[发明专利]一种超高压碳化硅晶闸管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810439343.6 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108630749A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 蒲红斌;刘青;王曦;李佳琪;安丽琪 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/745;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种超高压碳化硅晶闸管，包括位于同一平面内的碳化硅P+发射区和两个N型碳化硅衬底，碳化硅P+发射区位于两个N型碳化硅衬底之间，N型碳化硅衬底和碳化硅P+发射区上表面依次外延生长有碳化硅P发射区、碳化硅N+缓冲层、碳化硅N‑型长基区、碳化硅P‑短基区及碳化硅N+发射区，N型碳化硅衬底和碳化硅P+发射区背面覆盖有阳极欧姆电极；碳化硅N+发射区与碳化硅P‑短基区形成台阶，碳化硅N+发射区上覆盖有阴极欧姆电极；碳化硅P‑短基区两端上部镶嵌有两个碳化硅P+区，每个碳化硅P+区上覆盖有门极欧姆电极，碳化硅N+发射区和门极欧姆电极之间设置有门‑阴极隔离区。能进一步加快关断速度，减少关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 发射区 欧姆电极 衬底 短基区 阴极 超高压 晶闸管 覆盖 关断损耗 外延生长 长基区 隔离区 缓冲层 上表面 阳极 关断 门极 制备 背面 镶嵌 | ||
【主权项】：
1.一种超高压碳化硅晶闸管，其特征在于，包括位于同一平面内的碳化硅P+发射区(7)和两个N型碳化硅衬底(12)，所述碳化硅P+发射区(7)位于两个N型碳化硅衬底(12)之间，所述N型碳化硅衬底(12)和碳化硅P+发射区(7)上表面依次外延生长有碳化硅P发射区(1)、碳化硅N+缓冲层(2)、碳化硅N‑型长基区(3)、碳化硅P‑短基区(4)及碳化硅N+发射区(5)，所述N型碳化硅衬底(12)和碳化硅P+发射区(7)背面覆盖有阳极欧姆电极(10)；所述碳化硅N+发射区(5)与碳化硅P‑短基区(4)形成台阶，所述碳化硅N+发射区(5)上覆盖有阴极欧姆电极(9)；所述碳化硅P‑短基区(4)两端上部镶嵌有两个碳化硅P+区(6)，每个所述碳化硅P+区(6)上覆盖有门极欧姆电极(8)，所述碳化硅N+发射区(5)和门极欧姆电极(8)之间设置有门‑阴极隔离区(11)。
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