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[发明专利]光刻工艺方法-CN201911053214.4在审
发明人：官锡俊 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、计算光刻工艺中曝光的最佳焦距和聚焦深度；步骤二、在第一晶圆上涂布第一光刻胶，第一光刻胶的厚度大于聚焦深度；步骤三、从第一光刻胶的底部开始进行多次曝光，最后一次曝光之前的各次曝光分别处理第一光刻胶中的厚度为DOF的一子层且各子层从第一光刻胶的底部到顶部依次叠加，各子层的叠加厚度小于第一光刻胶的厚度且在第一光刻胶的顶部形成剩余的最顶子层，最顶子层的厚度小于等于DOF，最后一次曝光实现对最顶子层的处理；步骤四、对第一光刻胶进行显影。本发明能增加厚光刻胶制程的聚焦深度，提高分辨率和工艺窗口。
光刻胶顶子子层光刻工艺一次曝光聚焦曝光工艺窗口依次叠加最佳焦距分辨率厚光胶制晶圆显影叠加

[发明专利]转印模具的制备方法、壳体组件及其制备方法、电子设备-CN202110864574.3在审
发明人：田彪 -专利权人： OPPO广东移动通信有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及电子设备技术领域，具体公开了一种纹理转印模具的制备方法、壳体组件及其制备方法，该方法包括以下步骤：设计渐变图形；将渐变图形处理成带有图形信息的灰度数据；将灰度数据转换为光刻机的曝光能量，其中，按特定加工路径进行光刻时，曝光能量的变化曲线呈平滑过渡；通过光刻机以曝光能量对母模基材进行光刻加工，以在母模基材上形成渐变纹理图案，得到纹理转印模具。通过上述方式，本申请实施例设计的曝光能量的变化曲线可呈由大至小的平滑过渡，以使渐变纹理图案在视觉上能够被感知为具有雾面过渡至镜面的外观。
印模制备方法壳体组件及其电子设备

[发明专利]用于光刻系统的光能量监测系统-CN201210009225.4无效
发明人：何少锋 -专利权人：合肥芯硕半导体有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体及PCB行业制造光刻领域中的光刻设备，具体涉及一种用于光刻系统的光能量监测系统。本系统包括光源、光传输组件、投影曝光组件；所述光源与光传输组件之间的光路和/或光传输组件与投影曝光组件之间的光路上设置有监测光强的第一感光探头，所述投影曝光组件的出射端设置有监测光强的第二感光探头；所述第一感光探头和第二感光探头的信号输出端均与计算机相连本光能量监测系统中的计算机根据第一感光探头和第二感光探头所探测到的光强的比值，自动调整或发出警报并人工调整光源的功率，从而确保基片处的曝光光强保持恒定，进而保证了光刻系统的稳定性。
用于光刻系统能量监测

[实用新型]用于光刻系统的光能量监测系统-CN201220013378.1有效
发明人：何少锋 -专利权人：合肥芯硕半导体有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体及PCB行业制造光刻领域中的光刻设备，具体涉及一种用于光刻系统的光能量监测系统。本系统包括光源、光传输组件、投影曝光组件；所述光源与光传输组件之间的光路和/或光传输组件与投影曝光组件之间的光路上设置有监测光强的第一感光探头，所述投影曝光组件的出射端设置有监测光强的第二感光探头；所述第一感光探头和第二感光探头的信号输出端均与计算机相连本光能量监测系统中的计算机根据第一感光探头和第二感光探头所探测到的光强的比值，自动调整或发出警报并人工调整光源的功率，从而确保基片处的曝光光强保持恒定，进而保证了光刻系统的稳定性。
用于光刻系统能量监测

[发明专利]曝光方法及曝光装置-CN201210284403.4有效
发明人：王耸;万冀豫;吴洪江 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-08-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光方法和曝光装置，所述曝光方法包括将基板置于掩膜版下方，且所述基板与所述掩膜版平行，其中，所述基板包括透明基底和涂覆于透明基底上的光刻胶；采用至少两条曝光光线通过掩膜版对光刻胶进行曝光；其中，至少两条曝光光线通过掩膜版的同一个曝光区对光刻胶进行曝光，每条曝光光线通过同一个曝光区在光刻胶形成一个照射区域，至少有两个照射区域有部分重叠。所述曝光装置包括掩膜版承载单元，基板承载单元和曝光光线形成单元。本发明的曝光方法和曝光装置形成图形的同一个图形单元的厚度不同，同时为减小角段差提供了前提。
曝光方法装置

[发明专利]一种高密度光刻图案处理方法-CN202010955012.5在审
发明人：甘棕松 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度光刻图案处理方法，属于光刻技术领域，包括如下步骤：S1将目标高密度光刻图案分解为多个低密度光刻图案，分解后的多个低密度光刻图案形状相同或者不同，并且分解后的多个低密度光刻图案能相互拼接而还原成目标高密度光刻图案，S2采用投影式光刻方式在介质上获得多个低密度光刻图案，每一个低密度光刻图案需要一次单独曝光，S3移动多个低密度曝光图案与光刻胶材料的相对位置以最终改变多个低密度曝光图案之间的相对位置，从而由多个低密度曝光图案拼接得到目标高密度曝光图案本发明方法可解决现有光刻技术中，采用缩短光波长的方法提高光刻分辨率所带来的一系列难题，能大幅度降低芯片制造难度和制造成本。
一种高密度光刻图案处理方法

[发明专利]一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法-CN201710620922.6在审
发明人：刘磊;殷履文;李永康;王溯源;王发稳;夏久龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种实现ASML不同型号光刻机套刻匹配的方法，该方法包括（1）取一块ASML标准掩膜版；（2）取另一块ASML标准掩膜版；（3）使用专用4英寸GaAs圆片，校准ASML扫描式光刻机的焦平面各项参数；（4）选用4英寸GaAs圆片，表面涂盖光刻胶；（5）ASML扫描式光刻机在步骤（4）所述的GaAs圆片上分别曝光对准标记图形和第一层套刻匹配图形；（6）曝光后GaAs圆片显影，显影后干法刻蚀；去除光刻胶后,重新涂盖与步骤（4）相同的光刻胶；（7）ASML步进式光刻机在GaAs圆片上曝光第二层套刻匹配图形，实现两台设备的套刻匹配。
一种实现 asml 不同型号光刻机套匹配方法

[发明专利]一种尺寸可控制的纳米块制作方法-CN201510076382.0有效
发明人：金建;邸思;陈贤帅;杜如虚 -专利权人：广州中国科学院先进技术研究所
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种尺寸可控制的纳米块制作方法，该方法包括：在基底的上表面设置一光刻胶层；对所述的基底进行第一次曝光，从而在光刻胶层上记录一维光栅图形；对第一次曝光后的基底进行显影，从而显露出一维光刻胶光栅图案；对显影后的基底进行第二次曝光和显影，从而将一维光刻胶光栅图案变为光刻胶纳米块阵列；对带有光刻胶纳米块阵列的基底进行刻蚀后，将光刻胶除去，从而实现纳米块的制作。本发明的方法具有纳米块尺寸可控制、成本低、不需复杂的设备及可用于大面积制作的优点。本发明可广泛应用于纳米块制作的领域中。
一种尺寸控制纳米制作方法

[发明专利]彩膜基板的制作方法-CN201610071592.5有效
发明人：李安石 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明提供一种彩膜基板的制作方法，先在彩色滤光膜层上形成一层负型光刻胶材料的光刻胶层，然后从衬底基板的下方对所述光刻胶层进行背面曝光，使光刻胶层靠近衬底基板侧的部分固化，用于形成平坦化层，接着利用光罩从衬底基板的上方对光刻胶层进行正面曝光，用于形成隔垫物，最后通过对经过两次曝光的光刻胶层进行显影，将光刻胶层上未固化的部分去除掉，进而同时得到平坦化层、及位于平坦化层上的隔垫物，与现有的彩膜基板的制作方法相比，工艺流程大大简化，从而减少了生产线上的设备投入
彩膜基板制作方法

[发明专利]一种提高化合物半导体器件可靠性能的背段工艺-CN201910099754.X有效
发明人：蔡文必;刘胜厚;王伟;孙希国;许若华;杨健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高化合物半导体器件可靠性能的背段工艺，在晶片完成正面制程以及背孔、背金层及阻挡层等步骤之后，使用异丙醇浸润阻挡层表面，然后涂布光刻胶，对光刻胶进行泛曝光，控制泛曝光时间至背孔之外的光刻胶完全曝光且至少部分背孔之内的光刻胶未完全曝光，显影去除完全曝光的光刻胶，蚀刻去除裸露的阻挡层之后去除背孔之内余下的光刻胶，从而留下位于背孔之内的阻挡层。本发明利用IPA浸润阻挡层的方法，使光刻胶可以均匀的涂布进孔内，不需要光罩版，利用泛曝光时间控制曝光胶厚，确保蚀刻后阻挡层金属只会在背孔内存在，相对传统工艺结构减小器件接地电阻，同时减少烧结孔隙率，提高器件的可靠性能
一种提高化合物半导体器件可靠性能工艺

[发明专利]5纳米芯片制造的反图双重曝光方法-CN202310843499.1在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：上海创消新技术发展有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种5纳米芯片制造的反图双重曝光方法，涉及芯片设计及制造。本发明的方案是：按5nm光刻线宽设计版图，再将版图拆分为双重曝光需要的两张分图；接着设计两张分图的反图；接下来按照反图制造光刻掩膜版；晶圆准备；然后，第1次曝光从在晶圆上涂覆正性光刻胶并软烘干开始；在晶圆上方放置第I张反图的掩膜板；用光刻机曝光正性光刻胶；显影曝光区域；在晶圆上涂覆负性光刻胶并软烘干；用正胶剥离液去除正性光刻胶；清洁晶圆并硬烘干；用等离子体进行第1次干法蚀刻；直到去除负性光刻胶后第1次曝光过程结束；再然后，用第II张反图进行第2次曝光过程；最后，进行后续常规的芯片制造步骤(离子注入、形成完整的晶圆结构、芯片封测)。
纳米芯片制造双重曝光方法

[发明专利]刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法-CN202111276952.2在审
发明人：贺晓彬;杨涛;李亭亭;刘金彪;唐波;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：刻蚀梯形凹槽的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成光刻胶；用第一掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第一次曝光；移除第一掩膜板，用第二掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第二次曝光；之后对所述第二次曝光的区域进行显影，得到梯形凹槽；其中，所述第二次曝光的曝光区域被所述第一次曝光的曝光区域包围，并且所述第一次曝光的剂量小于第二次曝光的剂量。本发明方法只需要形成单层光刻胶，并且在凹槽内溅射金属时不会发生覆盖光刻胶侧壁的现象，从而避免剥离不干净的问题。
刻蚀梯形凹槽方法衬底形成金属线条

[实用新型]一种曝光装置和光刻机-CN201120250401.4有效
发明人：齐永莲;薛建设;刘志勇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种曝光装置和光刻机，曝光装置包括曝光灯和灯框，其中，还包括：带动所述曝光灯转动的接口底座；所述曝光灯安装在所述接口底座上，所述接口底座安装在所述灯框内。本实用新型提供的曝光装置，通过接口底座带动曝光灯匀速转动，使单位时间内曝光灯发出的光在掩模板上的照度分布均匀，从而使光刻胶的曝光均匀，以确保基板上经过曝光后得到的光刻胶图案的厚度均匀，提高产品的良率。
一种曝光装置光刻

[发明专利]基底台系统、光刻设备和光刻方法-CN201710210545.9有效
发明人：吴立伟;郭琳;池峰;杨晓峰 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基底台系统、光刻设备和光刻方法，基地台系统中的工件台系统包括一基底曝光工位，位于光刻机的曝光区域；一转接台，位于所述基底曝光工位的一侧；至少两个微动台，用于承载基底；一粗动台，用于带动所述微动台在所述基底曝光工位上移动；当一个微动台位于所述转接台上进行基底交接时，所述粗动台带动另一个微动台移动至所述基底曝光工位上，使得位于该微动台上的基底曝光。则本发明提供的工件台系统中仅需在基底曝光工位一侧设置用于放置转接台以及一个微动台的空间，因此相对于现有技术，本发明提供的工件台系统并未占用较大的空间，节省了占地成本。
基底曝光微动台工位工件台系统转接光刻设备基底台光刻基底基地台系统曝光区域光刻机上移动微动承载交接占用移动

[发明专利]锗硅HBT的埋层形成方法-CN201010550588.X有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT的埋层形成方法，将光刻胶的曝光分为两次。第一次曝光聚焦于光刻胶接近表面的部分，形成主要图形。第二次曝光聚焦于光刻胶接近衬底的部分，对主要图形的底部进行附加曝光。从而使光刻胶底部形成的实际尺寸尽可能接近设计尺寸。
锗硅 hbt 形成方法