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[发明专利]微透镜阵列的制作方法-CN201910905641.4有效
发明人：郑国兴;梁聪玲;李子乐;付娆;邓联贵;李仲阳 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微透镜阵列的制作方法，包括：设计并制备超表面掩模；提供透明基底，在基底上涂覆光刻胶，烘干固膜；将超表面掩模紧贴光刻胶面，采用紫外波段下的线偏振光入射超表面掩模，在超表面掩模下方对应的光刻胶区域上进行曝光；移动超表面掩模，在光刻胶的其他区域上进行曝光，直至在光刻胶所需区域上都完成曝光；之后对涂有光刻胶的基底进行显影，显影后在曝光过的光刻胶上形成微透镜阵列结构；以光刻胶上的微透镜阵列结构为模板对基底进行离子束刻蚀，将所述光刻胶上的微透镜阵列结构转印到所述基底上。本发明利用超表面代替传统掩模版，提高了曝光的分辨率，可以直接实现曝光剂量的连续精确调节，降低了成本，提高了加工精度。
透镜阵列制作方法

[发明专利]曝光机聚焦点的检测方法-CN201910908695.6有效
发明人：杨要华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝光机聚焦点的检测方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂布光刻胶；通过包含辅助图形和掩模图形的掩模板，使用曝光机对光刻胶进行曝光后，对光刻胶进行显影，形成目标图形；对目标图形进行测量，确定曝光机的聚焦点位置本申请通过在半导体器件的制造过程中，在形成半导体器件的目标图形的光刻步骤中，通过包含辅助图形的掩模板进行光刻，通过对目标图形进行测量，确定光刻步骤中曝光机的聚焦点位置，由于不需要通过复杂的FEM分析的方式对聚焦点位置进行确定，耗时较短，且实现了对曝光机聚焦点的实时监控。
曝光聚焦检测方法

[发明专利]薄膜工件的切割方法-CN200410026777.1无效
发明人：张庆州 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-04-02 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种薄膜工件的切割方法，包括以下步骤：在镀膜基片表面涂敷光刻胶；烘烤涂敷光刻胶后的镀膜基片以提高光刻胶的灵敏度；用带有多个切割道的光罩罩于镀膜基片表面；对露出光罩的光刻胶曝光，则镀膜基片表面形成一具有切割道的曝光区；将曝光后的基片放入显影液中进行显影，将曝光区的光刻胶溶于显影液，则曝光区露出镀膜基片；对曝光区的镀膜基片进行蚀刻，将镀膜除去，露出底材；除去薄膜表面的光刻胶，利用切割刀具沿露出底材的切割道对基片进行切割
薄膜工件切割方法

[发明专利]一种可提高工艺套准精度的曝光方法-CN201210343659.8无效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种可提高工艺套准精度的曝光方法，包括以下顺序步骤：首先使用第一曝光图形对硅片光刻曝光，再用第二曝光图形对硅片光刻曝光，使得硅片表面形成相间隔分布的图案单元，所述第一曝光图案和第二曝光图案制在同一掩模板上本发明提供的方法能解决步进式重复曝光光刻机镜头不均匀受热问题，从而减少镜头热学形变，提高了工艺套准精度。
一种提高工艺精度曝光方法

[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法-CN201910400738.X在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，包括步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件。步骤二、采集原始版图数据。步骤三、采用光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变曝光后烘烤的温度并得到和对应的光刻图形，根据光刻图形对原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各OPC修正结果进行比较选取最佳的OPC修正结果，以最佳的OPC修正结果对应的曝光后烘烤的温度为理论最佳温度并进而确定最佳温度。本发明能实现光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取，在选取的最佳温度下能使整个版图范围内的光刻工艺效果达到最佳。
光刻工艺烘烤曝光光刻图形原始版图光刻工艺条件采集

[发明专利]一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法-CN201410557993.2有效
发明人：孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维高密度电阻转变存储器的制备方法，包括：衬底预备；在衬底上涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极；在形成惰性电极的衬底上旋涂电子束光刻胶HSQ并电子束曝光；涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成活性电极图形；在形成活性电极图形的衬底上电子束蒸发活性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成活性电极；在形成活性电极的衬底上旋涂电子束光刻胶HSQ并电子束曝光；涂敷光刻胶，对光刻胶进行光刻、曝光和显影形成电极图形；在形成电极图形的衬底上电子束蒸发惰性电极；剥离光刻胶及其上的金属，形成惰性电极。
一种三维高密度电阻转变存储器制备方法

[发明专利]一种过孔的制作方法及显示基板的制作方法-CN201610757034.4有效
发明人：苏同上;王东方;杜生平;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述过孔的制作方法包括：在待制作过孔的薄膜上形成光刻胶；对光刻胶进行n次曝光，形成曝光区，曝光区与过孔对应，其中，各次对光刻胶进行曝光，光刻胶的曝光厚度之和等于光刻胶的初始厚度，且第i次曝光时采用的光的波长小于第i‑1次曝光时采用的光的波长，n≥2，2≤i≤n；对薄膜中与曝光区对应的区域进行刻蚀，形成过孔。
一种制作方法显示

[实用新型]一种可以缩短曝光时间的激光直写光刻设备-CN202123417358.9有效
发明人：杨彬 -专利权人：珠海驰铭精密电路有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可以缩短曝光时间的激光直写光刻设备，涉及激光直写光刻设备技术领域，包括底座、底板、支架、曝光机构、放置槽、伸缩杆、推块、转轴、第二丝杆、第一齿轮、安装块和触点等。本实用新型通过曝光机构和第一丝杆配合，当其中一个工作台上的曝光基板进行曝光工作的同时，可对于另一个工作台上的曝光基板进行更换工作，使得曝光工作和更换工作同步进行并且可以循环工作，缩短了曝光时间，保证了装置的工作效率，曝光机构和其中一个触点进行接触，使得双向电机停止运动，从而对于曝光机构的位置进行固定，工作台的位置随之固定，从而自动完成曝光机构和工作台的定位工作，保证了装置工作时的稳定性。
一种可以缩短曝光时间激光光刻设备

[发明专利]提高晶片产品套准精度的方法-CN201510729330.9在审
发明人：冯耀斌 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高晶片产品套准精度的方法，通过对光刻机的套准精度的检测，获取光刻机的曝光参数漂移量，并利用APC系统根据光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数和光刻机的曝光参数漂移量设定光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数同时该方法可以实现光刻机间系统面上的匹配，方便产品在不同光刻机间的拓展，进而达到产品良率提升、降低返工和缩短生产周期的效果。
提高晶片产品精度方法

[发明专利]具有台阶的衬底的光刻方法-CN201110240764.4有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-08-22 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有台阶的衬底的光刻方法，其包括如下步骤：步骤一，在衬底表面涂光刻胶，将曝光机的焦点设置在台阶底部位置，而后采用光刻掩膜版进行曝光；步骤二，在步骤一中的光刻胶上再涂一光刻胶层，之后将所述曝光机的焦点设置在所述光刻胶层表面，进行全面曝光；步骤三，对所述衬底进行加热处理，使形成的光酸扩散均匀，所述加热处理的温度小于所述光刻胶分解的温度；步骤四，对衬底进行显影，形成最终图形。采用本发明的光刻方法，使最终光刻胶形貌更接近于设计需求。
具有台阶衬底光刻方法

[发明专利]一种提高光刻胶曝光精度的方法-CN201110344422.7无效
发明人：毛旭;杨晋玲;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法，该光刻胶对紫外光具有高透射性，该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收，减小了透射紫外光的影响，大幅提高了曝光精度，能够有效避免经光刻机晶片托盘反射的紫外光对光刻胶进行二次曝光，从而提高光刻精度，可以应用于任意透明衬底上对任意高透射性光刻胶的高精度曝光
一种提高光刻曝光精度方法

[发明专利]用于制备衬底的方法和光刻设备-CN202180026312.8在审
发明人： D·D·范德伍尔特;N·坦凯特 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备衬底以供光刻制造方法的曝光过程使用的方法，所述方法包括：施加跨越整个所述衬底的不同的局部温度以便在所述曝光过程之前引起跨越整个所述衬底的不同的热膨胀。此方法用于补偿当所述衬底被定位在光刻设备的衬底台上时所引起的所述衬底的变形。本发明还涉及使用此方法的局部温度施加器以及包括这样的局部温度施加器的光刻设备。
用于制备衬底方法光刻设备

[发明专利]一种正性光刻胶组合物-CN202211201671.5在审
发明人：吴世泰;韩冬 -专利权人：天津汉匠科技发展有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种正性光刻胶组合物，该组合物是按质量比为10‑30：100的比例，由固体成分和有机溶剂组成，所述固体成分由重量百分含量为65％‑80％的成膜树脂、19％‑30％的光敏剂和0.001％‑5％本发明的正性光刻胶组合物，应用于现有的曝光设备以及光刻工序(涂胶，曝光和显影)，可以避免在光刻工艺中产生镜头缺陷。
一种光刻组合

[发明专利]光刻胶的硅化方法及形成光刻胶掩模图形的方法-CN200710094552.3无效
发明人：崔彰日;李冬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：一种光刻胶的硅化方法，包括：提供表面涂敷光刻胶并经过曝光处理的半导体衬底；将曝光后的涂敷有光刻胶的半导体衬底置于反应室中；提供包括硅基有机物的反应物质：使反应物质流过半导体衬底表面的光刻胶。本发明还提供了一种形成光刻胶掩模图形的方法。本发明所提供的技术方案的优点在于，由于采用硅化工艺对光刻胶掩模作处理，提高了光刻胶的强度，因此可以降低光刻胶的厚度，节约材料成本；因为光刻胶厚度降低，曝光所需的能量相应降低，所以可缩短曝光时间，提高光刻效率
光刻方法形成胶掩模图形

[发明专利]双重曝光方法-CN201010619489.2无效
发明人：胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：根据本发明的双重曝光方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料；在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料；以及在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。根据本发明的双重曝光方法通过引入阻挡层材料，以降低现有的双重曝光技术中光刻胶在两次曝光之间的记忆，从而减少第二次曝光对第一次曝光光刻胶材料的影响；并且，根据本发明的双重曝光方法减少了双重图形技术的刻蚀等工艺步骤
双重曝光方法