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- [实用新型]标准气体切换装置-CN202223446461.0有效
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田意
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上海北分科技股份有限公司
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2022-12-22
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2023-07-04
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G01N33/00
- 本公开实施例中提供标准气体切换装置，装置包括：选通阀，包括：阀腔；与阀腔连通的至少第一输入口、第二输入口及输出口；第一输入口连通第一标准气体源，第二输入口连通第二标准气体源，输出口连通于气体检测设备；阀芯，可双向运动地设于阀腔内，阀芯在两个方向上的运动切换选通阀的阀门状态，阀门状态包括第一输入口和输出口连通的第一状态、以及第二输入口和输出口连通的第二状态；驱动组件，连接阀芯，受控驱动阀芯沿指示方向运动。通过装置可以自动切换所需标准气体的输出，避免人手工操作的繁琐程序，也避免接头安装、更换导致的泄漏问题。
- 标准气体切换装置
- [发明专利]碳化硅半导体器件的制作方法-CN201911328027.2有效
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田意;徐大伟
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-12-20
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2023-03-14
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H01L21/336
- 本发明提供一种碳化硅半导体器件的制作方法，该制作方法包括形成以下结构：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层，隔离介质层的介电常数介于1～3之间；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上。本发明在源极金属层与栅极层之间，采用介电常数介于1～3之间的低k介质作为隔离介质层，相比于采用如二氧化硅等介质材料作为隔离介质层来说，在相同介质厚度情况下，可以大大减少源极金属层与栅极层之间的输入电容，提高器件的开关速度，降低导通损耗。
- 碳化硅半导体器件制作方法
- [发明专利]碳化硅半导体器件的制作方法-CN201911328043.1有效
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田意;徐大伟
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-12-20
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2023-03-14
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H01L29/06
- 本发明提供一种碳化硅半导体器件的制作方法，包括形成以下结构：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本发明在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。
- 碳化硅半导体器件制作方法
- [实用新型]电池模组的吊装装置-CN202220741661.X有效
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田意;邢现卓
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蜂巢能源科技股份有限公司
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2022-03-30
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2022-09-13
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B66C1/66
- 本实用新型提供了一种电池模组的吊装装置，用于吊装电池模组，吊装装置吊装装置包括具有吊装部的吊装架和两个吊装单元；吊装装置吊装架包括平行布置的两个横梁，以及平行布置的两个纵梁，两吊装装置纵梁沿吊装装置横梁的长度方向间隔的连接于两吊装装置横梁上，且两吊装装置横梁之间和/或两吊装装置纵梁之间的间距可调；两吊装装置吊装单元分别设于两吊装装置纵梁上，并与吊装装置电池模组两端的端板相连。本实用新型所述的电池模组的吊装装置，通过设置两横梁和/或两纵梁之间的间距可调，有利于吊装不同长度和/或宽度的电池模组，进而有利于提高吊装装置的通用性。
- 电池模组吊装装置
- [实用新型]用于电池模组侧板的上料工装-CN202122382703.3有效
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田意;邢现卓;李运
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蜂巢能源科技有限公司
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2021-09-29
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2022-06-14
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H01M50/244
- 本实用新型涉及一种用于电池模组侧板的上料工装，包括基座，设于基座上、并具有至少一个定位组件的第一定位部，定位组件包括相对布置的第一定位件和第二定位件；第一定位件和第二定位件上分别设有第一定位槽和第二定位槽；第二定位槽连通有容置槽，侧板本体可插设入第二定位槽中，绝缘膜外伸的部分容置于容置槽中。本实用新型所述的上料工装，通过设置具有第一定位槽的第一定位件，以及具有第二定位槽和容置槽的第二定位件，可使侧板插入定位组件时，即可实现对侧板的定位，从而可直接从工装中抓取侧板，一步到位，减少皮带线的传送及二次定位，效率更高；另外，第一定位槽和第二定位槽的结构差异性较大，从而能够保证了侧板放置的防呆要求。
- 用于电池模组工装
- [实用新型]夹具标定装置-CN202121776377.8有效
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王俊伟;李运;魏鑫;邢现卓;田意
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蜂巢能源科技有限公司
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2021-07-30
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2021-12-10
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B25B11/00
- 本实用新型提供了一种夹具标定装置，用于标定夹具的两个夹持部之间的夹持间距，该夹具标定装置包括标定结构和间距测量部，标定结构配置于两夹持部之间，并包括第一标定件，相对于第一标定件滑动设置的第二标定件，以及设于第一标定件和第二标定件之间的弹性件；弹性件因第一标定件和第二标定件的靠近而压缩蓄能；间距测量部设于标定结构上，用以测量第一标定件和第二标定件之间的间距，基于间距测量部，标定结构因被两夹持部的夹持而可缩短至目标长度。本实用新型所述的夹具标定装置，通过间距测量部对第一标定件和第二标定件之间的间距的测量，能够在标定结构缩短至目标长度时，确定两夹持部之间的夹持间距，并具有较好的使用效果。
- 夹具标定装置
- [实用新型]一种色带墨斗以及针式打印机-CN202023198681.7有效
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田意
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田意
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2020-12-25
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2021-10-01
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B41J32/02
- 本实用新型公开了一种色带墨斗，包括圆筒状的大墨斗盒体和圆筒状的小墨斗盒体，大墨斗盒体的上端和小墨斗盒体的上端均设有第一开口，大墨斗盒体的相对的两侧壁上均设有第二开口，大墨斗盒体内侧壁上固定设有小墨斗盒体，大墨斗盒体内塞满了吸附材料，小墨斗盒体内塞满了带有墨汁的吸附材料，小墨斗盒体的中部设有弧形的第三开口，两个第二开口之间设有色带，色带的两端分别从两个第二开口穿过并伸出，第三开口上嵌设有浸染笔头。有益效果是：当色带从大墨斗盒体内通过时，小墨斗盒体通过浸染笔头为色带进行染色，从而延长了针式打印机的色带的带基的使用寿命且节约资源，其次是为针式打印机的用户节约了耗材成本。
- 一种色带墨斗以及针式打印机
- [发明专利]碳化硅半导体器件-CN201911330163.5在审
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田意;徐大伟
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-12-20
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2021-06-22
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H01L29/78
- 本发明提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本发明在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。
- 碳化硅半导体器件
- [发明专利]碳化硅半导体器件-CN201911328023.4在审
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田意;徐大伟
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-12-20
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2021-06-22
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H01L29/78
- 本发明提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层，隔离介质层的介电常数介于1～3之间；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上。本发明在源极金属层与栅极层之间，采用介电常数介于1～3之间的低k介质作为隔离介质层，相比于采用如二氧化硅等介质材料作为隔离介质层来说，在相同介质厚度情况下，可以大大减少源极金属层与栅极层之间的输入电容，提高器件的开关速度，降低导通损耗。
- 碳化硅半导体器件
- [实用新型]碳化硅半导体器件-CN201922311925.9有效
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田意;徐大伟
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-12-20
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2020-06-23
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H01L29/78
- 本实用新型提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上，位于隔离介质层上的源极金属层具有贯穿源极金属层的通孔阵列，以减少源极金属层与栅极层的重叠面积。本实用新型在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，从而降低源极金属层与栅极层之间的输入电容的面积，降低输入电容，提高器件的开关速及降低导通损耗。
- 碳化硅半导体器件
- [实用新型]碳化硅半导体器件-CN201922313992.4有效
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田意;徐大伟
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上海新微技术研发中心有限公司
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2019-12-20
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2020-06-23
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H01L29/78
- 本实用新型提供一种碳化硅半导体器件，器件包括：N型衬底；N型漂移层，位于N型衬底上；P型阱区，位于N型漂移层中；N型源区，位于P型阱区内；栅介质层，至少横跨于N型源区及N型漂移层之间；栅极层，位于栅介质层上；隔离介质层，包覆于栅极层，隔离介质层的介电常数介于1～3之间；源极金属层，与N型源区接触，并延伸覆盖于隔离介质层上。本实用新型在源极金属层与栅极层之间，采用介电常数介于1～3之间的低k介质作为隔离介质层，相比于采用如二氧化硅等介质材料作为隔离介质层来说，在相同介质厚度情况下，可以大大减少源极金属层与栅极层之间的输入电容，提高器件的开关速度，降低导通损耗。
- 碳化硅半导体器件
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