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[发明专利]一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法-CN202010053354.8有效
发明人：丁雄傑;王忠强;王琦;张国义 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
一种生长金刚石多晶样品方法

[发明专利]三色氮化物发光二极管的制造方法-CN202211655380.3有效
发明人：王新强;刘强;王琦;陶仁春 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
三色氮化物发光二极管制造方法

[发明专利]一种分布式光纤传感系统及其数据恢复方法-CN202310801794.0在审
发明人：何向阁;张敏;王琦 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学领域，公开了一种分布式光纤传感系统及其数据恢复方法。系统包括光源、光调制模块、光调理模块、探测器模块、传感光缆、数据采集卡和信号解调模块，传感光缆包括M个内设光环形器的连接器、M段双向光纤和M段上行光纤；第i级光环形器的第一端口通过第i‑1段双向光纤与前一光环形器的第二端口连接，第i级光环形器的第二端口通过第i段双向光纤与后一光环形器的第一端口连接，第i级光环形器的第三端口通过第i段上行光纤连接第i个光电探测器。本发明利用传输光纤和传感光纤的组合，将传感距离扩展为传统方案的M倍；利用外差解调算法，实现光纤上不同位置的同步解调，从而能够在实现较高采样率的基础上实现更长的传感距离。
一种分布式光纤传感系统及其数据恢复方法

[发明专利]常关型高电子迁移率晶体管的制造方法-CN202211708231.9有效
发明人：王新强;刘强;陶仁春;王琦 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
常关型高电子迁移率晶体管制造方法

[发明专利]低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法-CN202011387036.1有效
发明人：王琦;梁智文;王新强;张国义 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
损耗氮化射频材料外延结构制备方法

[发明专利]一种激光辅助加热制备GaN单晶设备-CN202210410043.1有效
发明人：刘南柳;张国义;王琦;童玉珍 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备，涉及GaN材料制备技术领域，包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统，通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域，使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度；利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度，以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数，使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长，确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴，不会出现裂解而影响晶体结构，进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外，通过集成激光提高晶体生长局域温度，在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场，从而有效降低设备制造成本。
一种激光辅助加热制备 gan 设备

[发明专利]大尺寸低应力的氮化物外延材料和制备方法-CN202310518226.X在审
发明人：王琦;梁智文;刘强;王新强 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了大尺寸低应力的氮化物外延材料和制备方法，该制备方法包括采用物理气相沉积法在C面蓝宝石衬底上沉积生成第一三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第一三维柱状结构上生成氮化铝外延结构；采用物理气相沉积法在氮化铝外延结构上沉积生成第二三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第二三维柱状结构上生成外延功能层；本发明外延结构的厚度远小于传统外延材料的厚度，极大地节约了外延结构的制备时间和制备成本，且由于外延结构厚度小，无需设计应力释放层和高耐压调控层，进一步减少制备工序和制备成本。
尺寸应力氮化物外延材料制备方法

[发明专利]一种由DAS光纤构成地震拖缆的噪音抑制方法-CN202010866736.2有效
发明人：文鹏飞;刘斌;杨振;徐云霞;薛花;张敏;李延;孟大江;路允乾 -专利权人：广州海洋地质调查局;北京大学东莞光电研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01V1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种由DAS光纤构成地震拖缆的噪音抑制方法，包括：在普通DAS光纤上的特定位置上预设若干散射增强点，得到改良型DAS光纤；步骤2：将多条改良型DAS光纤组装到一条拖缆形成地震拖缆，各散射增强点错开设置；步骤3：进行数据采集，每一条改良型DAS光纤接收到一套仅由散射增强点接收到的采集数据；步骤4：将各条改良型DAS的采集数据进行时间域叠加，并将时间域的数据叠加通过傅里叶变换转换为频率域的相乘处理，得到大于1的滤波因子和频率域的有效反射信号相乘，然后将频率域的数据进行傅里叶逆变换得到时间域的有效采集数据，从而得到抑制噪音后的采集数据。本发明能够有效提高采集数据的信噪比，抑制噪音。
一种 das 光纤构成地震噪音抑制方法

[发明专利]具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件-CN202310512094.X在审
发明人：王琦;梁智文;刘强;王新强 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。
具备低导通动态特性外延材料及其制备方法器件

[发明专利]一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法-CN202310253879.X在审
发明人：张敏;刘南柳;姜永京;陈垦宇;王琦 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开一种自动旋转的氮化镓单晶生长装置及方法，该装置包括用于氮气离子化的解离室和用于氮化镓单晶生长的生长室，解离室的下端连通第一管线，第一管线通过第一驱动器通往生长室的上部，生长室的下端连通第二管线，第二管线通过第二驱动器通往解离室的上部；生长室内设有支撑杆，支撑杆的上端套有涡轮，涡轮上安装有叶片，涡轮的上端设有圆台，圆台上设有凹槽，凹槽用于放置籽晶。本发明既实现氮离子浓度分布均匀，又能让氮化镓单晶衬底自动旋转，实现氮离子溶解与消耗的分离，让整个熔体系统实现循环流动，而循环流体又可以自动带动单晶衬底旋转，解决籽晶表面生长速率不均匀，氮化镓生长质量较低的问题。
一种自动旋转氮化镓单晶生长装置方法

[发明专利]利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器-CN202310253893.X在审
发明人：王新强;刘强;刘南柳;王琦 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
利用浮力维持 hvpe 反应炉反应速率稳定反应器

[发明专利]一种大尺寸高热导率衬底的制备方法-CN202211096206.X在审
发明人：王新强;王琦;梁智文;张国义 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质层；将基础衬底的第一SiO2介质层面和高导热衬底的第二SiO2介质层面键合，形成键合体；对键合体进行加热处理，将功能衬底薄层从基础衬底上分离，形成功能衬底薄层/SiO2介质层/高导热衬底的复合衬底。本发明实现大尺寸均匀复合衬底材料制备，解决现有氮化物光电器件散热及复合衬底应力过高的问题。
一种尺寸高热衬底制备方法

[实用新型]用于饮用水设备后端出水口的UVC-LED消毒装置-CN202223422490.3有效
发明人：郑小平;江安琪尔;周红梅;童玉珍;王永志;陈明辉 -专利权人：东莞市中皓照明科技有限公司;北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C02F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于饮用水设备后端出水口的UVC‑LED消毒装置，包含冷热进水口、出水口、透明光照水流管、水流传感器、UVC‑LED光源、LED驱动电源和LED外壳散热体；透明光照水流管两端分别连接冷热进水口和出水口；水流传感器设置在透明光照水流管与冷热进水口的连接处；透明光照水流管还设置有透明螺旋蛇形内芯管。本实用新型选取最大值的紫外线照射剂量进行杀菌消毒，依据最大值的紫外线照射剂量计算出UVC‑LED灯珠的数量和LED辐射功率，再进行UVC‑LED光源的电子线路排布和PCB板制作，能够使用UV‑LED紫外线消毒杀灭饮用水中的微生物、细菌或病毒，使其水质指标及限制和菌落总数符合国家标准。
用于饮用水设备后端出水口 uvc led 消毒装置

[发明专利]一种气体驱动的可自动升降搅拌装置-CN202211704586.0在审
发明人：张敏;刘南柳;姜永京;陈垦宇;王琦 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体驱动的可自动升降搅拌装置，该装置包括壳体、升降杆、转轴、涡轮、活塞。其中，壳体的最上部是压力腔，压缩气体可通过气路进入压力腔控制升降杆的升降，涡轮安装固定在转轴上，涡轮上下通过转轴各配置一个活塞，转轴顶部与升降杆下部连接同一活塞。涡轮处设计有进气口与出气口，压缩气体可进入推动涡轮旋转。本发明装置同时设有升降与搅拌的双重功能，且都是压缩气体驱动，既解决了电力驱动搅拌装置容易短路、易腐蚀、难以适应高温高压环境的问题，又可以通过升降装置实现反应溶液的间断性搅拌。引入压缩气体作为驱动动力，不仅降低了升降旋转装置的加工制造成本，而且增加了设备的安全运行性。
一种气体驱动自动升降搅拌装置

[发明专利]一种AI图像识别智能控制植物光照装置-CN202211595399.3在审
发明人：王永志;童玉珍;郑小平;陈明辉;王琦;王新强 -专利权人： 北京大学东莞光电研究院;东莞市中皓照明科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H05B47/125 文献下载
摘要：本发明公开一种AI图像识别智能控制植物光照装置，包括图像采集组件、图像识别与处理系统、数据存储与样本匹配模块、智能驱动模块及电源系统、植物光照LED光源系统组件、LED光照装置外壳及散热系统。本发明植物光照装置通过采集的植物图像通过识别与处理系统智能模块的数据处理，再传输复制到数据存储与样本匹配模块进行植物种类和生长形态的识别和判定处理，再输出相对应的数字信号到智能驱动模块及电源系统进行植物照明PWM调光调色，调节白光、蓝光、红光和紫外光的光谱、光强、光质。利用LED植物灯的融入的植物图像识别与处理系统来控制该植物的各种光照参数信息，使植物光合作用的需求的参数更加的精确、高效。
一种 ai 图像识别智能控制植物光照装置

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