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[发明专利]一种无氰环保退镀剂及其制备方法和使用方法-CN202310878565.9在审
发明人：董梦溪 -专利权人：天津市金创盈科技有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明适用于镀膜技术领域，提供了一种无氰环保退镀剂及其制备方法和使用方法，以该退镀剂的总重量为基准，所述退镀剂含有1‑5重量％的碳酸铵、5‑10重量％的磷酸二氢钠或磷酸三钠、1‑5重量％的氢氧化钠、10‑15重量％的柠檬酸钾、5‑10重量％的氨基三乙醇、15‑20重量％的六亚甲基四胺或乙二胺和40‑50重量％的去离子水；中温下退镀时间短，对钕铁硼基材及性能不会造成损伤，该退镀剂可同时退除镍镀层、铜镀层、锌镀层、锌镍合金镀层和化学镀镍层，无需像现在传统工艺配置不同的退镀液来退除不同的镀层，且环保无毒害。
一种环保退镀剂及其制备方法使用方法

[发明专利]一种复合铜膜的选择性蚀刻液-CN202310560836.6在审
发明人：苏伟;罗智勇 -专利权人：深圳市志凌伟业光电有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合铜膜的选择性蚀刻液，包括包括主蚀刻剂、蚀刻辅剂、选择性保护剂以及表面活性剂，主蚀刻剂，主要包括对铜以及预镀金属层均有较好蚀刻能力的化学药剂，主蚀刻剂，可采用氯化铜作为主蚀刻剂，蚀刻辅剂，包括但不限于盐酸、硫酸、硝酸、过氧化氢、氯化钠、次氯酸钠等中的一种或几种，选择性保护剂包括噻吩、苯并三氮唑及衍生物、植酸中一种或几种组合的形式进行添加；本发明通过选择性蚀刻液中适当主、辅蚀刻剂的选择及含量调配，并附以适当的选择性保护剂以及表面活性剂，实现了复合铜膜的选择性刻蚀，解决了现有蚀刻液对复合铜膜蚀刻中存在的线宽不均、蚀刻不完全、侧蚀、蚀刻步骤繁琐的缺陷。
一种复合选择性蚀刻

[发明专利]一种规则有序纳米多孔合金材料的制备方法-CN202310029616.0在审
发明人：王超洋;常春涛;王芳;赵成亮;谢春晓 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明为一种规则有序纳米多孔合金材料的制备方法。该方法包括如下步骤：(1)按照如下表达式Al(100‑x‑y‑z)NixFeyCrz配料，制备规则有序层片状Al‑Ni‑Fe‑Cr双相合金先驱体板材；(2)将截取得到的Al‑Ni‑Fe‑Cr双相合金板材浸没入酸性腐蚀液中，静置1～5天，得到纳米多孔板材，清洗后，得到规则有序纳米多孔合金材料。本发明得到了大尺寸规则有序纳米多孔合金，该材料为具有高强韧性的三维孔纳米能源电极材料，并且制备工艺简单、可适用于大规模生产。
一种规则有序纳米多孔合金材料制备方法

[发明专利]金属线蚀刻液组合物-CN201711347546.4有效
发明人：具炳秀;朴民奎 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体线路的薄膜晶体管的栅极及源漏区域的金属线蚀刻液组合物。所述金属线蚀刻液组合物，包括：氧化剂；二元醇化合物；不包含氨基的唑类化合物；及水。
金属线蚀刻组合

[发明专利]一种废弃ABS电镀件表面金属镀层过硫酸盐退镀方法-CN202210981568.0在审
发明人：苑文仪;赵园林;黄庆;徐利军;王晓岩;陈世友 -专利权人：上海第二工业大学;安徽美兴环保科技有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种废弃ABS电镀件表面金属镀层过硫酸盐退镀方法，属于资源回收利用技术领域。该方法首先对废弃ABS电镀件行清洗预处理，然后再将其置于复合过硫酸盐溶液体系中进行超声反应，反应结束后，过滤，对得到的固体进行洗涤得到ABS塑料。本发明的废弃ABS电镀件表面金属镀层过硫酸盐退镀方法，采用复合过硫酸盐体系作为退镀液，降低了对塑料基材的损伤，退镀周期较短，退镀率高，实验过程清洁高效，无二次污染，绿色环保，有效提高塑料二次利用价值，同时本发明的退镀液成分简单便于回收。
一种废弃 abs 电镀表面金属镀层硫酸盐方法

[发明专利]降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺-CN202211281453.7在审
发明人：裴明刚;李小定;袁敏 -专利权人：安徽万磁电子有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开一种降低基材腐蚀的烧结钕铁硼镍铜镍镀层退镀工艺，涉及钕铁硼再利用技术领域。本发明用于解决不能在去除表面镍铜镍镀层的同时降低对烧结钕铁硼磁体的腐蚀性，以进一步提高钕铁硼磁体的再利用率的技术问题；退镀工艺的步骤包括退镀液配制、浸泡退镀、清洗干燥，退镀液以硝酸和氢氟酸为主成分；阳离子表面活性剂能够以氢键与硝酸、氢氟酸分子中的氢键合，使其氨基带上正电荷，带来良好表面活性的同时降低了氢氟酸的挥发性；配合乙二胺四乙酸四钠的金属络合作用以及活性缓蚀剂的缓蚀作用，使得退镀工艺能够高效完全的去除烧结钕铁硼磁体表面的镍铜镍镀层，降低对钕铁硼磁体的腐蚀性，提高钕铁硼磁体的再利用率。
降低基材腐蚀烧结钕铁硼镍铜镍镀层工艺

[发明专利]用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物-CN201910682235.6有效
发明人：陈昭翔;李翊嘉;刘文达;张仲逸 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了用于从电子电路器件(例如高级图案晶片)除去TiN硬掩模的组合物、方法和系统。所述清洁组合物优选包含蚀刻剂(也称为基质)、氧化剂、氧化稳定剂(也称为螯合剂)、铵盐、腐蚀抑制剂和溶剂。可以提供其他任选的添加剂。清洁组合物的pH优选大于5.5。清洁组合物优选不含二甲基亚砜和四甲基氢氧化铵。
用于 tin 硬掩模去除蚀刻残留物清洁组合

[发明专利]聚晶金刚石复合片的脱钴/脱钨方法-CN202210604230.3在审
发明人：田思航;王彩利 -专利权人：河南四方达超硬材料股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及聚晶金刚石复合片的脱钴/脱钨，特别涉及聚晶金刚石复合片的脱钴/脱钨方法。聚晶金刚石复合片的脱钴/脱钨方法包括以下步骤：步骤一，设置密封壳体，使密封壳体与聚晶金刚石复合片的外周面形成密封，并且在聚晶金刚石复合片的聚晶金刚石层的待脱钴/脱钨部位上方形成空腔，使待脱钴/脱钨部位暴露于所述空腔中；步骤二，在所述空腔中注入脱钴/脱钨液，使聚晶金刚石层的待脱钴/脱钨部位浸没在脱钴/脱钨液中以实现脱钴/脱钨。上述方案能够解决现有的脱钴/脱钨方法脱钴/脱钨液用量大、成本高、可能造成的环境污染问题大的问题。
金刚石复合方法

[发明专利]CO/CU选择性湿蚀刻剂-CN202080088312.6在审
发明人：张仲逸;刘文达;李翊嘉 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：所公开和所要求保护的主题涉及表现出高铜和钴蚀刻速率的湿蚀刻剂，其中两种金属之间的蚀刻速率比可以变化。该湿蚀刻剂具有包含由以下组成的制剂的组成：至少一种具有至少两个碳原子、至少一个氨基取代基和至少一个羟基取代基的烷醇胺，其中氨基和羟基取代基连接至两个不同的碳原子；至少一种用于将制剂的pH调节至约9和约12之间的pH调节剂；至少一种螯合剂；和水。
co cu 选择性蚀刻

[发明专利]一种退除金属镀镉层的退镀液及其退镀方法-CN202111515019.6在审
发明人：周晓荣;白建军 -专利权人：四川兴荣科科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及化学退镀技术领域，IPC分类号为C23G，具体涉及一种退除金属镀镉层的退镀液及其退镀方法。所述一种退除金属镀镉层的退镀液，其制备原料，按重量百分比计，包括：硅氧烷类化合物2％‑4％、胺类化合物3％‑5％、盐类化合物7％‑10％、水补足余量至100％。本发明通过将硅氧烷类化合物、胺类化合物、盐类化合物加入水中搅拌，混合后制备得到一种退除金属镀镉层的退镀液，将具有镀镉层的金属镀件浸入退镀液中，翻动镀件，使工件没入退镀液中，至镀层退尽，用水清洗具有镀镉层的金属镀件，本发明提供的一种退除金属镀镉层的退镀液可很好的去除铝、铁、铜基材的金属镀镉层，适用于多种基材，退镉效果好，且金属基材表面没有被腐蚀，不伤金属基材。
一种金属镀镉层退镀液及其方法

[发明专利]一种铝/铝/钛/镍/不锈钢复合材料用金相腐蚀剂及腐蚀方法-CN202110326625.7有效
发明人：张聪惠;宋从斌;朱文光;肖桂枝;曾祥康;何晓梅 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝/铝/钛/镍/不锈钢复合材料用金相腐蚀剂及腐蚀方法，包括依次使用的铝/铝/钛腐蚀剂、镍/不锈钢腐蚀剂和镍腐蚀剂；铝/铝/钛腐蚀剂包括氢氟酸、硝酸和水，氢氟酸：硝酸：水的体积比为2：1：(10～20)；镍/不锈钢腐蚀剂为硝酸、水和三氯化铁，硝酸：水：三氯化铁的体积质量比以ml/g计为5:2：(8～10)，镍腐蚀剂为硝酸、冰乙酸和水，硝酸：冰乙酸：水的体积比为4：(5～10)：1。本发明腐蚀剂可在较短时间内进行分步腐蚀，先使用的腐蚀剂对其周围已腐蚀和未腐蚀的材料无腐蚀或弱腐蚀，同时观测到多层异种材料界面和基体的金相组织且此法操作简单，组织晶界轮廓清晰。
一种不锈钢复合材料金相腐蚀剂腐蚀方法

[发明专利]一种处理热浸镀废板用复合缓蚀剂的制备方法-CN202010793540.5有效
发明人：杨建辉;付海洋;高波;樊泽贵;阚家文;刘状;胡亮 -专利权人：惠博新型材料有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明为一种热浸镀废板用复合缓蚀剂的制备方法，属于金属缓蚀剂技术领域。方法中利用化学复合技术首先制备石墨烯粉末，然后加过量的六亚甲基亚胺混合，再加入适量添加剂和乙醇，获得新型复合缓蚀剂。利用蒸馏水、盐酸HCI等将其稀释并应用于废旧镀锌钢板的浸泡回收利用中，钢板中锌铁含量与使用有机缓蚀剂处理相比，脱锌过程仅为原来脱锌时间1h的四分之一，钢板中铁含量剩余88.85％，钢板表面脱Zn率达到98％，不仅减少了铁损失，而且显著增加了Zn的收得率。
一种处理热浸镀废板用复合缓蚀剂制备方法

[发明专利]一种不合格镀镉层的退镀液及退镀方法-CN202010591234.3有效
发明人：郭崇武;陈康;赖奂汶 -专利权人：广州超邦化工有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种钢铁件不合格镀镉层的退镀液及退镀方法，退镀液的成分和质量浓度为：硫酸60～200g/L，2,4‑二硝基苯磺酸水合物20～60g/L，六次甲基四胺10～50g/L。工艺条件为：在室温下将不合格镀件浸入所述退镀液中退镀，至镀层退尽为止，然后用水洗净。所述退镀液不含高毒性的六价铬，解决了现有技术使用铬酸退镀液的高污染问题。
一种不合格镀镉层退镀液方法

[发明专利]蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件-CN202210211071.0在审
发明人：康明伦 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件，该蚀刻液用于包含铜系和钼系金属膜的三层金属膜结构的铟镓锌氧化物半导体器件的蚀刻，包括占总重量15％～25％的过氧化氢、0.1％～3％的螯合剂、0.01％～2％的腐蚀抑制剂、0.01％～5％的蚀刻剂、0.05％～2％的PH调节剂、0.01％～2％的双氧水稳定剂和余量的水，PH值范围为2～5；本发明实施例提供的蚀刻液无氟、低毒、环境友好且低酸性，去残能力强，不会造成玻璃基板及铟镓锌氧化物半导体器件的损伤。
蚀刻方法铟镓锌氧化物半导体器件

[发明专利]一种高世代平板用铜钼蚀刻液-CN202010119553.4有效
发明人：戈士勇 -专利权人：江阴润玛电子材料股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高世代平板用铜钼蚀刻液，所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括硫酸0.1‑5％，过氧化氢5‑20％，过硫化钠0.5‑5％，硫酸铵5‑15％，氯化钠3‑10％，氟化铵1‑5％，稳定剂Ⅰ0.5‑3％，表面活性剂2‑10％和金属离子保护剂3‑8％和余量的纯水，各组分重量百分数之和为100％。所述蚀刻液性能稳定，对环境无污染；对铜钼叠层膜有着优良选择性蚀刻比，蚀刻后线路边线整齐均匀，线路角度不超过65度，关键尺寸损失单边不超过0.5μm。
一种世代平板用铜钼蚀刻

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