[发明专利]一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210184267.5 | 申请日： | 2022-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN114597295A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 吴挺竹;刘时彪;赖寿强;陈金兰;卢霆威;高玉琳;郭自泉;陈忠 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Mini/Micro LED的芯片结构及制备方法，是通过Ar离子轰击p‑GaN层产生高阻区，ICP刻蚀时的沟槽位于高阻区内，从而使刻蚀后器件的四个侧壁均位于高阻区内；然后再在高阻区上制作宽度大于高阻区宽度的电流阻挡层。本发明从限制电流流向的角度出发，通过改变电流的流向，使其无法或尽量少的流向侧壁缺陷处，从而抑制因侧壁缺陷而产生的非辐射复合的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mini micro led 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 本申请公开了一种双发光区及多发光区的单色LED，该单色LED包括层叠设置的两组或两组以上的发光区，其中每个发光区包括有源层以及位于有源层两侧的p型半导体层和n型半导体层，其中相邻的两个发光区共用位于二者的有源层之间的p型半导体层或n型半导体层，两组或两组以上的发光区的有源层所产生的光线的波长相同。本申请通过层叠设置的两组或两组以上的发光区，且两组或两组以上的发光区的有源层所产生的光线的波长相同，能够增强提升单片单色LED的发光效率；同时，其中相邻的两个发光区共用位于二者的有源层之间的p型半导体层或n型半导体层，能够减少半导体层的数量，简化单色LED的结构，降低生产成本。
- 三基色发光二极管、发光模块及其制备方法-202211093444.5
- 张威;吴志浩;王江波 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2022-09-08 - 2023-06-09 - H01L33/08
- 本公开提供了一种三基色发光二极管、发光模块及其制备方法，包括：衬底、第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构，所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构间隔排布于所述衬底的表面；所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第三发光结构均包括层叠于所述衬底上的第一外延层；所述第二发光结构和所述第三发光结构还包括层叠于所述第一外延层上的第一连接结构和第二外延层；所述第三发光结构还包括层叠于所述第三发光结构的第二外延层上的第二连接结构和第三外延层，所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层的发光颜色不同。本公开能有效降低发光二极管的制备难度，且缩减发光二极管的尺寸。
- 一种用于可见光通信的LED芯片结构-202110086236.1
- 张建立;陈寿清;吴小明 - 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
- 2021-01-22 - 2023-05-30 - H01L33/08
- 本发明公开了一种用于可见光通信的LED芯片结构，通过电极线密布排列将常规尺寸的LED芯片分隔成若干个小尺寸的子区域，缩短电流注入路径距离，使电流分布更加均匀，从而提高耐受电流密度，在保证较高光输出功率的同时实现器件的快速调制。并且整个制造流程建立在相对成熟的常规尺寸LED芯片工艺基础上，具有器件调制能力优异、电极线密布排列、多焊盘、制造方法简单、光通量大、工艺成本低等优点，有利于光通信LED芯片的规模化制作，在照明与通信一体化的可见光通信领域具有广泛的应用前景。
- 发光器件、显示面板及制备方法-202310003117.4
- 曲连杰;杨瑞智;赵合彬;邱云;刘曼元 - 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
- 2023-01-03 - 2023-04-07 - H01L33/08
- 本申请公开一种发光器件、显示面板及制备方法，涉及光源技术领域，能够减少发光器件的打件次数，减少打件工艺对器件和驱动背板的损伤，进而提发光器件应用的产品良率。一种发光器件，包括：至少两层发光集成层，至少两层所述发光集成层用于分别发出不同颜色的光线；至少两层所述发光集成层在膜厚方向上层叠设置，至少两层所述发光集成层的发光面积不同。
- 专利分类
