[发明专利]一种IGBT深沟槽光刻工艺在审

申请号：	201410848051.X	申请日：	2014-12-31
公开（公告）号：	CN104505339A	公开（公告）日：	2015-04-08
发明（设计）人：	宋里千;黄建伟;罗海辉;陈辉	申请（专利权）人：	株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/312;H01L21/331;G03F7/00
代理公司：	长沙正奇专利事务所有限责任公司43113	代理人：	卢宏
地址：	412001***	国省代码：	湖南;43
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摘要：	本发明涉及一种IGBT深沟槽光刻工艺，属于微电子领域。本发明为解决深沟槽底部图形刻蚀不充分等问题，提供一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻。本发明的有益效果是，通过在IGBT深沟槽内预填充一种有机材料可以实现深沟槽底部充分、规则的刻蚀。
搜索关键词：	一种 igbt 深沟光刻工艺
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【主权项】：

一种IGBT深沟槽光刻工艺，依次包括以下步骤：(1)在衬底表面和深沟槽内涂上有机材料，所述有机材料不溶于显影液，且能被刻蚀；(2)除去衬底表面的有机材料，使剩余的有机材料填充在深沟槽内；(3)在衬底表面和有机材料表面涂上光刻胶；(4)使光刻胶曝光；(5)用显影液除去位于深沟槽上方的光刻胶；(6)对深沟槽内的有机材料及深沟槽底部的晶圆进行刻蚀；(7)除去衬底表面的光刻胶，完成IGBT深沟槽的光刻。

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摘要：一种切割晶片的方法包括：提供晶片；以及蚀刻晶片，以使限定在晶片的内部区内的切口线区段之间的管芯单片化，并且使在切口线区段与晶片的圆周边缘之间的多个晶片边缘区域单片化。多个晶片边缘区域中的每一个通过如下切口线被单片化：切口线中的每条均在切口线区段之一的两个端点中的一个端点与晶片的圆周边缘之间延伸。

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半导体装置结构的形成方法-201810596821.4
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发明人：裵根熙;朴钟撤;金俊胜;朴胜周;朴荣周;李学善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/027
摘要：本发明提供一种用于形成精细图案的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成线图案和连接图案，该线图案沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，该连接图案连接在第二方向上彼此相邻的线图案的部分；以及对连接图案执行离子束蚀刻工艺。该离子束蚀刻工艺在平行于由第一方向和垂直于半导体衬底的顶表面的第三方向限定的平面的入射方向上提供离子束，并且该离子束的入射方向不垂直于半导体衬底的顶表面。

用于产生掩模的高密度配准映射图的方法、系统及计算机程序产品-201580018393.1
发明人： F·拉斯克;M·M·丹尼斯帕纳;P·苏布拉马尼扬;熊亚霖 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2015-04-02 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/027
摘要：本发明揭示一种用于产生用于掩模的高密度配准映射图的方法及系统。数据准备模块产生所述掩模的多个锚点。另外，所述数据准备模块产生多个样本点。也在所述数据准备模块中产生权重，且所述权重随后被用于数据融合模块中。根据所产生的配方，在掩模坐标系中用配准工具来测量锚点的位置。根据所产生的配方，在掩模坐标系中用检验工具来确定样本点的位置。将所述锚点的所述测量的位置及所述样本点的所述测量的位置传递到数据融合模块，其中确定配准映射图。

衬底处理方法及设备-201810293272.3
发明人：中野昭典;野沢俊久;中野竜 -专利权人： ASM知识产权私人控股有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/027
摘要：本发明提供能够实现均匀修整衬底的整个表面的衬底处理设备及衬底处理方法。衬底处理设备包含：气体通道，包含中心进气口及与中心进气口间隔开的额外进气口；以及喷淋板，包含连接到中心进气口及额外进气口的多个孔洞，其中气流通道经形成具有由气体通道的下表面及喷淋板的上表面界定的间隙，下表面及上表面实质上平行。本发明的第二修整气体与第一修整气体独立供应，可执行对图案结构的均匀修整。

半导体制造中的间隔物限定的直接图案化方法-201910110274.9
发明人：野泽俊久;石川大;久保田智广 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/027
摘要：一种半导体制造中的间隔物限定的直接图案化方法包括：提供具有线的目标宽度的光致抗蚀剂结构；修整所述光致抗蚀剂结构，使得每个修整过的光致抗蚀剂结构的宽度小于所述目标宽度；在模板上沉积氧化物膜，从而用所述氧化物膜完全覆盖所述模板的暴露顶表面和所述修整过的光致抗蚀剂结构；蚀刻所述氧化膜覆盖的模板以去除所述氧化膜的不需要部分而不去除所述修整过的光致抗蚀剂结构，从而形成彼此隔离的竖直间隔物，每个间隔物基本上保持所述目标宽度并由所述修整过的光致抗蚀剂结构和覆盖所述修整过的光致抗蚀剂结构的侧壁的所述氧化膜的竖直部分构成；以及蚀刻形成间隔物的模板，以将由所述间隔物构成的图案转移到所述模板上。

为嵌入式电阻器形成可调温度系数的方法-201380079153.3
发明人： W·哈菲兹;李呈光;C-H·简 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/027
摘要：说明了形成具有可调电阻温度系数的电阻器结构的方法。这些方法和结构可以包括在器件衬底上的源极开口/漏极开口附近的电阻器材料中形成开口，在电阻器材料与源极开口/漏极开口之间形成电介质材料，及更改电阻器材料，其中，借助更改调节电阻器材料的电阻温度系数(TCR)。更改包括调整电阻器的长度，形成复合电阻器结构，及形成替换电阻器。

半导体器件的刻蚀方法-201710079125.1
发明人：黄冲;李志国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/027
摘要：本发明提供一种半导体器件的刻蚀方法，包括步骤S10，提供圆形半导体晶片，其包括半导体衬底，位于半导体衬底上的半导体器件层，半导体器件层上的金属层，所述半导体器件层包括位于晶片边缘的通孔结构；S20，在所述金属层上涂覆光刻胶层；S30，利用EBR方法去除所述半导体晶片边缘的光刻胶，使得所述位于晶片边缘的通孔结构被光刻胶所覆盖；从而通过在边缘光刻胶的去除步骤中进行改进，达到同样的目的，从而改善了晶片边缘的通孔被刻蚀穿通的问题，提高了半导体器件的可靠性。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种IGBT深沟槽光刻工艺在审

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