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[发明专利]一种单晶硅精抛液及制备方法-CN202310743059.9在审
发明人： 贺兆波;罗月;叶瑞;张庭;邹哲敏;姜飞;冯凯;崔会东;王书萍;严凡 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅精抛液及制备方法，该硅片精抛液由咪唑改性的高纯硅溶胶、渗透剂和成膜剂、表面活性剂、pH调节剂和超纯水组成，各组分所占的质量百分比为：0.5%～20%的咪唑改性的高纯纳米硅溶胶、0.01～1%的螯合剂、0.01%～0.5%的渗透剂，0.001%～0.5%的成膜剂、0.01%～5%的pH调节剂、余量的超纯水。其中咪唑改性的高纯硅溶胶不仅能提高硅溶胶的分散性，而且能减弱硅溶胶与硅片之间的静电斥力，显著地提高硅片的抛光速率；在渗透剂和成膜剂的共同作用下，本发明的精抛液不仅抛光速率高达550 nm/min，且抛光后硅片表面沾污颗粒极少，表面没有划痕和凹陷，表面状态良好。同时本发明精抛液的金属杂质离子控制在10 ppb以下，符合高端集成电路中单晶硅的精抛要求。
一种单晶硅精抛液制备方法

[发明专利]一种高纯黄磷反应精馏深度脱砷的方法-CN202310853635.5在审
发明人：陆平;杜林;华超;姜飞;姜占坤;贺兆波 -专利权人：湖北三峡实验室;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B25/047 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯黄磷反应精馏深度脱砷的方法，该方法以高纯黄磷为原料，有机框架材料作为催化剂，双氧水作为氧化剂，通过反应精馏技术得到低砷黄磷。该方法主要包括反应精馏塔T101、降膜蒸发器E101和循环泵P101等关键设备。使用本发明方法可以在不引入其他杂质的条件下来实现黄磷脱砷，制备电子级高纯黄磷，为进一步制备电子级磷酸打下坚实的基础。满足高纯黄磷在医药、食品、汽车制造、航空、军工等领域的广泛应用，降低高纯黄磷对于国外进口的依赖。
一种高纯黄磷反应精馏深度方法

[发明专利]一种电子级醋酸的制备方法-CN202310600650.9在审
发明人：彭俊杰;贺兆波;叶瑞;张庭;欧阳克银;王荣;章琳;吴文静;李琴;梅倩 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C07C51/47 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级醋酸的制备方法，包括以下步骤，步骤一：利用离子交换树脂去除初始工业级醋酸中的部分金属离子；步骤二：对步骤一得到的醋酸进一步精馏；步骤三：对精馏后的醋酸再次进行离子交换树脂纯化过滤，得到所述的电子级醋酸。相比于传统工艺，不仅操作简单，适用于工业化大规模稳定生产，所得电子级醋酸单一金属均小于1ppb，纯度高达99.99%及以上。
一种电子醋酸制备方法

[发明专利]一种电子级柠檬酸的多级纯化方法-CN202211318373.4有效
发明人：王荣;贺兆波;叶瑞;张庭;彭俊杰;欧阳克银;章玲;吴文静;李琴;吴昊;董攀飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C07C51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子级柠檬酸的多级纯化方法，将柠檬酸原液通过树脂柱得到初级柠檬酸纯化液；将初级柠檬酸纯化液减压浓缩得到柠檬酸初级浓缩液；将柠檬酸初级浓缩液采用梯度降温的方式得到柠檬酸晶体的悬浮液；柠檬酸悬浮液离心洗涤得到一级柠檬酸晶体；一级柠檬酸晶体配成一级柠檬酸纯化液；将柠檬酸一级浓缩液采用梯度降温的方式结晶纯化得到柠檬酸晶体的悬浮液；重复上述操作两次。通过树脂耦合多级结晶的方式，可产量化的将金属含量较高的工业级柠檬酸纯化为高纯的电子级柠檬酸。
一种电子柠檬酸多级纯化方法

[发明专利]电子级硫酸槽罐车清洗装置及清洗方法-CN202111551324.0有效
发明人：刘悦;杨着;郭岚峰;杜林;贺兆波;廖义;周建国 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B08B9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种电子级硫酸槽罐车清洗装置及清洗方法，将硫酸槽罐车内装满清洗剂，其主要成分包括水，10‑50%的稀硫酸，80‑98%的浓硫酸，硫酸和双氧水的混合物。一种电子级硫酸槽罐车清洗装置，包括两个对立设置的台架，两个台架之间设有翻转机架，台架上设有转动装置，转动装置转动端设有液压升降装置，液压升降装置与翻转机架两端与液压升降装置连接，翻转机架底部设有折弯的承载板，承载板用于放置硫酸槽罐，硫酸槽罐内部设置有清洗剂，通过台架的转动装置进行转动清洗硫酸槽罐内部。不仅解决槽罐车化学品路跑清洗危险运输问题，同时还能解决静置清洗槽罐车存在死角及需要多次更换清洗剂的问题。
电子硫酸罐车清洗装置方法

[发明专利]一种无C高选择性氮化硅蚀刻液-CN202210790396.9有效
发明人：冯凯;崔会东;贺兆波;王书萍;叶瑞;张庭;姜飞;冯帆;班昌胜;杜程;徐子豪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无C高选择性氮化硅蚀刻液，其主要成分包括无机酸、无机硅化合物、预溶剂、无机分散剂和水组成，本发明的蚀刻液可提高氮化硅对氧化硅的蚀刻选择比，选择性地去除氮化物膜，提升蚀刻液的寿命，提高蚀刻液的高温稳定性，避免有机胶质残留在晶圆上。
一种选择性氮化蚀刻

[发明专利]一种磷酸基蚀刻液及其配制方法-CN202211063570.6有效
发明人：杜程;贺兆波;叶瑞;姜飞;张庭;冯凯;王书萍;班昌胜;冯帆 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种磷酸基蚀刻液其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑2%的添加剂，余量为水，所述的添加剂包括聚乙烯酸胺，聚乙烯酸亚胺，丙烯酸铵，聚丙烯酸亚胺，顺丁二酸铵，顺丁二酸亚胺中的一种或几种的混合物。本发明通过使用新型添加剂的成分及类型。明显降低了蚀刻液蚀刻过程中直径大于80nm大颗粒的含量，抑制颗粒的沉积，提高磷酸基蚀刻液使用寿命。
一种磷酸蚀刻及其配制方法

[发明专利]一种高蚀刻速率与深宽比的铝蚀刻液制备方法-CN202211261256.9有效
发明人：黄锣锣;贺兆波;叶瑞;张庭;钟昌东;张演哲;黎鹏飞;刘悦 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高蚀刻速率与深宽比的铝蚀刻液制备方法。该铝蚀刻液由三乙醇胺、缓蚀剂、pH调节剂、阴离子型表面活性剂和去离子水组成。其中，三乙醇胺用于提升蚀刻液的粘度，缓蚀剂与蚀刻液粘度协同调节蚀刻液的异向传质，减少铝的侧蚀量，pH调节剂提升蚀刻液的碱性来加快蚀刻速率。在制备过程中，通过控制各组分的添加量和顺序，搅拌均匀后再通过pH调节剂控制蚀刻液的碱性，使其提高铝蚀刻液的蚀刻速率。本发明中的铝蚀刻液能缩短铝蚀刻工艺时间，并满足高深宽比的要求。
一种蚀刻速率制备方法

[发明专利]电子级硝酸铈铵结晶提纯方法-CN202310388376.3在审
发明人： 贺兆波;杨丽;程景才;吴昊;杨超;欧阳克银;马一新;马会娟 -专利权人：湖北三峡实验室;湖北兴福电子材料股份有限公司;中国科学院过程工程研究所
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01F17/276 文献下载
摘要：本发明提供一种电子级硝酸铈铵结晶提纯方法，硝酸铈铵溶液制备：将硝酸铈铵粗品加入水中，升温溶解得到硝酸铈铵溶液；一级结晶：往硝酸铈铵溶液中加入晶种，搅拌过程中，进行降温结晶，达到最终温度后，恒温养晶；水洗及干燥：结晶结束后，将浆液过滤，洗涤，真空干燥后筛选得到一定粒度的硝酸铈铵晶体；将得到的硝酸铈铵晶体重复结晶2‑3次即可得到电子级硝酸铈铵产品。本发明采用多级冷却结晶对硝酸铈铵进行提纯，避免了现有专利中蒸发结晶脱除溶剂而金属杂质留在晶体内的问题，将含有金属杂质的母液与晶体多次分离，实现所有金属杂质含量小于100 ppb，达到SEMI国际标准，获得的高纯电子级产品，可用于集成电路蚀刻液的制备。
电子硝酸结晶提纯方法

[发明专利]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液-CN202111503295.0有效
发明人：尹印;陈小超;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;冯凯;王书萍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。
一种侧蚀量可控蚀刻

[发明专利]一种高效安全去除双氧水中阴离子的提纯方法-CN202211520409.7有效
发明人：蔡贵婷;叶瑞;贺兆波;杨着;袁相春;吴昊;胡帅;郭竞竞;刘俊;蔡步林 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B15/013 文献下载
摘要：一种高效安全去除双氧水中阴离子的提纯方法，包括以下步骤：将常温工业级双氧水通过冷却装置冷却至0~10℃，然后以下进上出的方式依次通过阴离子交换树脂柱和混合离子交换树脂柱，控制流速为5~15BV/h，去除双氧水中的阴离子和部分阳离子，得到提纯双氧水。本发明中工业级双氧水依次通过阴离子交换树脂柱、混合离子交换树脂柱去除阴离子，其中两个离子交换树脂柱中的阴离子交换树脂属于不同型号，同时通过调整混合离子交换树脂柱中阴阳离子交换树脂的装填比例不仅可以有效去除双氧水中阴离子，还可以有效抑制纯化过程中双氧水与阴离子交换树脂的化学反应。
一种高效安全去除双氧水阴离子提纯方法

[发明专利]3D NAND结构片的选择性蚀刻液-CN202211234631.0有效
发明人：冯帆;贺兆波;张庭;班昌胜;冯凯;王书萍;杜程;叶瑞;彭飞;倪高国 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND结构片的选择性蚀刻液。该蚀刻液包括磷酸、硅烷添加剂1、硅烷添加剂2、其他为水。本发明的蚀刻液对氧化硅膜与氮化硅膜具有蚀刻选择性，能够选择性地去除氮化硅膜，提升蚀刻液寿命且能适应叠层结构的蚀刻。
nand 结构选择性蚀刻

[实用新型]一种结晶提纯电子级磷酸的工业化装置-CN202320625729.2有效
发明人：姜飞;贺兆波;杜林;陈辉刚;彭祖伟;万永洲 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01D36/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结晶提纯电子级磷酸的工业化装置。结晶槽底部连接抽滤槽，抽滤槽底部连接缓冲罐和成品槽，原料槽与结晶槽连接，稀酸槽与抽滤槽连接。结晶槽与抽滤槽上设有氮气进入管道；稀酸槽上设有超纯水和成品磷酸补充管道；结晶槽与抽滤槽内设有搅拌，所有设备均采用316L不锈钢内衬PFA材质。磷酸在结晶槽中搅拌并冷却，加晶种结晶，后通过底部的放料阀门放至抽滤槽，液相可以穿过滤布，而晶相则留在滤布上，下封头处可以抽真空，以加速液相与晶相的分离，留在抽滤槽的晶相再通过成品稀酸清洗和加热发汗的方式提纯，待取样结果合格后可以放至成品槽，得到提纯后的电子级磷酸。
一种结晶提纯电子磷酸工业化装置

[发明专利]一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液-CN202111501522.6有效
发明人：张庭;贺兆波;李金航;李鑫;尹印;万杨阳;武昊冉 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、抑制剂、非离子型表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入抑制剂，提高蚀刻液的粘度，增加传质阻力，降低二氧化硅的蚀刻速率；非离子型表面活性剂则用于降低蚀刻液表面张力，提高浸润性，减小凹型沟槽结构上、中、下层二氧化硅蚀刻速率的差异。本发明所述的蚀刻液能够使凹型沟槽结构的上、中、下层蚀刻速率差异降低，保持上、中、下层的二氧化硅蚀刻速率基本一致。
一种提高沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀

[发明专利]一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液-CN202111544337.5有效
发明人：张庭;李金航;贺兆波;武昊冉;李鑫;欧阳克银;蒋瑜瑜 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种低泡且蚀刻均匀的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入表面活性剂，表面活性剂具有优良的润湿性且低泡，能够降低蚀刻液的接触角大小，提高蚀刻液浸润性，同时降低表面张力，使蚀刻液与光刻胶下的二氧化硅薄膜接触良好，由于产生气泡量少，能够避免由于气泡导致的蚀刻不均匀问题，保持均匀蚀刻。本发明所述的蚀刻液浸润性优、表面张力低、气泡少，能够均匀蚀刻光刻胶下的二氧化硅薄膜，不产生二氧化硅残留，且对光刻胶无影响。
一种蚀刻均匀

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