[发明专利]一种深沟槽的功率半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810089845.0 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108133965A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种深沟槽的功率半导体器件，其中，包括：半导体基板被划分为有源区和终端保护区，有源区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，终端保护区包括与漏极相连的漏极金属，在漏极金属上设有第一导电类型硅衬底，第一导电类型硅衬底上设有第一导电类型外延层，终端保护区内的第一导电类型外延层的上表面设有第二导电类型第一阱区，第二导电类型第一阱区内设有多个窄沟槽，在窄沟槽下端设有第二导电类型第二阱区。本发明还公开了一种深沟槽的功率半导体器件的制作方法。本发明提供的深沟槽的功率半导体器件能够降低有源区内最外围的沟槽底部的电场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 功率半导体器件 漏极金属 深沟槽 导电类型 硅衬底 终端保护区 外延层 窄沟槽 漏极 源区 阱区 半导体技术领域 半导体基板 终端保护 上表面 下端 制作 外围 | ||
【主权项】：
一种深沟槽的功率半导体器件，其特征在于，所述深沟槽的功率半导体器件包括：半导体基板被划分为有源区（01）和终端保护区（02），所述有源区（01）位于所述半导体基板的中心区，所述终端保护区（02）位于所述有源区（01）的外圈且环绕包围所述有源区（01），所述有源区（01）包括与漏极相连的漏极金属（1），在所述漏极金属（1）上设有第一导电类型硅衬底（2），第一导电类型硅衬底（2）上设有第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）的上表面设有第二导电类型体区（10），在所述第二导电类型体区（10）内设有沟槽（4），所述沟槽（4）位于所述第二导电类型体区（10）的表面，且伸入所述第二导电类型体区（10）下方的第一导电类型外延层（3）内，所述沟槽（4）内的中心区填充有导电多晶硅（6）以及位于所述导电多晶硅（6）外圈的第一类绝缘介质体（5），所述终端保护区（02）包括与漏极相连的漏极金属（1），在所述漏极金属（1）上设有第一导电类型硅衬底（2），所述第一导电类型硅衬底（2）上设有第一导电类型外延层（3），所述终端保护区（02）内的第一导电类型外延层（3）的上表面设有第二导电类型第一阱区（15），所述第二导电类型第一阱区（15）内设有多个窄沟槽（17），在所述窄沟槽（17）下端设有第二导电类型第二阱区（14）。
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