[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910110909.5 | 申请日: | 2019-02-12 |
公开(公告)号: | CN110911470A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 大桥辉之;河野洋志;古川大 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78;H01L27/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 牛玉婷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式的半导体装置具备:具有第1面和第2面的碳化硅层、第1面侧的第1电极、第2面侧的第2电极、第1导电型的第1碳化硅区域、第1碳化硅区域与第1面之间的第2导电型的第2碳化硅区域及第3碳化硅区域、第1碳化硅区域与第2碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第1碳化硅区域高的第5碳化硅区域、第1碳化硅区域与第3碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第1碳化硅区域高的第6碳化硅区域、第5碳化硅区域与第6碳化硅区域之间的第1导电型浓度比第5碳化硅区域及第6碳化硅区域低的第7碳化硅区域、第7碳化硅区域与第1面之间的和第1电极接触的第1导电型的第8碳化硅区域、栅极电极、以及栅极绝缘层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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