[发明专利]一种雪崩光敏器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种雪崩光敏器件及其制备方法，该雪崩光敏器件包括：位于半导体衬底中的P型深沟槽和N型深沟槽；P型深沟槽侧壁和底部周围具有P型扩散过渡层；N型深沟槽侧壁和底部周围具有N型扩散过渡层，使P型深沟槽和N型深沟槽之间的以及P型深沟槽底部的、N型深沟槽底部的半导体衬底中形成过渡区，从而形成P‑I‑N结构，并且，还可以利用离子注入形成P型深沟槽和N型深沟槽。当入射光入射时，入射光在PIN结构之间的距离增大，从而增加对入射光的吸收。

主权项

一种雪崩光敏器件，位于一半导体衬底上，其特征在于，包括位于半导体衬底中的P型深沟槽和N型深沟槽；其中，P型深沟槽侧壁和底部周围具有P型扩散过渡层；N型深沟槽侧壁和底部周围具有N型扩散过渡层，使P型深沟槽和N型深沟槽之间的半导体衬底、P型深沟槽底部的半导体衬底、以及N型深沟槽底部的半导体衬底中形成过渡区，形成P‑I‑N结构。