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[实用新型]一种光刻设备-CN202020503405.8有效
发明人：吕帅;徐顺达;王冠楠;朱鹏飞;浦东林 -专利权人：苏州苏大维格科技集团股份有限公司;苏州大学
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻设备，包括激光输出装置、光路选择装置、检测模块和光刻模块，所述激光输出装置发射激光至所述光路选择装置，所述光路选择装置选择将激光反射至所述光刻模块或所述检测模块。本实用新型还公开了一种光刻设备，利用上述光刻设备进行光刻。通过所述光路选择装置选择将激光反射至所述光刻模块或所述检测模块，以使光刻设备能实时检测曝光能量，保证了光刻效果，提高了光刻效率，提升了产品的良品率。
一种光刻设备

[发明专利]波导曝光方法、脊波导及激光器-CN202011599604.4在审
发明人：张志鹏 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开一种波导曝光方法、脊波导及激光器，其中，波导曝光方法应用于具有波导结构的衬底，衬底上形成有覆盖波导结构的光刻胶层，波导曝光方法包括：通过同一光刻窗口先后对第一范围内的光刻胶层和第二范围内的光刻胶层进行曝光，以去除波导结构上方的光刻胶；其中，第一范围和第二范围大小相同且部分重叠，波导结构处于第一范围和第二范围的重叠区域内。由于波导结构处于第一范围和第二范围的重叠区域内，并且采用两次曝光，因此在去除波导结构上方的光刻胶的同时，可以降低波导结构侧面的光刻胶的消耗，使得波导结构侧面的光刻胶留有足够的余量，从而可以降低后续氧化硅刻蚀工艺的技术难度
波导曝光方法激光器

[发明专利]一种通过多次曝光保证Wafer ID可识别的曝光方法-CN201910456237.3有效
发明人：方梁洪;李春阳;任超;罗立辉;彭祎;刘明明 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过多次曝光保证Wafer ID可识别的曝光方法，包括：确定Wafer ID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述Wafer ID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖本发明通过多次平移曝光能够保证晶圆识别码区域被光刻胶完全覆盖，从而保证晶圆识别码的正确识别，避免后续制程由于wafer位置放错导致的一系列重大问题。
一种通过多次曝光保证 wafer id 识别方法

[发明专利]一种阵列基板制造方法和刻蚀设备-CN201110185294.6无效
发明人：徐超;赵晶 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板制造方法以及刻蚀设备，该阵列基板制造方法包括在基板上镀上薄膜层；透过镂空的掩模板对薄膜层直接进行刻蚀。掩模板集成于刻蚀设备的刻蚀腔内。通过采用这种方法，将现有阵列基板制造工艺的光刻胶涂附、曝光、显影、光刻胶剥离等步骤省去，简化了阵列基板制造工艺，缩短了工艺时间，大大提升了产能，同时避免了由于光刻胶涂附、曝光、显影、光刻胶剥离等这些工艺步骤产生的缺陷
一种阵列制造方法刻蚀设备

[发明专利]一种半导体曝光装置-CN202310859211.X在审
发明人：路建梅 -专利权人：路建梅
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体曝光装置。本发明克服了在对半导体第二次曝光移动时易产生位置偏移，导致两次套刻对准不一致，进而影响晶圆的光刻精度的缺点，提供一种能够确保半导体二次曝光时位置固定的半导体曝光装置。一种半导体曝光装置，包括有操作台、支架、光刻机、曝光镜头和操作面板等，支架固接在操作台上，光刻机安装在支架上，光刻机底部安装有曝光镜头，支架上安装有用于控制光刻机的操作面板。本发明中设置有放置板用于放置半导体，再通过拉动拉杆，使得放置板在滑轨上移动，实现对半导体的移动，将其平稳地移动至曝光镜头下方。
一种半导体曝光装置

[发明专利]一种在光子晶体中引入缺陷的方法-CN201210149602.4有效
发明人：宋李烟;王自鑫;谢向生;周建英 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G02B6/138 文献下载
摘要：本发明涉及一种在光子晶体中引入缺陷的方法，包括：1、取折射率和光刻胶相近且不相等的均匀液体滴在阶梯型薄膜的膜层阶梯处，阶梯型薄膜在和光刻胶相接的空气隙里均匀展开并吸附在一起，组成阶梯膜曝光系统；2、将阶梯膜曝光系统调节到全息光刻光路的焦平面处；3、利用CCD对相干光强模式进行实时监控；4、重复步骤2和3，直到CCD中观察到光强分布达到对比度最大，表明此时二维干涉模式质量最好；打开全息光刻光路激光进行曝光，根据光刻胶曝光剂量和曝光深度的相关数据，反推相干光强，结合相干区域光斑面积大小，最终确定曝光时间；5、曝光完成后，对阶梯型薄膜显影，除去因曝光剂量不足而未固化部分，得到缺陷结构。
一种光子晶体引入缺陷方法

[实用新型]掩模板热效应补偿的补偿装置-CN201821254256.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种掩模板热效应补偿的补偿装置，涉及半导体集成电路技术领域，该补偿装置包含一光刻曝光机，用于对同一批次的多片晶圆进行曝光，其特征在于，所述光刻曝光机内设置光掩模板，所述光掩模板包含透光基板及形成于所述透光基板表面的掩模图案层，所述光刻曝光机还包括补偿值处理单元、确认单元、扫描仪和叠对测量单元；通过在曝光机上设置补偿值处理单元，用于收集光刻曝光过程中热量数据以及叠对测量单元测到的图案偏移数据，计算出需要修正的温度补偿值，以避免光刻曝光机上光掩模板太热造成晶圆曝光图案叠对偏移过多的现象
掩模板光刻曝光补偿装置热效应补偿测量单元处理单元晶圆半导体集成电路光刻曝光过程透光基板表面本实用新型掩模图案层叠对偏移晶圆产品曝光图案确认单元热量数据透光基板图案偏移温度补偿曝光扫描仪多片良率修正

[发明专利]一种基于厚胶光刻的图案化纤维阵列的制备方法-CN202310312450.3在审
发明人：孙广开;肖朋;祝连庆;何彦霖;周康鹏;祝航威 -专利权人：北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于厚胶光刻的图案化纤维阵列的制备方法，包括S1、基底清洗；S2、第一次匀胶，在所述基底上均匀铺设第一层光刻胶；S3、第一次曝光，对所述第一层光刻胶进行曝光形成曝光后的第一层曝光胶；S4、第二次匀胶，在所述第一层曝光胶上均匀铺设第二层光刻胶；S5、第二次曝光，在第二层光刻胶上设置掩膜板，对第二层光刻胶进行光爆，在所述基底上形成间隔排布的第二层光刻胶和曝光后的第二层曝光胶；S6、显影，去除第二层光刻胶形成图案化纤维阵列
一种基于光刻图案化纤阵列制备方法

[发明专利]一种黑色矩阵的制备方法-CN202110699887.8在审
发明人：刘召军;林永红;蒋府龙;刘亚莹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在基底上依次涂覆黑色聚合物和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，并将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再将步骤(2)所得样品表面镀抗刻蚀的金属层；(4)然后将非曝光区的光刻胶和金属层剥离；(5)最后刻蚀非曝光区的黑色聚合物，得到所述黑色矩阵。
一种黑色矩阵制备方法

[发明专利]一种光刻机及方法-CN201610670785.2有效
发明人：李宏强;魏泽勇;曾威;武超;林彦霆;黄宇宇 -专利权人：东莞同济大学研究院;东莞科伏精密制造有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻机，具体涉及一种曝光装置可旋转的光刻机。包括工作平台、PLC控制系统、曝光装置。组装时，X轴滑动平台与Z轴滑动平台通过滑动槽连接，X轴滑动平台和Z轴滑动平台分别与电机连接，实现平移，曝光装置设置在X轴靠后位置，曝光装置与电机连接，实现调节曝光装置与X轴的夹角，托盘与电机连接，曲面产品放置在托盘上通过曝光装置照射的光线的垂直入射，提高光刻的均匀性，实现光刻的高精度。
一种光刻方法

[发明专利]光刻胶及其制备方法-CN201711467218.8有效
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻胶及其制备方法，光刻胶包括：包括至少一种树脂、光引发剂、溶剂以及至少一种散射粒子，散射粒子用于对照射入光刻胶中的紫外光进行散射。通过上述方式，本申请能够提高光刻胶在曝光过程中获取的曝光能量，从而降低光刻胶所需要的曝光时间。
光刻及其制备方法

[发明专利]光刻掩膜优化设计方法及系统-CN201711085050.4有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻掩膜优化设计方法及系统，光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：1）依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化；2）依据优化结果设定曝光参数；3）依据器件的关键尺寸对曝光参数进行修正；4）依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；5）对光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，6）对光学邻近校正后的光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。本发明的光刻掩膜优化设计方法通过采用光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化设定曝光参数，可以实现光刻掩膜的自动化设置，整个设计过程比较简单、灵活，精确度较高。
光刻优化设计方法系统

[发明专利]用于降低图案中的最小间距的方法-CN200780013921.X无效
发明人： R·申克尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-05-16 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：通过掩模使衬底上的光刻胶暴露于辐射下。所述掩模具有分隔一定距离的特征。生成具有第一辐射曝光度、第二辐射曝光度和第三辐射曝光度的光刻胶部分。采用第一化学试剂将具有第一辐射曝光度的光刻胶部分从衬底上选择性地去除。采用第二化学试剂将具有第二辐射曝光度的光刻胶部分从衬底上选择性地去除。保留具有第三辐射曝光度的光刻胶部分，从而在衬底上形成图案。
用于降低图案中的最小间距方法

[发明专利]形成半导体器件图案的方法-CN200810132035.5无效
发明人：郑宇荣;沈贵潢 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在本发明的一个方面，在半导体衬底上形成光刻胶层。通过实施曝光工艺，对光刻胶层照射对应于光的最大强度和最小强度的中间值的光，从而在光刻胶层中形成曝光区域。通过移除曝光区域形成光刻胶图案。
形成半导体器件图案方法

[发明专利]使用兼容浸渍媒质浸渍光刻方法-CN200480035404.9无效
发明人： C·F·莱昂斯;C·P·巴布科克;J·启 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-10-26 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种使用具有发出曝光图案(24)的透镜(32)的光刻系统(10)制造装置的方法。兼容浸渍媒质(26)可位在光敏抗蚀(光刻胶)层(34)与透镜之间。光刻胶层(其可设置在晶片上)与透镜可与兼容浸渍媒质密切接触。然后以曝光图案穿透兼容浸渍媒质而使光刻胶层曝光。
使用兼容浸渍媒质光刻方法