[发明专利]碳化硅半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201911328027.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN113013036B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 田意;徐大伟 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体器件的制作方法，该制作方法包括形成以下结构：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层，隔离介质层的介电常数介于1～3之间；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上。本发明在源极金属层与栅极层之间，采用介电常数介于1～3之间的低k介质作为隔离介质层，相比于采用如二氧化硅等介质材料作为隔离介质层来说，在相同介质厚度情况下，可以大大减少源极金属层与栅极层之间的输入电容，提高器件的开关速度，降低导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
