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[发明专利]一种侧蚀量可控的锗蚀刻液-CN202111503295.0有效
发明人：尹印;陈小超;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;冯凯;王书萍 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种侧蚀量可控的锗蚀刻液及其制备方法。所述蚀刻液主要用于蚀刻晶圆上的锗膜层，并控制光阻结构下方的侧蚀量，组成包括氧化剂、氟离子源、粘度调节剂、pH调节剂和高纯水。氧化剂将锗氧化，且不损伤硅衬底；氟离子源主要起到络合溶解锗的氧化物的作用；粘度调节剂用于控制蚀刻液粘度，改善侧向钻蚀能力；锗膜层上方光阻对pH值非常敏感，pH调节剂可以避免pH过低时导致光阻剥离。
一种侧蚀量可控蚀刻

[发明专利]一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液-CN202111501522.6有效
发明人：张庭;贺兆波;李金航;李鑫;尹印;万杨阳;武昊冉 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高凹型沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀性的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、抑制剂、非离子型表面活性剂和超纯水。本发明的蚀刻液中通过加入抑制剂，提高蚀刻液的粘度，增加传质阻力，降低二氧化硅的蚀刻速率；非离子型表面活性剂则用于降低蚀刻液表面张力，提高浸润性，减小凹型沟槽结构上、中、下层二氧化硅蚀刻速率的差异。本发明所述的蚀刻液能够使凹型沟槽结构的上、中、下层蚀刻速率差异降低，保持上、中、下层的二氧化硅蚀刻速率基本一致。
一种提高沟槽结构二氧化硅蚀刻均匀

[发明专利]一种高选择性锗蚀刻液-CN202211145213.4有效
发明人：彭浩;尹印;叶瑞;倪高国;余迪;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种高选择性锗蚀刻液。所述高选择性锗蚀刻液主要用于相对硅选择性蚀刻锗，组成包括氧化剂、氟离子源、添加剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将锗被氧化形成氧化物；锗的氧化物通过与氟离子源络合溶解而被去除；利用添加剂调节锗的蚀刻速率，使蚀刻液对锗相对于硅具有更快的蚀刻速率即对锗有更高的选择性。
一种选择性蚀刻

[发明专利]一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法-CN202211669852.0在审
发明人：彭浩;尹印;万杨阳;贺兆波;张庭;王亮;余迪;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种相对于叠层金属侧蚀可控的W层蚀刻液及其制备方法。其组成包括氧化剂、助氧剂、缓冲试剂、抑制剂、表面活性剂和超纯水。该蚀刻液利用氧化剂将W被氧化形成氧化物而被蚀刻；无机酸作为次氧化剂；醋酸铵等缓冲试剂为蚀刻液提供了稳定的蚀刻环境；抑制剂可以抑制铝离子和铜离子对W蚀刻的影响；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进W蚀刻的均匀性和完整性。本发明提供了一种相对于叠层金属侧蚀可控的W蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中W层被蚀刻，还可实现W的蚀刻精度高和蚀刻形貌好等优良品质，并且保证TiN和Ti层金属未被蚀刻，AlCu具有极低蚀刻速率。
一种相对于金属可控蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法-CN202211670386.8在审
发明人：彭浩;尹印;贺兆波;万杨阳;张庭;余迪;王亮;胡力 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种TiN和Ti金属薄膜蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液的组成主要包括氧化剂、稳定剂、铵盐、助氧剂、表面活性剂和醋酸。该蚀刻液利用氧化剂将TiN和Ti氧化形成氧化物而被蚀刻；铵盐作为缓蚀剂可以与金属离子进行络合；无机酸或有机酸作为次氧化剂，既增加氧化剂的氧化性又提供了足够的氢离子，使氧化剂的浓度维持在较高的水平，维持蚀刻速率稳定，延长蚀刻液的使用/储存寿命；表面活性剂可以降低溶液表面张力，促进TiN和Ti的蚀刻均匀性和完整性。按照本发明的方法使用该蚀刻液能够保证TiN金属薄膜和Ti金属薄膜的蚀刻速率基本一致（二者蚀刻速率差值≤17Å/min）。
一种 tin ti 金属薄膜蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种晶圆激光烧蚀后的清洗液及清洗方法-CN202211094575.5在审
发明人：尹印;贺兆波;叶瑞;余迪;万杨阳;张庭;彭浩 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-09-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种晶圆激光烧蚀后的清洗液及清洗方法。所述清洗液主要用于晶圆激光烧蚀后有机物残留及颗粒的清洗，并减少对晶圆表面金属的腐蚀，组成包括有机溶剂、金属缓蚀剂、表面活性剂、pH调节剂和高纯水。有机溶剂用于溶解有机物残留；金属缓蚀剂可以避免清洗液对晶圆表面金属造成腐蚀；表面活性剂用于改善清洗液的浸润性并使颗粒物脱离晶圆表面进入溶液；pH调节剂维持清洗液的碱性环境，增强对晶圆表面烧熔物的清洗效果。
一种激光烧蚀后清洗方法

[发明专利]一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法-CN202211669848.4在审
发明人：彭浩;尹印;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;王亮;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液主要用于相对于叠层金属（由光阻、AlCu合金层、W层、TiN层和Ti层自上而下构成）选择性蚀刻AlCu合金层，其组成包括氧化剂、腐蚀剂、添加剂、络合剂、均蚀剂和超纯水。本发明提供了一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中AlCu层被蚀刻且其他金属层未被蚀刻，蚀刻精度高和蚀刻形貌好，而且对基板的电化学性能无损伤。
一种相对于金属选择性蚀刻 alcu 及其制备方法

[发明专利]一种P-硅的浸泡腐蚀液-CN202211669828.7在审
发明人： 万杨阳;尹印;贺兆波;张庭;余迪;彭浩;王亮 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种P‑硅的浸泡腐蚀液，该蚀刻液由硝酸、过一硫酸、醋酸、含氟酸、铵盐、添加剂和去离子水组成。在该蚀刻液中，硝酸为主氧化剂，过一硫酸为助氧化剂，加快了对硅的氧化速率，含氟酸在蚀刻液中溶解二氧化硅，醋酸起到了缓冲蚀刻速率的作用的同时还与铵盐协同作用使反应过程中生成大量的微小气泡在硅片表面与溶液间迅速的交换，从而获得均一的蚀刻表面。添加剂增加了蚀刻液对反应生成物的溶解能力。因此本发明中的P‑硅的浸泡腐蚀液能够在浸泡工艺条件下，蚀刻P‑硅，避免了黑硅的生成，获得均匀的磨砂表面。
一种浸泡腐蚀

[发明专利]一种铌酸锂晶片清洗液-CN202211682400.6在审
发明人：余迪;尹印;贺兆波;王亮;万杨阳;彭浩;臧洋;路明;孟牧麟;刘春丽;邓爱华 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C11D1/72 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料清洗领域，具体涉及一种铌酸锂晶片清洗液，该清洗液主要用于铌酸锂晶片表面的有机物污染、无机颗粒残留和金属杂质，且清洗液几乎不腐蚀铌酸锂晶片，主要成分包括10~30%的非氧化性酸、10~35%的有机溶剂、1~5%的表面活性剂、纯水。该清洗液性质稳定，具有较高闪点，使用时安全系数高，具有广阔的使用前景和工业化使用价值。
一种铌酸锂晶片清洗

[发明专利]一种金蚀刻液-CN202111512488.2有效
发明人： 万杨阳;尹印;贺兆波;张庭;冯凯;王书萍;李鑫;李金航;钟昌东;黎鹏飞;彭浩;余迪 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种金蚀刻液。该蚀刻液由氧化剂、络合剂、增溶剂、pH缓冲剂、添加剂、氧化剂再生剂和去离子水组成。氧化剂为I2，络合剂为KI，增溶剂为极性有机溶剂，PH缓冲剂为多元酸盐，添加剂为含亲水基的芳香硝基化合物，氧化剂再生剂为吡咯烷酮类化合物。吡咯烷铜类化合物，与溶液中I‑发生氧化还原反应，将I‑氧化成I2，补充了被消耗的I2，使得药液中的I2和I‑处于动态平衡，从而延长了蚀刻液的寿命。因此本发明中的金蚀刻液能够维持稳定的蚀刻速率和寿命，同时蚀刻出均匀的金表面。
一种蚀刻

[发明专利]TiN去除液-CN202210674335.6有效
发明人： 万杨阳;尹印;贺兆波;余迪;彭浩;张庭;冯凯;王书萍;钟昌东;李金航;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种TiN去除液。该去除液由氧化剂、pH缓冲剂、添加剂A、添加剂B和去离子水组成。氧化剂为H2O2，pH缓冲剂为有机酸及有机酸盐混合物，添加剂A为过硫酸盐，能够提高对TiN层的蚀刻速率，添加剂B为酚磺酸、醇类、金属掩蔽剂的混合物。其中TiN先被H2O2氧化成TiO2，再由水合氢离子将TiO2溶解。pH缓蚀剂通过调节溶液的pH，使其维持酸性环境，减缓了H2O2的分解，增强其稳定性，延长了蚀刻液寿命及对TiO2的溶解速率。添加剂A增强了TiN的蚀刻速率，使得TiN层能快速的去除，且没有残留。添加剂B的引入抑制了对Cu、Co、Al、W、TEOS的蚀刻，使得该去除液与Cu、Co、Al、W、TEOS膜层有很好的兼容性，TiN/（Cu、Co、Al、TEOS）选择比高。
tin 去除

[发明专利]一种铜钼蚀刻液及其制备方法-CN202211014276.6有效
发明人：钟昌东;贺兆波;张演哲;叶瑞;张庭;刘悦;黄锣锣;黎鹏飞;冯凯;尹印;王书萍;万杨阳;李金航;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜钼蚀刻液及其制备方法。在本发明中，双氧水，双氧水稳定剂，无机酸，螯合剂，蚀刻抑制剂，表面活性剂，有机碱和去离子水构成铜钼叠层的蚀刻液。蚀刻液对金属铜、钼进行蚀刻的过程中，蚀刻液对金属铜、钼的蚀刻速率基本一致，多层金属之间不会出现阶梯状形貌。蚀刻液中噻唑类蚀刻抑制剂可以以物理吸附或化学键的形式结合在金属表面形成一层薄膜，稳定并控制蚀刻液对不同金属的蚀刻速率；聚氧乙烯烷醇酰胺等表面活性剂和醇胺类有机碱的协同作用可以调节蚀刻液的粘度、表面张力等物理性质，协作改变蚀刻液在不同金属层上的浸润效果，从而调节蚀刻液对铜和钼的蚀刻速率一致，消除不同金属层间的蚀刻差异，提高产品良率。
一种蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种不含羟胺的水系清洗剂-CN202211548892.X在审
发明人：王亮;尹印;贺兆波;叶瑞;陈小超;余迪;万杨阳;臧洋 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C11D7/32 文献下载
摘要：本发明提供一种不含羟胺的水系清洗剂制备方法及应用，其包含以下组分：醇胺、1‑羟基吡咯烷及其衍生物、邻苯二酚、二甲基亚砜和余量的水。本发明的水系清洗剂不含羟胺，解决了羟胺类清洗剂原料来源单一，供应风险和产品使用安全性风险问题。同时对金属铝、钛和氮化钛基本无腐蚀。且清洗工艺使用温度窗口大，有利于产品生产的稳定性。该清洗剂能有效的去除晶圆蚀刻后的光阻残留物、无机物残留物、有机聚合物以及金属‑有机聚合物，实现对金属垫、金属线和通孔结构晶圆的高效清洗。本发明的清洗剂在半导体晶圆清洗等领域具有良好的应用前景。
一种不含羟胺水系洗剂

[发明专利]一种含碳膜层的清洗液及清洗方法-CN202211655387.5在审
发明人：尹印;贺兆波;叶瑞;陈小超;周璇;万杨阳;彭浩 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C11D1/62 文献下载
摘要：本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种含碳膜层的清洗液及清洗方法。所述清洗液组成包括重铬酸盐、酸、氟化物、表面活性剂及超纯水。该清洗液可在有效去除晶圆表面的碳膜、碳氧化硅膜、碳氮化硅膜等含碳膜层的同时，不损伤硅晶圆表面，有利于晶圆的重复利用。
一种含碳膜层清洗方法

[发明专利]一种蚀刻硅片后清洗液-CN202111534816.9有效
发明人：李金航;李鑫;张庭;贺兆波;尹印;冯凯;王书萍;万杨阳;钟昌东;武昊冉 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种专用于蚀刻后的微米级孔穴结构的清洗液。该清洗液主要成分为氢氟酸、添加剂、表面活性剂以及超纯水。本发明的制备的清洗液表面张力极低，对孔穴结构有很强的钻蚀能力，更利于药液进入孔穴进行溶解清洗，并且孔内结构表面清洗后更加均一。其中添加剂在HF药液体系中具有良好的溶解度和分散性，且更容易在氮化硅和多晶硅表面形成空间位阻，腐蚀速率极低。表面活性剂的引入能够降低蚀刻液的表面张力，其表面张力可维持在25mN/m以内。本发明所述的清洗液可满足芯片结构制造中的＜10um孔径的孔内氧化物残留和多晶硅残渣的快速清洗，并保证结构的稳定性。
一种蚀刻硅片清洗

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