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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880079668.6有效
发明人：日野史郎;永久雄一;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置有肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域进行双极型通电而耐压下降。在本发明中，在内置有肖特基二极管的SiC－MOSFET中，使形成于终端部的第2阱区域与源极电极非欧姆连接，在形成于隔着栅极绝缘膜而与栅极电极对置的区域的第2阱区域的表层部形成杂质浓度比第2阱区域低的电场缓和层。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880079413.X有效
发明人：日野史郎;永久雄一;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时无法充分地降低向活性区域端部的阱区域的双极电流通电，元件的可靠性降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，不使终端区域的阱与源极欧姆连接，相比于形成于活性区域的肖特基二极管密度，使形成于终端区域的肖特基二极管的平面方向的密度更高或者使肖特基二极管之间的平面方向的距离短。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880078526.8有效
发明人： 永久雄一;日野史郎;八田英之;贞松康史 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时无法充分降低向终端区域的阱区域的双极电流通电，元件的可靠性降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在最接近终端区域的活性区域的第1阱区域与终端区域的第2阱区域之间的离开区域之上，隔着膜厚比活性区域的栅极绝缘膜大的第2绝缘膜设置栅极电极，第2阱区域未与源极电极欧姆连接，从而防止元件的可靠性降低。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202080104747.5在审
发明人： 永久雄一;田中贵规;纲城启之;川畑直之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：碳化硅层(SL)在面内方向上具有活性区域(100)和配置于活性区域(100)的外周的外周区域(200)。多个第1阱区域(30)配置于活性区域(100)。第2阱区域(31)配置于外周区域(200)。多个欧姆电极(70)设置于碳化硅层(SL)的第2面上，与源极电极(80)连接，与多个第1阱区域(30)电欧姆连接，具有与碳化硅层(SL)的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域(100)包括标准区域部(102)和标准区域部(102)与外周区域(200)之间的稀疏区域部(101)。稀疏区域部(101)相比于标准区域部(102)，俯视时的多个面区域的面密度更低。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]半导体装置-CN201680084166.3有效
发明人：日野史郎;贞松康史;八田英之;永久雄一;海老原洪平 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本申请说明书公开的技术涉及有效地抑制堆垛层错的产生所引起的正向电压的偏移的技术。与本技术相关的半导体装置具备：第2导电类型的第1阱区域(31)；第2导电类型的第2阱区域(32)，在俯视时夹着多个第1阱区域整体而设置，面积比各个第1阱区域大；第2导电类型的第3阱区域(33)，在俯视时夹着第2阱区域而设置，面积比第2阱区域大；以及第1导电类型的分断区域(25)，设置于第2阱区域与第3阱区域之间且上表面与绝缘体接触。
半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202080101331.8在审
发明人：田中贵规;永久雄一;川畑直之;纲城启之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过抑制在场效应晶体管的体二极管中产生大电流，抑制元件特性的变动。碳化硅半导体装置具备：碳化硅半导体基板；半导体层，形成于碳化硅半导体基板的上表面；以及背面电极，形成于碳化硅半导体基板的下表面，将电阻率是第1值的区域设为第1电阻区域，将电阻率是比第1值大的第2值的区域设为第2电阻区域，第2电阻区域是在俯视时跨越活性区域与终端区域之间的边界即区域边界的区域。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202211029076.8在审
发明人： 永久雄一;日野史郎;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种碳化硅半导体装置以及电力变换装置。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域双极性通电而耐压降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在形成于终端部的第2阱区域上，设置与第2阱区域肖特基连接的导电性层，使导电性层与MOSFET的源电极电连接。设置仅使导电性层和源电极连接的导电性层接触孔。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN202210710800.7在审
发明人：八田英之;日野史郎;贞松康史;永久雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及碳化硅半导体装置以及电力变换装置。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于末端部的第2阱区域进行双极型通电而末端部的耐压下降。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，在形成于末端部的栅极焊盘的下部的第2阱区域上设置与第2阱区域进行肖特基连接等非欧姆连接的源极电极。第2阱区域不与源极电极进行欧姆连接，从而抑制末端部的耐压下降。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法-CN202080094157.9在审
发明人：川畑直之;永久雄一;田中贵规;岩松俊明 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开的目的在于提供一种生产性优良且抑制在体二极管中流过大电流时的特性劣化的碳化硅半导体装置。包括SiC基板(10)、缓冲层(11)以及漂移层(12)的构造体在俯视时被划分成在对SiC‑MOSFET(101)施加电压时流过电流的活性区域(13)和比活性区域(13)更靠外周侧的耐压保持区域(14)，活性区域(13)在俯视时被划分成中央部的第1活性区域(15)、和第1活性区域(15)与耐压保持区域(14)之间的第2活性区域(16)。第2活性区域(16)以及耐压保持区域(14)中的少数载流子的寿命比第1活性区域(13)中的少数载流子的寿命短。
碳化硅半导体装置以及制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880012296.5有效
发明人： 永久雄一;日野史郎;贞松康史;八田英之;川原洸太朗 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，有时形成于终端部的第2阱区域双极性通电而耐压降低。在内置肖特基二极管的SiC‑MOSFET中，在形成于终端部的第2阱区域上，设置与第2阱区域肖特基连接的导电性层，使导电性层与MOSFET的源电极电连接。设置仅使导电性层和源电极连接的导电性层接触孔。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201880010571.X有效
发明人：八田英之;日野史郎;贞松康史;永久雄一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，有时形成于末端部的第2阱区域进行双极型通电而末端部的耐压下降。在内置肖特基二极管的SiC－MOSFET中，在形成于末端部的栅极焊盘的下部的第2阱区域上设置与第2阱区域进行肖特基连接等非欧姆连接的源极电极。第2阱区域不与源极电极进行欧姆连接，从而抑制末端部的耐压下降。
碳化硅半导体装置以及电力变换

[发明专利]碳化硅半导体装置以及电力变换装置-CN201980099839.6在审
发明人： 永久雄一;日野史郎;贞松康史;川原洸太朗;八田英之;友久伸吾 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于：在碳化硅半导体装置中，通过缓和在回流动作时施加到终端阱区域的电压，抑制双极性通电。SiC‑MOSFET101在漂移层(20)的表层具备都为第2导电类型的、多个第1阱区域(30)、第2阱区域(31)、第3阱区域(32)。第3阱区域(32)设置于第2阱区域(31)的与第1阱区域(30)相反的一侧。包括第1阱区域(30)的组件单元内置单极性型二极管。SiC‑MOSFET101具备与单极性型二极管和欧姆电极(70)连接、不与第2阱区域(31)以及第3阱区域(32)欧姆连接的源极电极(80)。
碳化硅半导体装置以及电力变换

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