[发明专利]衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法及记录介质在审
| 申请号： | 202310850326.2 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN116904968A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 加我友纪直;吉田怜亮 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/54;C23C16/52;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法及记录介质，衬底处理装置具有：处理室，收容支承衬底的衬底支承件；气体供给系统，向所述衬底供给多个处理气体；衬底搬送系统，向所述衬底支承件搬送衬底；及控制部，控制所述衬底搬送系统和所述气体供给系统，以相应于支承在所述衬底支承件上的衬底的总表面积而修正所述多个处理气体的供给循环数。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 方法 半导体器件 制造 记录 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
