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[实用新型]光掩模坯料和光掩模组-CN201720040773.1有效
发明人：桥本昌典 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型提供能够降低半色调掩模重合误差的光掩模坯料和光掩模组。本实用新型提供一种在四边形的4个顶点具备对准图形且关联有各对准图形的坐标位置的数据信息的光掩模坯料，通过参照上述坐标位置的数据信息修正形成于所述光掩模坯料上的转印图形，能够大幅降低重合误差。另外，通过使用利用上述光掩模坯料形成转印图形的光掩模组，能够大幅降低产品制造的光刻步骤中的重合误差。
光掩模坯料模组

[发明专利]用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法-CN202280009075.9在审
发明人：柳明勋;金宰范;韩德基 -专利权人：丰元精密株式会社
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置及对准方法，更详细地，提供一种用于制造大面积显示器用精细金属掩模的多个光掩模对准装置，其特征在于，包括：对准基准部，形成有至少两个对准基准点，所述对准基准点位于与对准标记重叠的位置；以及摄像装置，安装在能够拍摄所述对准基准部与对准标记的重叠状态的位置，其中，所述对准基准点中的至少一个与形成在多个光掩模中的第一光掩模上的对准标记重叠，并且剩余的对准基准点与形成在第二光掩模上的对准标记重叠，所述第二光掩模与所述第一光掩模相邻地对准。
用于制造大面积显示器用精细金属多个光掩模对准装置方法

[发明专利]用于光掩模的清洁方法及其装置-CN202110130691.7在审
发明人：李信昌;许倍诚;郑浩平;连大成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G03F1/82 文献下载
摘要：本申请涉及用于光掩模的清洁方法及其装置。在清洁光掩模的方法中，将光掩模放置在支撑件上，使得经图案化的表面朝下，并且将粘合剂片施加到光掩模的背面表面的边缘。
用于光掩模清洁方法及其装置

[实用新型]一种用于评价阵列探测器光响应一致性的测试装置-CN201720333206.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京滨松光子技术股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G01J1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于评价阵列探测器光响应一致性的测试装置，该装置包括点光源系统，光传播空腔，光扩散板，掩模板及探测器安装支架；其中，点光源系统包括发光体、发光点结构，点状扩散型光源通过一定长度的传播空腔照射到光扩散板上，光传播空腔长度达到探测器线度的5倍以上，扩散后的光线可视作均匀面光源，再透过掩模板到达探测器窗口，掩模板用于遮挡不需要的杂散光，探测器安装支架用于安装被测探测器，保证了窗口光通量的一致性，本实用新型具有如下优点1）采用均匀性的大面积光场取代了可移动光纤，提高了测试效率；2）改变掩模板的设计，该系统还可用于测试PD阵列探测器通道间串扰性能。
一种用于评价阵列探测器响应一致性测试装置

[发明专利]测量EUV掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法-CN202110238755.5在审
发明人：朴钟主;李来源;韩学承;金成洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G01J9/00 文献下载
摘要：本公开提供了用于测量极紫外(EUV)掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法。用于测量EUV掩模的相位的装置包括：EUV光源，配置为产生并输出EUV光；至少一个反射镜，配置为反射EUV光作为入射在要测量的EUV掩模上的被反射的EUV光；掩模台，EUV掩模布置在该掩模台上；检测器，配置为接收从EUV掩模反射的EUV光，以获得二维(2D)图像，并测量EUV掩模的反射率和衍射效率；以及处理器，配置为通过使用EUV掩模的反射率和衍射效率来确定EUV掩模的相位。
测量 euv 相位装置方法制造

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210115728.3在审
发明人：蔡佳宏 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：利用光掩模进行第一光刻制作工艺而形成第一图案化光致抗蚀剂层。利用第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，对金属材料层进行图案化制作工艺，而形成包括多个金属图案的金属层。移除第一图案化光致抗蚀剂层。利用在第一光刻制作工艺中所使用的相同光掩模进行第二光刻制作工艺而形成第二图案化光致抗蚀剂层。第二图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料为第一图案化光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂材料的反型光致抗蚀剂材料。利用第二图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对第一介电层进行蚀刻制作工艺。移除第二图案化光致抗蚀剂层。对第一介电层进行平坦化制作工艺。
半导体结构制造方法

[发明专利]光掩模用基板组和光掩模组及显示装置的制造方法-CN201410219079.7有效
发明人：土屋雅誉;池边寿美 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明提供光掩模用基板组和光掩模组及显示装置的制造方法。光掩模用基板组具有第1光掩模用基板，其用于在主表面上形成待转印至被转印体的转印用图案而成为第1光掩模；以及第2光掩模用基板，其用于在主表面上形成待与所述转印用图案重叠地转印至所述被转印体的转印用图案而成为第2光掩模，其中，当设所述第1光掩模用基板的主表面上的图案区域内设定的任意的点M相对于基准面的高度为Zm，设所述第2光掩模用基板的主表面上的图案区域内的处于与所述第1光掩模用基板上的点M对应的位置处的点N
光掩模用基板组模组显示装置制造方法

[发明专利]光图案曝光方法,光掩模及光掩模坯料-CN201210599017.4有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;小板桥龙二;金子英雄;小岛洋介;原口崇;广濑智一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。
图案曝光方法光掩模坯料

[发明专利]光学元件的制造方法-CN200710136167.0无效
发明人：小谷恭子 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：作为解决手段，衍射光学元件的制造方法包括执行如下处理的工序：准备基板；对基板进行包括使用光掩模进行的曝光处理的构图，形成抗蚀剂图形，所述光掩模是用于形成抗蚀剂图形的曝光用的光掩模，其具有掩模基板、以及与该掩模基板紧密结合且以矩阵方式排列而成的多个掩模单元，该掩模单元具有光透过区域和利用设置于掩模基板上的遮光膜形成的遮光区域中的任意一方或双方，掩模单元的透过光的光强是归一化光强，且多个掩模单元的透过光的光强是不同的；以及将抗蚀剂图形用作蚀刻掩模，进行构图
光学元件制造方法

[发明专利]光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法-CN202010143020.X在审
发明人：宫崎由宽 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：提供光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法，能够在不从光掩模卸下保护膜的情况下对转印用图案的缺陷进行修正。一种光掩模的修正方法，对光掩模的转印用图案中所产生的缺陷进行修正，该光掩模在透明基板的主表面上具有所述转印用图案，其中，该光掩模的修正方法具有成膜工序，在该成膜工序中，在所述光掩模上粘贴有保护膜的状态下，将原料气体导入到由所述光掩模和所述保护膜形成的保护膜空间中，并且透过所述保护膜具有的保护膜膜体朝缺陷部位照射激光，使所述原料气体发生反应，由此使修正膜堆积在所述缺陷部位。
光掩模修正方法装置保护膜制造显示装置

[发明专利]光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置-CN201910910496.9在审
发明人：山口昇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置，能够不需要时间和工时对光掩模的缺陷修正，由此提高光掩模制造的生产效率和品质。该光掩模基板的修正方法具有：准备光掩模基板(10)的工序，该光掩模基板(10)在透明基板(100)的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜(200)；和针对在光学膜(200)中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序修正工序中，将原料气体供给至光掩模基板(10)的形成有光学膜(200)的第1主表面中的缺失缺陷的位置附近，同时从光掩模基板(10)的第2主表面侧照射激光，利用透过了缺失缺陷的激光使原料气体发生反应，使修正膜堆积在第
光掩模基板修正方法制造处理光掩模以及装置

[发明专利]一种基于光定向沉积技术制备连续梯度材料的方法-CN202010163390.X有效
发明人：林枞;李德俊;朱瀚祺;吴啸;林腾飞 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C25D15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光定向沉积技术制备连续梯度材料的方法，其是将氧化镍悬浮液通过输液管逐滴滴入氧化锆悬浮液，然后将所得混合悬浮液经蠕动泵抽入光定向沉积池，并在光定向沉积池上施加所需图案的掩模和一定外加电压，使经光照沉积出Zr和Ni元素呈连续梯度分布的特定形状的陶瓷坯体。
一种基于定向沉积技术制备连续梯度材料方法

[发明专利]光掩模盒及于一光掩模盒内固持一光掩模的方法-CN202110124823.5在审
发明人：邱铭乾;庄家和;温星闵;李怡萱;薛新民 -专利权人：家登精密工业股份有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明提出一种光掩模盒及于一光掩模盒内固持一光掩模的方法，具有一盒盖及提供于该盒盖的一或多个销组件，该销组件包含：一可动部，配置成能相对于该盒盖的一顶部垂直地移动；及一弹性部，配置成使该可动部介于该弹性部和该盒盖的顶部之间当该光掩模盒未容置一光掩模时，该盒盖的顶部决定该可动部位于一第一水平，且当该光掩模盒容置该光掩模时，该弹性部配合该可动部使该可动部固持该光掩模而位于一第二水平，该第二水平高于该第一水平。
光掩模盒一光掩模盒内固持一光掩模方法

[发明专利]去除光掩模中的硫酸根的方法-CN200910213436.8有效
发明人：金海涛;李德建;徐飞 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除光掩模中的硫酸根的方法，在10-30℃温度下，用波长在100纳米-250纳米的紫外光在惰性气体氛围中照射光掩模，紫外光照射时间控制为1-120min，光掩模表层的硫酸根离子吸收紫外光波能量，造成硫酸根离子中的氧硫键断裂并转换气态的氧气和二氧化硫，而脱离光掩模表面。本发明通过简单工艺，能降低制造成本，并能更多地去除残留在光掩模表层的硫酸根离子，光掩模上的硫酸根离子残留量低于0.5ppb，从而使得光掩模在其生命周期内不产生雾状缺陷问题，提高光掩模制作水平。
去除光掩模中的硫酸方法

[发明专利]一种光掩模在清洗过程中的传输方法-CN201010300502.8有效
发明人：徐飞;金海涛;吉保国 -专利权人：常州瑞择微电子科技有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩模在清洗过程中的传输方法，首先将光掩模放置于卡盘上，然后机械手抓住卡盘，并将其移动至翻转装置上，翻转装置将卡盘上的光掩模翻转，然后机械手再次抓住卡盘，并将其依次移动至各个不同的工艺腔内进行清洗，清洗完成后机械手抓住卡盘底部的把手，并将其送回翻转装置上，翻转装置再次将卡盘上的光掩模翻转，最后机械手抓住卡盘，并将其送回初始位置。本发明为光掩模提供了一个随行的卡盘，在移动光掩模的过程中，机械手只接触卡盘而并不与光掩模直接接触，这种方法解决了现有技术中机械手容易污染、损坏光掩模的缺点。
一种光掩模清洗过程中的传输方法