[发明专利]碳化硅器件和用于制造碳化硅器件的方法有效
| 申请号： | 201810980117.9 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109427563B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | R.柯恩;R.鲁普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及碳化硅器件和用于制造碳化硅器件的方法。一种用于制造碳化硅器件的方法包括：在初始晶片上形成碳化硅层；在碳化硅层中形成要制造的碳化硅器件的掺杂区；和在碳化硅层的表面上形成要制造的碳化硅器件的导电接触结构。该导电接触结构电接触掺杂区。此外，该方法包括：在形成导电接触结构之后，分裂碳化硅层或者初始晶片，使得至少要制造的碳化硅器件的碳化硅衬底被分离。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造碳化硅器件的方法（100），其中所述方法包括：在初始晶片上形成（110）碳化硅层；在所述碳化硅层中形成（120）要制造的碳化硅器件的掺杂区；在所述碳化硅层的表面上，形成（130）所述要制造的碳化硅器件的导电接触结构，其中所述导电接触结构电接触所述掺杂区；以及在形成（130）所述导电接触结构之后，分裂（140）所述碳化硅层和所述初始晶片中的至少一个，使得至少所述要制造的碳化硅器件的碳化硅衬底被分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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