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[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202310819370.7在审
发明人： 陈大钟;徐瑾;刘士伟;石保军;王水杰;刘可;王强;张中英;黄文嘉;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及发光装置，该倒装发光二极管包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘；半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙，缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。本申请将第一焊盘或者第二焊盘设置成具有缝隙的结构，在第一焊盘或者第二焊盘产生应力时，能够通过缝隙释放对应焊盘所产生的应力，避免对应焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种倒装LED芯片、LED封装模组及显示装置-CN202310806091.7在审
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;陈大钟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片、LED封装模组及显示装置，所述倒装LED芯片中：衬底的表面包括相互垂直的第一边和第二边；三个发光单元间隔设置于衬底上，第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元沿衬底表面的第一边的延伸方向依次排布；桥接电极设置于相邻两个发光单元上以及相邻发光单元之间，并串联相邻发光单元；第二发光单元在衬底的纵向投影均包括相互垂直的第一边缘和第二边缘，第一边缘与衬底的第二边对应平行，第一边缘的长度大于第二边缘的长度，第二发光单元的表面包括顶针作用区，第二边缘的长度大于或等于顶针的作用区的直径。本发明能够将顶针的作用力分布于第二发光单元表面，避免局部应力过大导致的芯片表面的绝缘层破裂的问题。
一种倒装 led 芯片封装模组显示装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202110782179.0有效
发明人： 陈大钟;徐瑾;刘士伟;石保军;王水杰;刘可;王强;张中英;黄文嘉;邓有财 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及发光装置，该倒装发光二极管包括半导体堆叠层、第一焊盘和第二焊盘；半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘或者第二焊盘设有缝隙，缝隙将第一焊盘或者第二焊盘划分成多个子焊盘。本申请将第一焊盘或者第二焊盘设置成具有缝隙的结构，在第一焊盘或者第二焊盘产生应力时，能够通过缝隙释放对应焊盘所产生的应力，避免对应焊盘在冷热环境转换过程中因应力较大而脱落，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种倒装LED芯片、LED封装模组及显示装置-CN202111212826.0有效
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;陈大钟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装LED芯片、LED封装模组及显示装置，所述倒装LED芯片中：衬底的表面包括相互垂直的第一边和第二边；三个发光单元间隔设置于衬底上，第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元沿衬底表面的第一边的延伸方向依次排布；桥接电极设置于相邻两个发光单元上以及相邻发光单元之间，并串联相邻发光单元；第二发光单元在衬底的纵向投影均包括相互垂直的第一边缘和第二边缘，第一边缘与衬底的第二边对应平行，第一边缘的长度大于第二边缘的长度，第二发光单元的表面包括顶针作用区，第二边缘的长度大于或等于顶针的作用区的直径。本发明能够将顶针的作用力分布于第二发光单元表面，避免局部应力过大导致的芯片表面的绝缘层破裂的问题。
一种倒装 led 芯片封装模组显示装置

[发明专利]一种发光二极管-CN201980006009.4有效
发明人：王庆;马全扬;陈大钟;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供如下发光二极管，其包括：透明衬底，该透明衬底具备第一表面；半导体垒晶叠层，包括在透明衬底的第一表面依次堆叠的第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层；DBR反射层，覆盖所述半导体垒晶叠层的顶表面以及侧壁，具有第一开口和第二开口；第一电极和第二电极，分别通过所述第一开口和第二开口与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；DBR反射层中含有空洞。本发明通过在DBR反射层中引入空洞使DBR叠层之间具有更大的折射率差，使反射率得到了提升，从而提高发光效率。
一种发光二极管

[发明专利]一种LED芯片及发光装置-CN202211087178.5在审
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：湖北三安光电有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及发光装置，该LED芯片包括发光外延层、覆盖发光外延层的第一绝缘层及位于第一绝缘层上的第一焊盘及第二焊盘，第一焊盘及第二焊盘包括应力缓冲层、镍金属层及保护层。其中，应力缓冲层包括多层铝金属层，本发明通过调整铝金属层的厚度分布情况，对最靠近镍金属层的一层铝金属层设置为最厚，使最接近镍金属层的铝金属层的厚度大于等于镍金属层的厚度，从而利用铝金属的延展性和抗拉性起到应力缓冲的作用，在与柔性基板结合后，其自身的延展性能够很好地承受基板弯折带来的应力冲击，避免电极出现断裂或脱落，增加可靠性。最靠近镍金属层的钛金属层厚度最厚，可以增强附着和保护作用。
一种 led 芯片发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202211585953.X在审
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202211553490.9在审
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种高压倒装发光二极管和发光装置-CN202211245309.8在审
发明人：王强;徐瑾;石保军;陈大钟;李宗林;张中英 -专利权人：湖北三安光电有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明包括一种倒装发光二极管和发光装置，其中倒装发光二极管包括：半导体发光单元，为至少两个，相邻的两个半导体发光单元之间有隔离槽；绝缘反射层位于所述两个半导体发光单元的上方以及侧壁周围，具有多个通孔；桥接电极位于绝缘反射层上，并且通过所述的绝缘反射层的通孔电性连接相邻两个半导体发光单元。一定程度降低桥接电极吸光的损失，提升亮度。
一种高压倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管及发光装置-CN202210986847.6有效
发明人：石保军;徐瑾;陈大钟;王水杰;刘可;王强;吴美健 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，提供一种倒装发光二极管，其包括外延结构、第一电极和第二电极，外延结构包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层，发光层位于第一半导体层与第二半导体层之间，第一电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，其中，第一电极和/或第二电极是多层金属结构，多层金属结构包括在第一半导体层上依次层叠的金属反射层、第一阻挡层和导电金属层，多层金属结构中厚度最厚的一层是导电金属层，导电金属层为Al层。借此，可以使得发光二极管在后续使用过程中的内部热应力得到良好的缓冲与释放，并且能够促进水平方向的电流扩展，进而提升器件的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管和发光装置-CN202211266073.6在审
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;陈大钟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，该倒装发光二极管包括衬底、以及位于衬底上的半导体发光单元；半导体岛结构位于衬底上，并与半导体发光单元之间存在间隙；在倒装发光二极管处于通电状态时，半导体岛结构不发光。本申请设置有半导体岛结构，该半导体岛结构与半导体发光单元之间存在间隙，且不用于倒装发光二极管的导电发光；半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，在顶针作用在上述区域时，能够避免顶针刺破或者顶破半导体发光单元处的保护层，从而避免倒装发光二极管出现漏电失效现象，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种倒装发光二极管和发光装置-CN202110801630.9有效
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;陈大钟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种倒装发光二极管，包括：半导体发光序列层和绝缘层，在所述半导体发光序列层上，所述的绝缘层自下而上依次包括底层、中间层和两种材料的重复堆叠层，所述的底层为氧化硅层，所述的中间层为氧化铝层。
一种倒装发光二极管发光装置

[发明专利]倒装发光二极管和发光装置-CN202111047049.9有效
发明人：刘士伟;徐瑾;石保军;王水杰;刘可;陈大钟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管和发光装置，该倒装发光二极管包括衬底、以及位于衬底上的半导体发光单元；半导体岛结构位于衬底上，并与半导体发光单元之间存在间隙；在倒装发光二极管处于通电状态时，半导体岛结构不发光。本申请设置有半导体岛结构，该半导体岛结构与半导体发光单元之间存在间隙，且不用于倒装发光二极管的导电发光；半导体岛结构所在区域作为顶针的作用区域，在顶针作用在上述区域时，能够避免顶针刺破或者顶破半导体发光单元处的保护层，从而避免倒装发光二极管出现漏电失效现象，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管发光装置

[发明专利]一种半导体发光元件和发光装置-CN202080005587.9有效
发明人：王庆;马全扬;陈大钟;陈功;洪灵愿;彭康伟;林素慧 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：一种半导体发光元件，其包括：半导体发光序列层，半导体发光序列层包括发光层；绝缘透光层，位于半导体发光序列层的出光面上；其特征在于：绝缘透光层包括底层和底层上的折射率渐变层，折射率渐变层由至少两层组成，底层介于半导体发光序列层和折射率渐变层之间，底层的折射率低于折射率渐变层的折射率，折射率渐变层的折射率随着远离底层的方向逐渐降低。
一种半导体发光元件装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202180005917.9在审
发明人：刘士伟;徐瑾;张中英;王水杰;邓有财;王庆;石保军;吴霁圃;谢昆达;刘可;陈大钟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延层、第一绝缘反射层以及第二绝缘反射层，外延层包括依次堆叠的第一半导体层、用于发出光线的发光层以及第二半导体层，并具有相对的第一表面与第二表面；第一绝缘反射层设置于外延层的第一表面；第二绝缘反射层设置于外延层的第二表面；其中，第一绝缘反射层对于具有第一入射角的光线的反射率低于第二绝缘反射层对于具有第三入射角光线的反射率，第一入射角介于0～10°，第三入射角介于0～10°。借此设置，可大幅提升发光二极管的侧面出光角度，增大发光二极管的出光极致角度，满足市场需求。
发光二极管发光装置

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