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[发明专利]光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法-CN201711481186.7有效
发明人：庄宇鹏;刘伟;任思雨;谢志生;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法，包括如下步骤：在基板上形成负性光刻胶层；采用掩膜板在第一预设光积量下对负性光刻胶层的第一次曝光位置进行第一次曝光；采用掩膜板在第二预设光积量下对负性光刻胶层的第二次曝光位置进行第二次曝光，其中，第二次曝光位置与第一次曝光位置具有部分重叠的重合区域；将第二次曝光后的负性光刻胶层进行烘烤操作；将烘烤操作后的负性光刻胶层进行显影操作，以使负性光刻胶层在基板上形成光刻胶倒梯形结构的隔离柱。上述光刻胶倒梯形结构的隔离柱的形成方法形成的隔离柱，倾斜坡度较大，从而能够较好地将蒸镀材料隔开，使得蒸镀材料蒸镀时不容易发生交连，能够使得隔离柱满足隔离蒸镀材料的要求。
光刻梯形结构隔离形成方法

[发明专利]光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机-CN201910818849.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机。该方法包括：获取闲置时间，所述闲置时间指当前批次曝光工艺开始前光刻机的非曝光时间；光刻机进行当前批次第一片晶圆曝光前通过闲置时间与套刻补偿值的关系模型及闲置时间获取第一片晶圆对应的套刻补偿值，所述光刻机根据所述对应的套刻补偿值对第一片晶圆进行曝光，消除了当前批次曝光工艺开始前光刻机的闲置时间对当前批次第一片晶圆的套刻精度的影响，消除了同批次产品进行曝光工艺时的第一片效应。
光刻误差校正方法系统

[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻涂布装置的匹配方法-CN201110386758.X有效
发明人：王剑;毛智彪;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻涂布装置的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻涂布装置曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻涂布装置和第二光刻涂布装置的相应的基准曝光参数。本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻涂布装置产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
同一光刻工艺不同装置匹配方法

[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法-CN201110386793.1有效
发明人：王剑;毛智彪;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
同一光刻工艺不同匹配方法

[发明专利]一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法-CN201610103749.8在审
发明人：张伟;孙智江 -专利权人：海迪科(南通)光电科技有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米软膜光刻制备微纳PSS的方法，步骤为：均胶：首先，取一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底基层上均匀涂上一层光刻胶；曝光：然后，将蓝宝石衬底移至软膜的下方，将软膜与蓝宝石衬底微接触，并进行曝光处理；显影：曝光后的蓝宝石衬底从软膜下方移开，去掉被曝光的光刻胶，留下未曝光部分，实现图形转移；刻蚀：对光刻胶未曝光部分进行ICP刻蚀处理，从而制备出微纳PSS。本发明的优点在于：利用本发明进行制备时，软膜只需与光刻胶轻微接触，有效的减少了光刻胶对软膜的污染，相应的也提高了软膜的使用寿命，无需使用步进式曝光，整个晶片一次成型，适用于大尺寸PSS的制备，效率更高。
一种纳米光刻制备 pss 方法

[发明专利]一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法-CN202111616388.4有效
发明人：刘志祥;徐富超;贾辛;谢强 -专利权人：中国科学院光电技术研究所;成都同力精密光电仪器制造有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作曲面浮雕轮廓器件的掩模版图案优化设计方法，根据曝光光强分布与光刻胶不同成分的吸收系数、光敏系数等参数的关系，建立光刻胶的光敏混合物(PAC)浓度分布对曝光光强的响应模型；根据光刻胶完全曝光的显影速率、光刻胶未曝光的显影速率、光敏物质相对浓度的阈值、显影选择常数等参数建立光刻胶显影模型；通过分层计算光刻胶各点PAC浓度分布和显影速率分布，再结合采用微小单元格去除法，建立起从曝光量到实际显影图形轮廓的仿真流程；根据掩模移动曝光原理建立二元掩模开口函数与曝光量的关系；再通过迭代优化算法，优化设计得到曲面浮雕轮廓器件制作所需的掩模版图案。
一种制作曲面浮雕轮廓器件模版图案优化设计方法

[发明专利]一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法-CN201610064552.8在审
发明人：刘仿;黄翊东;叶宇;张伟骏;冯雪;崔开宇;张巍 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米光刻装置及制备超衍射极限图形的方法，其中装置包括基底、位于基底之上的下层模板、位于下层模板之上的光刻胶、位于光刻胶之上的上层模板、位于上层模板之上的透光基板和曝光光源；上层模板具有光刻图形，上、下层模板组成光刻掩膜版，其材质均为金属或合金材质，在光刻时上、下层模板形成局域表面等离子体激元结构。本发明利用双层金属/合金光刻掩膜版，能在光刻时形成局域表面等离子体激元模式，制备线宽比光刻掩膜版上的光刻图形更小的超衍射极限复杂光刻图形，同时可以通过改变光刻掩膜版以及周围介质材料、光刻胶的厚度、曝光源波长、控制曝光功率、曝光时间等条件，对超衍射图形的线宽、深宽比进行调控。
一种纳米光刻装置制备衍射极限图形方法

[发明专利]一种新型的对准曝光系统-CN202211148531.6在审
发明人：徐广峰;徐彦文;陈海魏;王方江;钱聪 -专利权人：无锡影速半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的对准曝光系统，属于曝光设备技术领域。本发明将对准组件和曝光组件设置于同一横梁上，在进行光刻时，对准组件和曝光组件固定不动，且曝光组件的成像中心和对准组件的视野中心在同一水平直线上，使对准区域和曝光区域重合，减少了现有光刻机运动平台从对准区域运动到曝光区域时，因导轨直线度问题而导致误差大的问题，进一步提高了精度；本发明还可以通过光路设计将曝光组件的成像中心和对准组件的视野中心重合，因此可以在同一横梁上安装更多的对准组件和曝光组件，从而增加光斑数量，减少曝光的扫描次数，提高产能，可以有效地缩小设备的体积，提升空间利用率。
一种新型对准曝光系统

[发明专利]光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构-CN202111515560.7在审
发明人：曹堪宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构，光刻胶图案的形成方法包括，在目标层上形成光刻胶结构，光刻胶结构包括设置在目标层上的光刻胶层、以及设置在光刻胶层上的光波传输层；在第一介质中对光刻胶结构进行曝光处理，在光刻胶层形成曝光图像，光波传输层用于提升光刻胶层的光刻分辨率。在本公开中的光刻胶图案的形成方法，通过光波传输层提高曝光图像的分辨率，提高光刻胶图案的精度。
光刻图案形成方法胶结

[发明专利]纳米尺度的微细图形加工方法-CN201510061917.7在审
发明人：王冠亚;张凯;谢常青;李新涛;李友;张卫红;张建宏;邵鑫;路程;牛洁斌;张培文;刘明;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种纳米尺度的微细图形加工方法，包括步骤：将需要曝光的图形分为1微米以上图形和1微米以下图形两个部分；在衬底的材料层上形成第一光刻胶；使用激光直写图形发生器，将1微米以上图形曝光至第一光刻胶，显影形成第一光刻胶图形；以第一光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以上的线条；在衬底的材料层上形成第二光刻胶；使用电子束曝光机，将1微米以下图形曝光至第二光刻胶，显影成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成依照本发明的纳米尺度的微细图形加工方法，针对1微米以上图形和1微米以下图形分别执行激光直写曝光和电子束曝光，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形。
纳米尺度微细图形加工方法

[发明专利]外延后光刻对准零层标记的方法-CN200910057946.0有效
发明人：阚欢;吴鹏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延后光刻对准零层标记的方法，包括如下步骤：第1步，对硅片进行零层光刻，仅在硅片的第一组曝光单元进行曝光，然后刻蚀形成第一组零层标记；第2步，对硅衬底进行离子注入；第3步，再对硅片进行零层光刻，仅在硅片的第二组曝光单元进行曝光，然后刻蚀形成第二组零层标记；所述第一组曝光单元与第二组曝光单元完全不重合；第4步，清洗硅片，对硅片进行外延生长；第5步，对外延层进行光刻，该步光刻对准第二组零层标记。本发明采用两次零层光刻和刻蚀形成两组零层标记，分别用于外延前和外延后的对准。这样既保证了外延前光刻对准的需要，又提供了一组全新的零层标记供外延后光刻使用。
外延光刻对准标记方法

[发明专利]深紫外光刻制作“T”型栅的方法-CN200810054737.6有效
发明人：杨中月 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，该方法依次为：清洗衬底并进行干燥；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形；采用化学缩细溶液，对曝光开出的光刻胶窗口图形进行缩细处理；涂敷电子束抗蚀剂；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影；采用深紫外光对电子束抗蚀剂进行曝光，并显影，形成栅帽的光刻胶窗口图形；采用金属蒸发的方法淀积栅电极的金属；剥离金属、去胶，完成“T”型栅的制作；该方法使“T”型栅的栅根可以突破光刻版最细线条制作的限制，节省光刻版的制作费用，同时可以使化合物半导体器件的深亚微米加工实现规模化。
深紫光刻制作方法

[发明专利]一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法-CN202010264995.8有效
发明人：王科 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图案化方法及光刻胶剥离方法，在对光刻胶层进行曝光形成曝光区和非曝光区之后，对曝光区的顶部进行处理，形成预阻挡层，或者结合负显影技术去除非曝光区，形成第一图案结构，之后对第一图案结构进行等离子体处理，使得预阻挡层发生反应形成阻挡层，并且使得阻挡层下方的光刻胶层被刻蚀，形成上宽下窄的第二图案结构。阻挡层的有利于保持第二图案结构的顶部尺寸，以及光刻胶层的钻刻，利于形成上宽下窄的第二图案结构。在衬底上形成上宽下窄的图案结构后沉积金属层，去除光刻胶实现光刻胶剥离。该过程可以采用例如正显影技术去除曝光后的光刻胶。整个过程采用的试剂不会对图案金属层以及衬底造成损伤，提高了成品率。
一种光刻图案方法剥离

[发明专利]光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法-CN201210063976.4有效
发明人： W·T·特尔;H·范德拉恩;C·M·奥文;T·J·戴维斯;T·D·希阿;T·A·帕克斯顿 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻装置可以以基底曝光结构的形式工作，以将辐射图案曝光到基底上，以及以辐射束检查结构的形式工作，其中如果该光刻装置处于基底曝光结构时由辐射束检查装置检查将要被曝光到基底上的辐射图案。在辐射束检查结构中，修正光刻装置的操作，使得将要曝光到基底上的辐射图案与将要曝光到基底的所需辐射图案之间的差异最小。
光刻装置补偿中间模版引入 cdu 器件制造方法

[发明专利]光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法-CN200610064737.5有效
发明人： W·T·特尔;H·范德拉恩;C·M·奥文;T·J·戴维斯;T·D·希阿;T·A·帕克斯顿 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻装置可以以基底曝光结构的形式工作，以将辐射图案曝光到基底上，以及以辐射束检查结构的形式工作，其中如果该光刻装置处于基底曝光结构时由辐射束检查装置检查将要被曝光到基底上的辐射图案。在辐射束检查结构中，修正光刻装置的操作，使得将要曝光到基底上的辐射图案与将要曝光到基底的所需辐射图案之间的差异最小。
光刻装置补偿中间模版引入 cdu 器件制造方法