[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置在审
| 申请号： | 202210710800.7 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN115101596A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 八田英之;日野史郎;贞松康史;永久雄一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/417;H01L29/47;H01L27/06;H02M7/48 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及碳化硅半导体装置以及电力变换装置。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于末端部的第2阱区域进行双极型通电而末端部的耐压下降。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，在形成于末端部的栅极焊盘的下部的第2阱区域上设置与第2阱区域进行肖特基连接等非欧姆连接的源极电极。第2阱区域不与源极电极进行欧姆连接，从而抑制末端部的耐压下降。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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