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[发明专利]数据存储器件及其制造方法-CN201811087711.1有效
发明人：金洪贤;高升必;申贤哲;李吉镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：公开了数据存储器件及其制造方法。该方法可以包括：提供包括单元区域和外围电路区域的基板；在基板的单元区域和外围电路区域上形成数据存储层；在数据存储层的形成在外围电路区域上的部分上选择性地形成掩模层；在数据存储层和掩模层上形成顶电极层；图案化顶电极层以在单元区域上形成多个顶电极；以及使用所述多个顶电极作为蚀刻掩模图案化数据存储层，以在单元区域上形成多个数据存储部分。当图案化顶电极层时，外围电路区域上的掩模层可以用作蚀刻停止层。
数据存储器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201910863571.0有效
发明人：南坰兑;高升必;金禹珍;申贤哲;崔营秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：制造半导体装置的方法包括：形成包括第一磁性层、第二磁性层和介于第一磁性层与第二磁性层之间的隧道阻挡层的磁隧道结层；图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；形成覆盖磁隧道结图案的绝缘层；以及执行热处理工艺以结晶第一磁性层和第二磁性层的至少一部分。热处理工艺可包括：在形成磁隧道结层之后在第一温度下执行第一热处理工艺，以及在形成绝缘层之后在高于或等于第一温度的第二温度下执行第二热处理工艺。
制造半导体装置方法

[发明专利]蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和阵列衬底的方法-CN201911217843.6有效
发明人：金俸均;金镇奭;沈承辅;崔新革;金承熙;李栋熙;金奎佈;申贤哲;李大雨;李秉雄;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。
蚀刻组合以及使用制造金属图案阵列衬底方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法-CN202310262294.4在审
发明人：金荣绿;朴圭淳;郑钟铉;曹雨辰;金奎佈;金成玟;金在明;申贤哲;金晙东;黄俊荣 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请提供了蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。蚀刻剂组合物包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4‑氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4‑氮环状化合物的重量比在约1:16至约1:60的范围内。
蚀刻组合使用显示装置制造方法

[发明专利]不包含氟的蚀刻液组合物-CN201910192762.9有效
发明人：李相赫;黄俊荣;李大雨;申贤哲;金奎佈 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。
包含蚀刻组合

[发明专利]蚀刻组合物、形成图案的方法和制造显示装置的方法-CN201911085578.0有效
发明人：朴种熙;金基泰;金真锡;金奎佈;申贤哲;李大雨;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：提供一种用于蚀刻含银薄膜的蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、金属基氧化剂和水。
蚀刻组合形成图案方法制造显示装置

[发明专利]金属离子回收装置及具备该回收装置的电极制造装置-CN202210729789.9在审
发明人：文太均;李晙赫;田承勋;徐俊喆;许㯙;申贤哲;金成玟;李相赫;金荣光;金龙会;安容燮 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C25C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属离子的回收系统和显示器用电极制造装置，通过将接地工艺和附加的冷却工艺用于金属离子的回收，可以从含金属离子的溶液有效回收金属离子并进行再生。
金属离子回收装置具备电极制造

[发明专利]蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法-CN201910328331.0有效
发明人：朴种熙;金基泰;金真锡;金奎布;申贤哲;李大雨;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本公开提供一种蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法。所述蚀刻剂组合物包括：18wt％至25wt％的第一有机酸化合物；15wt％至20wt％的第二有机酸化合物；8.1wt％至9.9wt％的无机酸化合物；1wt％至4.9wt％的磺酸化合物；10wt％至20wt％的硫酸氢盐化合物；1wt％至5wt％的含氮二羰基化合物；1wt％至5wt％的氨基酸衍生物化合物；0.1wt％至2wt％的含铁氧化剂化合物；以及余量的水。
蚀刻组合使用金属图案制造方法

[发明专利]蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法-CN202210579448.8在审
发明人：朴种熙;金炯式;李相赫;金龙会;金荣光;姜东浒;申贤哲;金成太;李东勋;李民惠;李秉洙;郑棊水 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：提供一种蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。一实施例涉及的蚀刻液组合物包括9.0重量％至9.9重量％的无机酸化合物、5.0重量％至10.0重量％的无机盐化合物、35重量％至45重量％的有机酸化合物、10重量％至20重量％的乳酸盐系化合物、0.1重量％至1.0重量％的含氧的氮环型化合物以及用于使整个组合物的总重量成为100重量％的余量的水，上述无机酸化合物的酸解离常数(pKa)值为‑1.0至‑3.0。
蚀刻组合利用显示装置制造方法

[发明专利]蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法-CN201810149885.X有效
发明人：李相赫;申贤哲;金奎怖;李秉雄 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法，更详细而言，涉及在金属布线的制备工艺中通过以预定图案蚀刻金属膜而用于金属布线形成的蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含过硫酸盐、含氟化合物、4氮杂环化合物、2氯化物以及水，其中所述4氮杂环化合物与2氯化物的含量比为1:1.4至1:2。
蚀刻组合以及利用金属布线形成方法

[发明专利]蚀刻组合物、形成图案的方法和制造显示装置的方法-CN201911085664.1有效
发明人：朴种熙;金基泰;金真锡;金奎佈;申贤哲;李大雨;李相赫;郑鸿 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：提供一种蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、硫酸盐化合物和水。
蚀刻组合形成图案方法制造显示装置

[发明专利]半导体器件-CN202210106249.5在审
发明人：柳炅勋;权信;裵丙才;申贤哲;李佳元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；数据存储图案，在第一区域上并且在第一方向上彼此间隔开；上绝缘层，在第一区域和第二区域上以及数据存储图案上；单元线结构，穿透第一区域上的上绝缘层，在第一方向上延伸，并且电连接到数据存储图案；以及上连接结构，穿透第二区域上的上绝缘层。上连接结构包括上导线和沿着上导线的底表面布置的上导电接触。上导线的底表面位于比单元线结构的底表面高的高度。单元线结构的侧表面具有连续延伸的直线形状。
半导体器件

[发明专利]蚀刻剂组合物以及制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法-CN202111650221.X在审
发明人：金俸均;权昶佑;沈承辅;安一培;张硕浚;金镇奭;朴芝焄;李龙洙;全亮镒;金奎佈;金相佑;申贤哲 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请提供了蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。实施方式的蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层膜并且可包括约5wt％至约20wt％的过硫酸盐，约0.1wt％至约5wt％的磷酸和/或磷酸盐，约0.01wt％至约2wt％的羰基环化合物，约0.01wt％至约1wt％的3‑氮环化合物，约0.1wt％至约2wt％的4‑氮环化合物，约0.1wt％至约0.9wt％的氟化合物，约0.1wt％至约0.5wt％的硫酸氢盐，约1wt％至约3wt％的两性离子化合物，和水，包含的水的量使整个蚀刻剂组合物的总重量为约100wt％。
蚀刻组合以及制造金属图案薄膜晶体管方法

[发明专利]蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法-CN201810631619.0有效
发明人：郑钟铉;朴弘植;梁熙星;金奎佈;申贤哲;李秉雄;李相赫;李大雨 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。
蚀刻组合以及使用制造金属图案薄膜晶体管方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法-CN201811389156.8有效
发明人：朴种熙;金真锡;李凤源;金基泰;金奎佈;申贤哲;李大雨;李秉雄;李相赫 -专利权人：三星显示有限公司;株式会社东进世美肯
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23F1/30 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻剂组合物相对于蚀刻剂组合物的总重量包括约8.5wt％至约10wt％的无机酸化合物、约1wt％至约10wt％的硫酸氢盐化合物、约50wt％至约60wt％的有机酸化合物、约1wt％至约5wt％的磺酸化合物、约1wt％至约5wt％的螯合物和作为余量的水。
蚀刻组合使用制造显示装置方法

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