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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种改善晶片边缘缺陷的方法-CN201610703068.5在审
发明人：孟鸿林;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶片边缘缺陷的方法，包括提供晶片并在所述晶片上涂覆负性的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行第一次晶片边缘曝光工艺以在晶片上形成仅覆盖晶片边缘第一宽度的环形的第一光刻胶层；在晶片及环形的第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光宽度为第二宽度的第二次晶片边缘曝光工艺。本发明能够解决晶片边缘曝光工艺后光刻胶的光刻胶形貌在过渡性斜坡位置厚度均匀性不一导致刻蚀缺陷的问题。
一种改善晶片边缘缺陷方法

[发明专利]光刻机扫描曝光方法-CN200910046823.7有效
发明人：张俊 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻机扫描曝光方法，其在光刻机的硅平面上设置相互正交的两个方向，并将所述硅平面分为若干曝光场区域，所述光刻机上设置有可变狭缝，所述可变狭缝在所述的两个方向上分别设置有刀口，先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光，当对曝光场区域其中一个方向扫描曝光时，所述可变狭缝在该方向的刀口从闭合状态开始逐渐打开至最大，再逐渐缩小至闭合状态。本发明通过先对曝光场区域其中一个方向扫描曝光，再对同一曝光场区域另一个方向扫描曝光。改善了曝光场区域Y方向的剂量均匀性，又能改善X方向的剂量均匀性，从而改善曝光剂量的系统性能，提高光刻线宽的均匀性。
光刻扫描曝光方法

[发明专利]超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置-CN202210453660.X在审
发明人：黄执祥;王栋;侯广杰 -专利权人：深圳市龙图光电有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其中，超结MOS器件OPC掩模版制作方法包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形；获得光刻机可识别的主图曝光数据，获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影
mos 器件 opc 模版制作方法装置

[发明专利]降低易碎基片接触曝光碎片率的方法-CN02120101.3无效
发明人：张海英 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种降低易碎基片接触曝光碎片率的方法，包括如下步骤：1)取所需要的光刻版，清洗光刻版，并吹干待用；2)制作衬垫层，衬垫层平整地铺在真空吸头上；3)将光刻版装在版架上；4)将已涂好胶、待曝光的基片放置在衬垫层上，在显微镜下进行初步定位后，开真空开关，吸片；5)调整待曝光的基片与光刻版的相对位置，进行精对准；6)提高待曝光的基片的高度，使之与光刻版刚好压紧；7)按照需要的剂量进行曝光；8)降低基片高度，关闭吸气真空开关
降低易碎接触曝光碎片方法

[发明专利]基于多重曝光的图形制作方法-CN201510624108.2在审
发明人：毛晓明;毛智彪;杨正凯;陈晓强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-09-27 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于多重曝光的图形制作方法，包括：将期望形成的密集初始图形分割成较为第一图形和第二图形，在掩模板上的不同区域分别形成第一图形和第二图形；在衬底硅片上沉积硅薄膜，然后涂敷光刻胶层，对光刻胶层进行加热固胶；以第一照明条件对光刻胶层执行第一次曝光，曝光图形为第一图形；以第二照明条件对光刻胶层执行第二次曝光，曝光图形为第二图形，使得第一图形与第二图形在光刻胶层上同时存在以组成密集初始图形；将晶圆转运入自动化光阻涂布及显影系統进行曝光后烘焙，两次曝光作业中被光照的光刻胶部分发生光酸反应；将晶圆执行显影，从而光刻胶保留部分形成密集初始图形；将晶圆执行蚀刻，从而在硅薄膜上形成了密集初始图形。
基于多重曝光图形制作方法

[发明专利]用于确定光刻曝光设备的一个或更多个致动器的聚焦致动轮廓的方法-CN202180092375.3在审
发明人： S·H·C·范格尔佩;S·范瑞内 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：披露了一种用于在对包括至少两个形貌级的曝光区域进行曝光的光刻曝光过程的控制中确定光刻曝光设备的一个或更多个致动器的聚焦致动轮廓的方法。
用于确定光刻曝光设备一个更多个致动器聚焦轮廓方法

[发明专利]改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器-CN202210948101.6在审
发明人：赵成城;张轶;祁娇娇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器，所述改善干涉曝光的光刻对比度的方法包括：在衬底上表面涂覆底层胶；在底层胶上表面涂覆顶层胶，顶层胶的感光灵敏度大于底层胶的感光灵敏度；利用干涉曝光技术和显影技术一次处理涂覆有顶层胶的衬底，以在所述衬底上表面形成目标光刻胶图形。采用本发明的技术方案，在衬底上依次涂覆感光灵敏度低的底层胶与感光灵敏度高的顶层胶，使得曝光场强度小的位置少感光，曝光场强度大的位置多感光，增加了曝光的光刻对比度，减少了干涉曝光的不完全曝光区，使得干涉曝光形成的光刻图形侧壁更加陡直
改善干涉曝光光刻对比度方法探测器

[实用新型]掩膜版及掩膜版组-CN201120105715.5有效
发明人：陈宁;郭炜;王路 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本实用新型属于显示技术中的曝光领域，公开了一种掩膜版，包括正常曝光区域和拼接区域，拼接区域设置在掩模版的至少一侧；正常曝光区域包括第一透光区域和第一遮光区域，第一透光区域用于对光刻胶进行全曝光，拼接区域包括第二透光区域和第二遮光区域，第二透光区域用于对光刻胶进行半曝光；对应相同的光刻胶曝光宽度，第一透光区域的宽度与第二透光区域的宽度不相等。本实用新型针对正性和负性光刻胶，具体设置拼接区域上透光区域的宽度，通过两次曝光，实现拼接区域和正常曝光区域对光刻胶曝光的一致性，提高低世代线生产显示器的质量，并且不需要对掩模板进行额外的加工处理，降低大尺寸显示器面板的制造成本
掩膜版掩膜版组

[发明专利]一种无掩膜激光直写光刻设备的快速边缘曝光方法-CN201710247305.6在审
发明人：吴琼;杨宇航;蔡潍;叶芳云;曹永珍 -专利权人：合肥芯碁微电子装备有限公司
申请日： 2017-04-16 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种无掩膜激光直写光刻设备的快速边缘曝光方法，通过控制机台沿着待曝光衬底的边缘圆周方向运动，使得机台同时沿X、Y方向运动，并且只使得待曝光衬底的边缘得到曝光；本发明与整个衬底扫描式曝光相比，减少了机台的运动距离，提高了DMD系统的利用率，进而使设备产能得到提高。
一种无掩膜激光光刻设备快速边缘曝光方法

[发明专利]光刻方法-CN201210258708.8无效
发明人：徐春云 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻方法，包括下列步骤：在晶圆上涂覆六甲基二硅胺烷；在所述晶圆上形成抗反射涂层并烘烤；在所述晶圆上涂覆光刻胶，所述光刻胶为正性光刻胶；对涂覆的光刻胶进行软烘；对所述涂覆的光刻胶进行曝光；对光刻胶进行曝光后烘烤；对曝光后的光刻胶进行显影；对显影后的光刻胶进行硬烘。
光刻方法

[发明专利]一种双重曝光方法-CN200910052798.3无效
发明人：胡红梅;朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重曝光方法，包括：第一次光刻步骤与第二次光刻步骤，在所述第一次与第二次光刻步骤之间，在所述第一次光刻步骤形成的光刻胶图形上旋涂化学收缩辅助解析增强材料，并使其与所述光刻胶图形接触处发生热交联反应；之后去除没有与所述光刻胶图形发生热交联反应的化学收缩辅助解析增强材料。该方法既实现更小图形分辨率，也避免了双重曝光工艺中第二次曝光对第一次曝光形成的图形产生的影响。
一种双重曝光方法

[发明专利]浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法-CN201110022569.4无效
发明人：哈里·休厄尔;路易斯·约翰·马克亚 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种浸没式光刻设备，其包括：能量源；投影光学系统；台；包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流；和清洁装置，所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中，清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中，该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。
浸没光刻系统以及原地清洁透镜方法

[发明专利]浸没式光刻系统以及浸没式光刻中原地清洁透镜的方法-CN200810109204.3无效
发明人：哈里·休厄尔;路易斯·约翰·马克亚 -专利权人： ASML控股股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供了一种浸没式光刻设备，其包括：能量源；投影光学系统；台；包括浸没液体供应装置和浸没液体排出装置的喷头在曝光区域内产生液体流；和清洁装置，所述清洁装置使用清洁气体清洁投影光学系统与浸没液体接触的部分。在实施例中，清洁装置包括向曝光区域提供清洁气体流的气体供应装置和气体排出装置。在实施例中，该设备包括含有剂量传感器和/或紫外光源的台。还提供了一种用于在具有向浸没式光刻系统的曝光区域提供浸没流体的浸没流体喷头的浸没式光刻系统中原地清洁最后的透镜元件的方法。
浸没光刻系统以及原地清洁透镜方法

[发明专利]图案化工艺与接触窗-CN200510090743.3有效
发明人：刘志鸿 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-08-15 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：一种图案化工艺，首先提供基板，此基板上已形成有介电层，且介电层上已形成有光刻胶材料层。接着，提供光刻掩膜，此光刻掩膜具有透光的光刻掩膜图案与位于透光的光刻掩膜图案周围的局部曝光图案。接下来，透过上述光刻掩膜对光刻胶材料层进行曝光。继之，对光刻胶材料层进行显影，以在光刻胶材料层中形成开口图案，且光刻胶材料层的开口图案的侧壁具有小于90度的倾斜度。接下来，利用此光刻胶材料层对介电层进行蚀刻，以于介电层中形成接触窗开口。之后，移除光刻胶材料层。通过上述的局部曝光图案，可改变光刻掩膜图案边缘的曝光量，进而能够蚀刻出具有小于90度的倾斜度的侧壁的图案，以改善后续沉积的薄膜的膜厚均匀性。
图案化工接触

[发明专利]一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法-CN202011488602.8在审
发明人：赵圆圆;段宣明;陈经涛 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种数字掩膜投影光刻的多重曝光方法，包括以下步骤：将目标光刻版图的密集图案拆解为N个低密度稀疏光刻图案；利用空间光调制器对曝光光束进行空间像素化调制，生成N个低密度稀疏数字掩膜图案；衬底上涂覆有光刻胶，N个低密度稀疏数字掩膜图案经过投影物镜成像于光刻胶，并交替曝光N次；进行后处理，最终得到高密度纳米线阵列光刻图案。本发明通过交替曝光N次低密度稀疏图案(最小周期不小于λ/2)，将纳米线条的密度提高N倍，实现密集图案曝光(最小周期可小于λ/2)，显著提高了投影光刻分辨率。另外，由于空间光调制器的组件中像素间距固定不存在对准误差，因此无需实体掩模板的套刻对准的步骤，即可实现一次涂胶的多重曝光工艺。
一种数字投影光刻多重曝光方法

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