[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710526266.3 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107331708B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 段献学;宫奎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，以简化薄膜晶体管的制作方法。所述制作方法包括：在衬底基板上形成有源层；在有源层的表面形成金属层；采用一次构图工艺和氧化处理工艺对金属层进行处理，使得金属层形成源漏极和钝化层；源漏极与所述有源层接触，钝化层形成在源漏极远离有源层的一侧。所述阵列基板的制作方法包括上述薄膜晶体管的制作方法。本发明提供的薄膜晶体管的制作方法用于显示装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有源层；在所述有源层的表面形成金属层；采用一次构图工艺和氧化处理工艺对所述金属层进行处理，使得所述金属层形成源漏极和钝化层；所述源漏极与所述有源层接触，所述钝化层形成在所述源漏极远离所述有源层的一侧。
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