[发明专利]深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法，包括步骤：在定义深沟槽图形的掩膜板上定义出分析沟槽图形。同时刻蚀形成深沟槽和分析沟槽。在分析沟槽中填充介质层。在深沟槽填充满硅外延层，并形成深沟槽产品。制备分析样品；对分析样品进行研磨并找到深沟槽的底部，研磨过程中利用分析沟槽中填充的介质层能够和硅直接视觉区别的特性来对深沟槽的深度进行定位。对定位好的深沟槽的底部进行物理分析。本发明能够在分析样品制备过程中实现对深沟槽低端的准确定位，从而能解决深沟槽产品的结构分析、失效分析是的样品制备的难题，并能带来产品的质量提升和工艺改善。

主权项

一种深沟槽产品的深沟槽底端定位的物理分析方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在版图设计及掩膜板订做时，在定义深沟槽产品的深沟槽图形的掩膜板一上定义出分析沟槽图形；步骤二、利用所述掩膜板一的定义，采用光刻刻蚀工艺在硅片上的芯片区形成深沟槽产品的深沟槽，同时在所述硅片上的划片槽区形成分析沟槽；所述分析沟槽和所述深沟槽的宽度相同；在俯视面上，所述芯片区为长方形或正方形，所述分析沟槽设置在所述芯片区的四条边中的一条或多条的旁侧，所述分析沟槽的长度等于所在侧的所述芯片区的边的长度且和该边平行；在剖面上，所述分析沟槽的顶部宽度均匀，所述分析沟槽的底部呈一弧度并且底部宽度会从顶部宽度的大小缩小到0；步骤三、在所述分析沟槽中填充介质层，在所述深沟槽不形成所述介质层；所述介质层的材料要求在其顶部无法形成硅外延层，所述介质层的厚度要求至少要将所述分析沟槽的底部完全填满；步骤四、采用外延工艺在所述深沟槽填充满硅外延层，并形成所述深沟槽产品；步骤五、对所述深沟槽产品进行分析，包括分步骤：步骤51、制备分析样品，通过对形成有所述深沟槽产品的硅片进行切片形成所述分析样品，该分析样品包括一个待分析芯片区和该芯片区周侧的所述分析沟槽；步骤52、对所述分析样品进行研磨并找到所述深沟槽的底部，利用所述分析沟槽中填充的所述介质层能够和硅直接视觉区别的特性来对所述深沟槽的深度进行定位，当所述分析沟槽到达底部时，在俯视面上所述分析沟槽的所述介质层的宽度会缩小、且越靠近最底端时所述介质层的宽度缩小越明显，利用所述介质层的宽度缩小明显的特性判断所述分析样品已经研磨到所述分析沟槽的底部，由于所述深沟槽的底部深度和所述分析沟槽的底部深度相同，通过从所述分析沟槽的底部拉水平线方式对所述深沟槽的底部进行定位；步骤53、对定位好的所述深沟槽的底部进行物理分析。