[发明专利]蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件在审
| 申请号： | 202210211071.0 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN114592191A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 康明伦 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26;H01L21/4763 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李佳桁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件，该蚀刻液用于包含铜系和钼系金属膜的三层金属膜结构的铟镓锌氧化物半导体器件的蚀刻，包括占总重量15％～25％的过氧化氢、0.1％～3％的螯合剂、0.01％～2％的腐蚀抑制剂、0.01％～5％的蚀刻剂、0.05％～2％的PH调节剂、0.01％～2％的双氧水稳定剂和余量的水，PH值范围为2～5；本发明实施例提供的蚀刻液无氟、低毒、环境友好且低酸性，去残能力强，不会造成玻璃基板及铟镓锌氧化物半导体器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 铟镓锌 氧化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 本发明涉及一种于其它金属存在下选择性处理铜的方法，尤其是一种在不影响尤其锡的其它金属的情况下选择性处理铜或铜合金的表面的方法。所述方法适合于处理铜或铜合金的表面以便于金属层的后续沉积且提高铜、铜合金及所述后续沉积金属层的表面的可焊接性。所述方法应用于印刷电路板PCB及引线框架或集成电路衬底(IC衬底)。
- 一种除铅剂及铅黄铜部件的表层除铅工艺-202110158713.0
- 林孝发;林孝山;汪火良;周年润;赖荣火 - 九牧厨卫股份有限公司
- 2021-02-04 - 2021-06-18 - C23F1/44
- 本申请提供了一种除铅剂及铅黄铜部件的表层除铅工艺，所述除铅剂按重量份计包括以下组分：氨基磺酸60份至80份、冰醋酸10份至20份、EDTA5份至15份、磷酸盐3份至10份和抑制剂1份至5份。本申请提供的一种高效除铅剂对铅黄铜部件的表层净铅，该除铅剂的除铅效率高，使用寿命长，对黄铜基体尤其是基体中锌的腐蚀性较小；该表层净铅工艺的除铅效率高，能耗低。
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