快照ID的扇区中的元数据而被排除。
具有地址间接性数据存储设备

[发明专利]具有多磁层及中间双成核膜的垂直磁记录盘-CN201210184256.3无效
发明人： E.E.马里内罗;D.K.韦勒;B.R.约克 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明涉及垂直磁记录盘，其具有由至少两个铁磁交换耦合的CoPtCr氧化物磁层（MAG1和MAG2）形成的分级各向异性记录层（RL），两个成核层（NF1和NF2）位于磁层之间。NF1是在低压于MAG1上溅射沉积至约0.1-1.5nm厚的金属膜，优选地为Ru或基于Ru的合金如RuCr。NF2是在高压于NF1上溅射沉积至约0.2-1.0nm厚的金属氧化物膜，优选地为Ta的氧化物。MAG2溅射沉积在NF2上。与没有MAG1和MAG2之间的成核膜的分级各向异性RL相比，NF1和NF2提供了RL中平均晶粒尺寸的显著减小，同时也确保MAG1和MAG2强地交换耦合。
具有多磁层中间成核垂直记录

[发明专利]具有反相Hk结构的垂直磁记录介质-CN201210177713.6无效
发明人：殿冈俊;棚桥究;中川宏之;玉井一郎 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明涉及具有反相Hk结构的垂直磁记录介质。根据一个实施方式，垂直磁记录介质包含特征为磁各向异性Ku1的第一粒状记录层、在该第一粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku2的第二粒状记录层和在该第二粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku3的第三粒状记录层，其中Ku3Ku1。在另一实施方式中，磁介质包含具有处于第一比率X1的第一CoCrPt合金的第一记录层、在该第一记录层上并具有处于第二比率X2的第二CoCrPt合金的第二记录层和在该第二记录层上具有处于第三比率X3的第三CoCrPt合金的第三记录层，各比率定义为各CoCrPt合金中Pt的浓度除以Cr的浓度，其中X3X1。
具有 hk 结构垂直记录介质

[发明专利]自旋转矩振荡器、传感器、磁场感测系统及盘驱动器-CN201210177143.0无效
发明人： P.M.布拉甘卡;B.A.格尼;J.A.凯廷 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：本发明提供了自旋转矩振荡器（STO）、STO传感器、磁场感测系统以及盘驱动器。该自旋转矩振荡器（STO）具有单个自由铁磁层，该自由铁磁层与非磁导电间隔层形成巨磁阻（GMR）结构的一部分，并与隧道势垒层形成隧道磁阻（TMR）结构的一部分。该STO具有连接到电路的三个电端子，该电路提供经过导电间隔层的自旋转矩激励电流以及经过隧道势垒层的较小的感测电流。当STO用作磁场传感器时，激励电流使得自由层的磁化在没有外部磁场时在固定的基频振荡。耦接到感测电流的检测器检测自由层的磁化振荡频率响应于外部磁场从基频的偏移。
自旋转矩振荡器传感器磁场系统驱动器

[发明专利]具有叠瓦写入和宽区域热辅助的磁记录盘驱动器-CN201210139025.0无效
发明人：庄嘉杨;H.J.罗森;B.C.斯蒂普;T.C.斯特兰德;P.A.范德海杰登 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G11B5/012 文献下载
摘要：本发明提供了利用“叠瓦”记录和“宽区域”加热器的热辅助记录（TAR）盘驱动器。在叠瓦记录中，写头极尖在跨道方向上比读头宽并通过建立部分交叠的多个连续圆形路径而写入磁转变。相邻路径的未被交叠部分形成数据道，因此其比写极尖的宽度窄。数据道被分组为环形带，当数据被再写入时，环形带中的所有数据道也被再写入。宽区域加热器可以是具有输出端的波导，该波导在盘记录层上产生被加热区域，该被加热区域比该写极极尖的跨道宽度宽。已经确定，使用叠瓦记录和宽区域加热器不会导致任何显著的相邻道擦除（ATE）。
具有写入区域辅助记录驱动器

[发明专利]磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头-CN201210093057.1无效
发明人： A.M.泽尔特瑟;S.马特 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻传感器结构及电流垂直于平面型磁阻读头。用于磁记录盘驱动器的CPP-GMR或CPP-TMR读头的硬磁体偏置结构位于传感器的两个屏蔽件之间并邻接传感器自由层的侧边缘。绝缘层位于偏置结构与下屏蔽件和自由层的侧边缘之间。偏置结构包括Ir或Ru的籽层、在该籽层上的一层铁磁化学有序FePt合金硬偏置层、以及在该FePt合金硬偏置层上的Ru或Ru/Ir盖层。FePt合金具有面心四方结构，其c轴基本在层的平面中。相对薄的籽层和盖层允许偏置结构制得很薄，同时仍然允许FePt合金硬偏置层具有高矫顽力(Hc)、高剩余磁化-厚度乘积(Mrt)和高矩形度(S＝Mr/Ms)。
磁阻传感器结构电流垂直平面

[发明专利]使用测试单元的闪存中的早期恶化检测-CN201110436120.2有效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：描述了使用本发明实施方式的闪存系统和数据管理的方法，其使用具有早期恶化检测(EDD)电路的特殊测试单元来代替使用实际的用户数据存储单元。通过使用实验地确定的敏感的写VT和可变的读VT，使得闪存测试单元与标准单元相比更敏感，可以使其作为“煤矿中的金丝雀”。用于闪存中早期恶化检测(EDD)的技术测量读操作期间一组(如，页)NAND闪存单元的阈值电压(VT)的漂移。在本发明的实施方式中，存储单元的读操作的完成时间(TTC)用作阈值电压(VT)的漂移的代理。漂移分析器确定该组TTC值的漂移。
使用测试单元闪存中的早期恶化检测

[发明专利]图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器-CN201210070782.7无效
发明人： O.赫尔威格;E.E.马里尼罗;D.K.韦勒 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明涉及图案化垂直磁记录介质和磁记录盘、以及磁记录盘驱动器。该图案化垂直磁记录盘具有Co合金记录层，该Co合金记录层被图案化成离散的数据岛，该岛布置成同心道，该磁记录盘呈现窄的翻转场分布(SFD)。该盘包括：衬底；在该衬底上的NiTa合金平坦化层；在该平坦化层上的非磁含Ru衬层；钨氧化物Co合金磁记录层；以及在该含Ru层和该Co合金磁记录层之间的超薄氧化物膜。该氧化物膜可以是选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物，且是超薄的从而其可视为不连续膜。该平坦化层和超薄氧化物膜改善了Co合金记录层的生长均质性，从而具有数据岛的图案化盘表现出显著减小的SFD。
图案垂直记录介质以及驱动器

[发明专利]图案化磁介质及其制造方法-CN201210074898.8无效
发明人：乔丹·A·凯蒂恩;斯科特·A·麦克唐纳;尼尔·L·罗伯逊 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化介质盘和形成图案化磁介质的方法。该方法包括在盘衬底上沉积材料，所述盘衬底用于数据存储装置；使用纳米压印掩模纳米压印该盘衬底上的所述材料；在所述纳米压印期间，将所述材料处理成部分固化的材料；移除所述纳米压印掩模；将所述部分固化的材料处理成基本固化的材料；以及在所述基本固化的材料上沉积磁材料。
图案介质及其制造方法

[发明专利]制造具有低电阻顶盖结构的磁读传感器的方法-CN201210017527.6无效
发明人：阪本浩二;加腾笃;米川隆生;淡河纪宏;西冈浩一;冈崎幸司 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种用于制造磁传感器的方法，该方法通过消除传感器的顶盖层中的任何氧化物形成来减小传感器的面积电阻并减小其MR比率。该方法包括形成上面形成有多层顶盖结构的传感器堆。所述多层顶盖结构可以包括第一、第二、第三和第四层。所述第二层由不易被氧化且不同于第一层的材料构成。所述传感器可以使用包括碳硬掩膜的掩膜来形成。在通过离子刻蚀形成了传感器堆之后，可以通过离子反应蚀刻去除硬掩膜。然后，执行清洗工艺，以去除顶盖层结构中的第二、第三和第四层，其中使用诸如二次离子质谱测定法的端点检测法来检测第二层的存在。
制造具有电阻顶盖结构传感器方法

[发明专利]使用电荷扰动的概率的闪存中的数据管理-CN201110436018.2无效
发明人： L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 -专利权人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：描述了使用系统对于电荷干扰操作的灵敏度以及由系统执行的电荷干扰操作的历史的闪存系统和数据管理方法。在本发明的实施方式中，对于电荷干扰操作的灵敏度以干扰强度矩阵来实施，其中所选操作具有相关联的数值，其为引起导致数据错误的电荷中的干扰的该操作的相对强度的估计。干扰强度矩阵应该还包括指示电荷增加或损失的错误的方向。干扰强度矩阵可以由进行自测试的装置确定，其中通过执行所选操作来触发所测漂移值中的变化，直到出现可检测到的变化。在可替代的实施方式中，通过测试来自同类群体的所选单元来确定干扰强度矩阵。
使用电荷扰动概率闪存中的数据管理

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