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[发明专利]一种高蚀刻速率与深宽比的铝蚀刻液制备方法-CN202211261256.9有效
发明人：黄锣锣;贺兆波;叶瑞;张庭;钟昌东;张演哲;黎鹏飞;刘悦 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高蚀刻速率与深宽比的铝蚀刻液制备方法。该铝蚀刻液由三乙醇胺、缓蚀剂、pH调节剂、阴离子型表面活性剂和去离子水组成。其中，三乙醇胺用于提升蚀刻液的粘度，缓蚀剂与蚀刻液粘度协同调节蚀刻液的异向传质，减少铝的侧蚀量，pH调节剂提升蚀刻液的碱性来加快蚀刻速率。在制备过程中，通过控制各组分的添加量和顺序，搅拌均匀后再通过pH调节剂控制蚀刻液的碱性，使其提高铝蚀刻液的蚀刻速率。本发明中的铝蚀刻液能缩短铝蚀刻工艺时间，并满足高深宽比的要求。
一种蚀刻速率制备方法

[发明专利]一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法-CN202310157575.3在审
发明人：钟昌东;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;张庭;张演哲;黄锣锣;黎鹏飞;王荣;彭俊杰;尉鹏;李文飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种长寿命的铜蚀刻液及其制备方法。利用铜盐，无机酸，有机酸，螯合剂，表面活性剂，抑制剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，蚀刻寿命更长。其中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，提高蚀刻液的稳定性和蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，提升蚀刻液的稳定性及蚀刻寿命。
一种寿命蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种铜蚀刻液及其制备方法-CN202211669836.1在审
发明人：钟昌东;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;张庭;张演哲;黄锣锣;黎鹏飞;王荣;彭俊杰 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液利用铜盐，无机酸，有机酸，表面活性剂，有机碱和去离子水构成的铜蚀刻液，对铜及其合金蚀刻的过程中，蚀刻液蚀刻速率稳定，蚀刻均匀，对ITO、不锈钢等材料的腐蚀较小。蚀刻液中的无机酸、有机酸中的阴离子可以增加铜络合物在溶液中的溶解性与溶解度，可以增加蚀刻液的蚀刻寿命；蚀刻液中有机碱可以络合蚀刻液中多余的铜离子，稳定蚀刻速率，并调节蚀刻液pH，降低蚀刻液对其它金属的腐蚀。
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种铜钼蚀刻液及其制备方法-CN202211014276.6有效
发明人：钟昌东;贺兆波;张演哲;叶瑞;张庭;刘悦;黄锣锣;黎鹏飞;冯凯;尹印;王书萍;万杨阳;李金航;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜钼蚀刻液及其制备方法。在本发明中，双氧水，双氧水稳定剂，无机酸，螯合剂，蚀刻抑制剂，表面活性剂，有机碱和去离子水构成铜钼叠层的蚀刻液。蚀刻液对金属铜、钼进行蚀刻的过程中，蚀刻液对金属铜、钼的蚀刻速率基本一致，多层金属之间不会出现阶梯状形貌。蚀刻液中噻唑类蚀刻抑制剂可以以物理吸附或化学键的形式结合在金属表面形成一层薄膜，稳定并控制蚀刻液对不同金属的蚀刻速率；聚氧乙烯烷醇酰胺等表面活性剂和醇胺类有机碱的协同作用可以调节蚀刻液的粘度、表面张力等物理性质，协作改变蚀刻液在不同金属层上的浸润效果，从而调节蚀刻液对铜和钼的蚀刻速率一致，消除不同金属层间的蚀刻差异，提高产品良率。
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种高选择性碱性玻璃蚀刻液及其蚀刻方法-CN202211619402.0在审
发明人： 张演哲;雷康乐;秦祥;叶瑞;贺兆波;欧阳克银;钟昌东;郭岚峰;黄锣锣;黎鹏飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性碱性玻璃蚀刻液及其蚀刻方法。利用无极碱、有机碱，胺类化合物，醇类化合物，非离子氟碳表面活性剂等形成的蚀刻液对金属层上的玻璃进行选择性蚀刻处理，达到环保、高选择性减薄玻璃的作用而尽可能不伤害导电金属层。通过调整蚀刻液中的组分、含量配比，以及蚀刻方法，实现玻璃表层粗糙度低，玻璃蚀刻均匀，玻璃蚀刻速率与金属蚀刻速率选择比佳的作用。
一种选择性碱性玻璃蚀刻及其方法

[发明专利]一种高选择性玻璃蚀刻液及其制备方法-CN202211620103.9在审
发明人： 张演哲;贺兆波;叶瑞;欧阳克银;钟昌东;郭岚峰;黄锣锣;黎鹏飞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性玻璃蚀刻液及其制备方法。利用非氧化性无机酸、有机酸，含氟盐类，醇类化合物，阴离子氟碳表面活性剂等形成的蚀刻液对金属层上的玻璃纤维布进行选择性蚀刻处理，达到快速减薄玻璃的作用而尽可能不伤害导电层金属。通过调整各组分的搭配、含量配比，以及制备的工艺流程，在不改变玻璃表层粗糙度下，实现均匀蚀刻玻璃，提高玻璃蚀刻速率与金属蚀刻速率的选择比。
一种选择性玻璃蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种钛或钛合金的蚀刻液-CN202211697528.X在审
发明人：黄锣锣;贺兆波;叶瑞;张庭;钟昌东;张演哲;黎鹏飞;郑秋瞳;高楒羽 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛或钛合金的蚀刻液，所述包含占蚀刻液总重量10‑30%的双氧水、0.1‑10%的螯合剂、1‑8%的pH调节剂、3‑12%的pH缓冲剂，剩余为去离子水。本发明通过将pH缓冲剂引入钛金属蚀刻液中，使得在钛金属蚀刻期间可以有效地减缓蚀刻液中OH‑离子浓度的降低，钛金属蚀刻速率保持稳定，延长了蚀刻液的使用寿命。
一种钛合金蚀刻

[发明专利]一种半导体厂回收硫酸制备高纯硫酸铜的方法-CN202211422101.9在审
发明人：郭岚峰;叶瑞;张演哲;贺兆波;刘仁龙;魏虎;秦祥 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C01G3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体厂回收硫酸制备高纯硫酸铜的方法，该方法包括：1）在半导体硫酸废液中加入一定量的H2O2，并稀释后与氧化铜进行溶解反应，得到硫酸铜溶液；所述的稀释过程中，使用的水为超纯水；原料中还含有铁、砷、钙、锌等元素；2）采用沉淀剂对得到的硫酸铜溶液进行调节，经过后处理，得到高纯硫酸铜。本发明加入双氧水做氧化剂，Cu(OH)2CO3做沉淀剂，不引入杂质，纯度可达到99%以上；本发明工艺简单，反应时间短，降低企业生产成本。
一种半导体回收硫酸制备高纯硫酸铜方法

[发明专利]一种磷酸中总α粒子的检测方法-CN201910655872.4有效
发明人：李少平;冯凯;贺兆波;张庭;王书萍;尹印;万杨阳;张演哲;蔡步林;崔会东 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷酸中总α粒子含量的检测方法，将待测磷酸与水混合均匀，加入二氧化硅粉末，干燥，之后放入马弗炉中，高温反应，冷却，研磨，得到可供检测的测试样；试样至测量盘，用滴管吸取有机溶剂滴到测试样粉末上，使浸润在有机溶剂中的测试样粉末均匀平铺在测量盘内，烘干，用低本底α、β测量仪分别测量待测样的总α计数率，最终计算磷酸中的总α粒子含量；本发明利用低本底α、β测量仪测量测试样与空白样总α的计数率，从而计算磷酸中总α的放射性活度浓度。本发明通过特殊的制样方法解决了磷酸中总α粒子难以测量的问题。
一种磷酸粒子检测方法

[发明专利]一种电子级混酸中氢氟酸的检测方法-CN201911192483.9有效
发明人：李少平;张演哲;郝晓斌;贺兆波;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子级混酸中氢氟酸的检测方法，先配制一系列氢氟酸标准品，利用氟离子计绘制标准曲线，拟合出电子级混酸中氢氟酸含量与电位的对应关系；然后，向容量瓶中加入一定量的低温去离子水，称量一定质量的电子级混酸定容，在控制定容过程中的挥发时，利用混酸稀释放热增加氢氟酸的正向电离。最后利用氟离子计测量电位，根据建立的标准曲线得出混酸测试样品中氢氟酸的含量。本发明通过创新标准曲线标准品的配制方式，控制称样定容时的温度，减少了电子级混酸里的氢氟酸及其它挥发性酸在测试环节中的挥发，促进氢氟酸电离出氟离子，将电子级混酸中氢氟酸的检测偏差由10%‑40%降低到4%以内，大大提高了电子级混酸中氢氟酸的检测精准度。
一种电子级混酸中氢氟酸检测方法

[发明专利]一种铜制程面板中调节蚀刻锥角的蚀刻液及调节方法-CN202010458724.6有效
发明人： 张演哲;郝晓斌;贺兆波;钟昌东;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜制程面板中调节蚀刻锥角的蚀刻液及调节方法。利用氧化剂、有机酸及衍生物、络合剂组成铜制程面板的蚀刻液，能够对铜及其合金进行蚀刻。通过向配方中加入适量的强电离无机酸调节剂调控蚀刻液的pH，使其维持在3.5‑4.5之间来改变对铜的活化性能，从而调控侧向蚀刻速率使蚀刻锥角发生变化。本发明还通过调控蚀刻液喷淋的流量，改变纵向蚀刻中铜离子浓度，从而与pH值综合优化侧向和纵向的蚀刻速率来调节蚀刻锥角。本发明通过调节剂在较小的pH变动范围中调控蚀刻液，可以保证刻蚀液稳定性的同时，减轻pH对管道的腐蚀压力，配合蚀刻液喷淋流量，根据工艺制程需要，可使蚀刻锥角在15°‑100°范围内调整，达到对蚀刻锥角大范围调控的目的。
一种铜制面板调节蚀刻方法

[发明专利]一种含酸蚀刻液中氟离子的检测方法-CN201911006819.8有效
发明人：李少平;张演哲;贺兆波;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明涉及一种含酸蚀刻液中氟离子的检测方法。配制不同浓度梯度的氟化物，然后测试氟化物的电位，并绘制标准曲线反映电位与氟离子浓度的关系；接着配制两个不同氟离子浓度的标准蚀刻液样品；将两个标准蚀刻液样品与待测的蚀刻液样品进行电位测试，并计算修正待测样品中氟离子的浓度。本发明利用双标准蚀刻液样品的一个对未知浓度的待测样品的测试值进行校正，另一个作为校正参考值。有效的避免了测试过程中挥发、温度变化、氟离子电极磨损、离子掩蔽效应等引起的检测值的偏移。同时还可以监测测试人员是否存在操作失误。
一种蚀刻液中氟离子检测方法

[发明专利]一种高蚀刻速率与选择比的铝蚀刻液及其制备方法-CN201910120450.7有效
发明人：李少平;张演哲;贺兆波;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高蚀刻速率与选择比的铝蚀刻液及其制备方法。该铝蚀刻液由磷酸、硝酸、醋酸、盐酸和去离子水组成，在该蚀刻液中，由硝酸和盐酸反应形成的氯化亚硝酰具有更强的氧化性能，使其对金属铝具有高效的蚀刻速率，同时对硅基底表面的氮化钛等金属阻挡层具有极低的蚀刻影响，形成高蚀刻选择比。在制备过程中，通过控制各组分的添加量和顺序，以质量配比先加入磷酸、硝酸、醋酸和去离子水，搅拌均匀后再加入盐酸，能最大化的产生强氧化物质氯化亚硝酰，从而提高铝蚀刻液的蚀刻速率。本发明中的铝蚀刻液能极大的缩短铝蚀刻工艺时间，并满足高选择比的要求。
一种蚀刻速率选择及其制备方法

[发明专利]一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法-CN202010458991.3有效
发明人： 张演哲;郝晓斌;贺兆波;钟昌东;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法。利用双氧水氧化剂，稳定剂，螯合剂，缓蚀剂，表面活性剂以及强极性有机溶剂构成铜制程面板蚀刻液，对铜及其合金进行蚀刻的过程中，随着蚀刻液中铜离子的增加，仍能保持蚀刻锥角的稳定性。铜蚀刻液中的表面活性剂和强极性有机溶剂的配合添加，能够改善蚀刻过程中蚀刻液在光阻‑铜界面处的表面浸润性，并使光阻‑铜界面附近铜蚀刻液中的铜离子及其螯合物更好的分散，维持界面处的侧蚀速率，从而保证蚀刻锥角的稳定性，延长铜蚀刻液蚀刻寿命，保证批量面板的制程质量，节约铜制程面板成本。
一种铜制面板稳定蚀刻方法

[发明专利]一种缓释型硅斑蚀刻剂-CN201911283693.9有效
发明人：李少平;郝晓斌;尹印;贺兆波;张庭;万杨阳;徐子豪;冯凯;王书萍;张演哲;蔡步林 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种缓释型硅斑蚀刻剂。所述硅斑蚀刻剂主要用于处理晶圆表面残留硅斑，组成包括以下按重量百分比含量计的成分：60~80%的酸性剂、1~5%的氧化剂、1~5%的氢氟酸缓释剂，0.1~1%的浸润剂及超纯水。晶圆制造过程中部分工序需进行金属膜层的腐蚀形成金属互联线，这些金属膜层由金属‑硅靶材溅射而成，金属腐蚀后会在晶圆表面形成硅斑残留，后续工艺要求在去除这些硅斑的同时，尽量不腐蚀晶圆表面其他膜层。该蚀刻剂针对性的蚀刻结构较疏松的硅斑，其中浸润剂增加了硅斑与蚀刻液的接触面积，避免蚀刻残留；氢氟酸缓释剂保证氢氟酸浓度维持在一定范围内，在稳定去除硅斑残留的同时避免对其余氧化硅、多晶硅或金属铝膜层造成腐蚀。
一种缓释型硅斑蚀刻

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