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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880079668.6有效
发明人：日野史郎;永久雄一;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置有肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域进行双极型通电而耐压下降。在本发明中，在内置有肖特基二极管的SiC－MOSFET中，使形成于终端部的第2阱区域与源极电极非欧姆连接，在形成于隔着栅极绝缘膜而与栅极电极对置的区域的第2阱区域的表层部形成杂质浓度比第2阱区域低的电场缓和层。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880079413.X有效
发明人：日野史郎;永久雄一;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时无法充分地降低向活性区域端部的阱区域的双极电流通电，元件的可靠性降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，不使终端区域的阱与源极欧姆连接，相比于形成于活性区域的肖特基二极管密度，使形成于终端区域的肖特基二极管的平面方向的密度更高或者使肖特基二极管之间的平面方向的距离短。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880078526.8有效
发明人：永久雄一;日野史郎;八田英之;贞松康史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时无法充分降低向终端区域的阱区域的双极电流通电，元件的可靠性降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在最接近终端区域的活性区域的第1阱区域与终端区域的第2阱区域之间的离开区域之上，隔着膜厚比活性区域的栅极绝缘膜大的第2绝缘膜设置栅极电极，第2阱区域未与源极电极欧姆连接，从而防止元件的可靠性降低。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置-CN201680084166.3有效
发明人：日野史郎;贞松康史;八田英之;永久雄一;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本申请说明书公开的技术涉及有效地抑制堆垛层错的产生所引起的正向电压的偏移的技术。与本技术相关的半导体装置具备：第2导电类型的第1阱区域(31)；第2导电类型的第2阱区域(32)，在俯视时夹着多个第1阱区域整体而设置，面积比各个第1阱区域大；第2导电类型的第3阱区域(33)，在俯视时夹着第2阱区域而设置，面积比第2阱区域大；以及第1导电类型的分断区域(25)，设置于第2阱区域与第3阱区域之间且上表面与绝缘体接触。
半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202211029076.8在审
发明人：永久雄一;日野史郎;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种碳化硅半导体装置以及电力变换装置。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域双极性通电而耐压降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在形成于终端部的第2阱区域上，设置与第2阱区域肖特基连接的导电性层，使导电性层与MOSFET的源电极电连接。设置仅使导电性层和源电极连接的导电性层接触孔。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202210710800.7在审
发明人：八田英之;日野史郎;贞松康史;永久雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅半导体装置以及电力变换装置。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于末端部的第2阱区域进行双极型通电而末端部的耐压下降。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，在形成于末端部的栅极焊盘的下部的第2阱区域上设置与第2阱区域进行肖特基连接等非欧姆连接的源极电极。第2阱区域不与源极电极进行欧姆连接，从而抑制末端部的耐压下降。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力转换装置的制造方法-CN202080095628.8在审
发明人：日野史郎;贞松康史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开的碳化硅半导体装置的制造方法具备：在碳化硅层的上方的一部分形成绝缘膜的工序；与绝缘膜邻接地在上述碳化硅层上形成欧姆电极的工序；除去欧姆电极上的氧化层的工序；在欧姆电极与绝缘膜邻接的一侧的相反侧开口、在除去了氧化层的欧姆电极上以及绝缘膜上形成掩模的工序；以及在形成了掩模的状态下利用氢氟酸对被蚀刻膜进行湿蚀刻的工序。根据本公开的碳化硅半导体装置的制造方法，能够制造缺陷少的碳化硅半导体装置。
碳化硅半导体装置以及电力转换制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880012296.5有效
发明人：永久雄一;日野史郎;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域双极性通电而耐压降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在形成于终端部的第2阱区域上，设置与第2阱区域肖特基连接的导电性层，使导电性层与MOSFET的源电极电连接。设置仅使导电性层和源电极连接的导电性层接触孔。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880010571.X有效
发明人：八田英之;日野史郎;贞松康史;永久雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于末端部的第2阱区域进行双极型通电而末端部的耐压下降。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，在形成于末端部的栅极焊盘的下部的第2阱区域上设置与第2阱区域进行肖特基连接等非欧姆连接的源极电极。第2阱区域不与源极电极进行欧姆连接，从而抑制末端部的耐压下降。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201980099839.6在审
发明人：永久雄一;日野史郎;贞松康史;川原洸太朗;八田英之;友久伸吾 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于：在碳化硅半导体装置中，通过缓和在回流动作时施加到终端阱区域的电压，抑制双极性通电。SiC‑MOSFET101在漂移层(20)的表层具备都为第2导电类型的、多个第1阱区域(30)、第2阱区域(31)、第3阱区域(32)。第3阱区域(32)设置于第2阱区域(31)的与第1阱区域(30)相反的一侧。包括第1阱区域(30)的组件单元内置单极性型二极管。SiC‑MOSFET101具备与单极性型二极管和欧姆电极(70)连接、不与第2阱区域(31)以及第3阱区域(32)欧姆连接的源极电极(80)。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201580078990.3有效
发明人： 贞松康史;日野史郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：漂移层(20)由宽带隙半导体形成。第1阱区域(30)设置在漂移层(20)上。源极区域(40)设置在第1阱区域(30)的每一个之上。栅极绝缘膜(50)设置在第1阱区域(30)上。第1电极(80)与源极区域(40)相接，具有能够在第1阱区域(30)之间向漂移层(20)进行单极通电的二极管特性。第2阱区域(31)设置在漂移层(20)上。第2电极(81)与第2阱区域(31)相接，从栅极电极(82)以及第1电极(80)分离。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201580049817.0有效
发明人：海老原洪平;日野史郎;贞松康史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供能够在末端附近的部件单元中的pn二极管动作之前使在芯片整体中流过的电流值增大并实现芯片尺寸缩小和基于此的芯片成本降低的半导体装置。具备：第二阱区域(31)，在俯视时夹着多个第一阱区域(30)整体而形成；第二欧姆电极(70)，设置在第二阱区域上；第一导电类型的第三相离区域(23)，在第二阱区域内的比第二欧姆电极更接近第一阱区域的位置处，从第二阱区域表面层沿深度方向贯通而形成；以及第二肖特基电极(75)，设置在第三相离区域上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201380078117.5有效
发明人：大月咏子;贞松康史;吉浦康博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：n‑型半导体衬底(1)具有有源区域和终端区域，该终端区域与有源区域相比配置在外侧。在有源区域，在n‑型半导体衬底(1)的上表面的一部分形成有p+型阳极层(2)。在终端区域，在n‑型半导体衬底(1)的上表面形成有多个p+型保护环层(3)。在n‑型半导体衬底(1)的下表面形成有n+型阴极层(5)。阳极电极(6)与p+型阳极层(2)连接。金属制的阴极电极(7)与n+型阴极层(5)连接。在终端区域，n+型阴极层(5)被挖除而形成凹部(8)。阴极电极(7)也形成在凹部(8)内。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的检查方法-CN201410253353.2有效
发明人：大月咏子;吉浦康博;贞松康史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种半导体装置的检查方法，其具有将终端构造中的绝缘膜和/或半绝缘膜的电荷去除的电荷去除工序。本发明涉及的半导体装置的检查方法具有第1检查工序，在该工序中，对在衬底(14)上形成有单元构造(10)和终端构造(12)的半导体装置的耐压进行检查，该单元构造(10)用于流过主电流，该终端构造(12)包围该单元构造；电荷去除工序，在该第1检查工序之后，在该电荷去除工序中，将该终端构造的在该衬底上方由绝缘膜(36)和/或半绝缘膜(38)形成的表面层(39)的电荷去除；以及第2检查工序，在该电荷去除工序之后，在该第2检查工序中，对该半导体装置的耐压进行检查。
半导体装置检查方法

[发明专利]半导体装置-CN201310464808.0有效
发明人：大月咏子;贞松康史;吉浦康博 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。在半导体装置(1)中，在半导体衬底(2)的一个主表面侧形成有二极管的正极(3)。以与该正极(3)外周隔开距离而包围正极(3)的方式，形成有保护环(4)。正极(3)具有p+型扩散区域(3a)、p一型区域(1la)以及正极电极(8)。p一型区域(1la)形成在位于正极(3)的外周侧的末端部。p一型区域(1la)作为电阻相对较高的区域，以由p+型扩散区域(3a)夹持的方式形成。
半导体装置

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