[发明专利]掺杂气体缓冲装置、掺杂气体供给装置及方法在审
| 申请号： | 201610825552.5 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN107815730A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 刘源;牛景豪;史红涛;林洋;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂气体缓冲装置、掺杂气体供给装置及方法，所述掺杂气体缓冲装置包括本体、覆盖本体外表面，用于为本体加热的加热装置、安装在所述加热装置外部，用于带动本体及加热装置持续上下移动的运动装置及安装在所述本体的进气口和出气口端的密封装置，对本体采用磁流体密封，以使掺杂气体与外部环境隔离；掺杂气体供给方法步骤为，掺杂气体稀释装置向掺杂气体缓冲装置充入掺杂气体，掺杂气体缓冲装置向反应室排出掺杂气体。本发明加热装置以及运动装置有助于掺杂气体游离出钢制的气缸外，可以使掺杂气体在低浓度下的长期稳定性，从而使掺杂气体在送入反应室前可以存储，而避免排放到湿法尾气处理器中而造成浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 气体 缓冲 装置 供给 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂气体缓冲装置，其特征在于，所述掺杂气体缓冲装置包括本体、加热装置、运动装置及密封装置，其中：所述加热装置覆盖所述本体外表面，用于为本体加热；所述运动装置安装在所述加热装置外部，用于带动本体及加热装置持续上下移动；所述密封装置安装在所述本体的进气口和出气口端，用于对本体内的掺杂气体进行密封。
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- 蒋国文;冉军学;何斌;黎天韵;胡国新;王其忻;胡强 - 广东省中科宏微半导体设备有限公司
- 2016-05-19 - 2016-09-07 - C30B25/14
- 本发明公开了一种用于混晶化学气相外延的进气装置，包括：设置在生长室上的混气装置，混气装置上划分有第一预设数量的混气区域；与混气区域的入口导通的第二预设数量的进气通道，混气区域的出口与生长室导通；进气通道用于各种反应气体的输入；混气区域用于预反应程度差值在预设范围内的反应气体的盛放。使用时，将各种反应气体通过进气通道输送到各自对应的混气区域，其中，同一混气区域盛放的为反应气体中预反应程度接近的气体，最后，所有反应气体进入生长室进行晶体生长。本发明将各种反应气体分开输送到各自对应的混气区域，在输入的过程中，可各自调节，且将预反应程度相差多的区分开，降低了预反应，提高了混晶的晶体质量。
- 鼓泡器-201521027881.2
- 吴庆东;周康 - 上海新傲科技股份有限公司
- 2015-12-10 - 2016-06-22 - C30B25/14
- 本实用新型提供一种鼓泡器，包括一管本体，用于存放液体反应物；第一进气管插入所述管本体中，用于将气体通入所述管本体的液体反应物中，以进行起泡，形成含有反应物的饱和气体；废液管与所述管本体连接；还包括一第二进气管，一端与所述第一进气管的进气端连通，另一端与所述废液管连通，用于在第一进气管堵塞的情况下将气体由所述废液管通入所述管本体中；第一阀门设置在废液管上，位于管本体与第二进气管连接点之间，用于控制废液管的开闭；流量监控器与所述第一进气管连接，用于监控第一进气管的气体流量；阀门控制器与所述流量监控器以及第一阀门连接，用于在流量监控器监控的第一进气管的气体流量小于预设值的情况下，控制第一阀门开启。
- 硅外延反应室的进气调节组件及气流分布调节装置-201510678674.1
- 陈庆广;陈特超;胡凡;刘欣 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2015-10-20 - 2016-03-09 - C30B25/14
- 本发明公开了一种硅外延反应室的进气调节组件及气流分布调节装置，此进气调节组件包括进气主阀、进气调节本体、进气法兰和多个调节阀，所述进气调节本体安装于进气法兰上，所述进气调节本体内设有与进气主阀连通的进气腔，所述进气法兰由内向外开设与调节阀一一对应的排气孔，所述排气孔间隔均匀、整列布置，所述排气孔与进气腔之间通过一个缓冲均压腔连通，所述调节阀的调节件伸入缓冲均压腔内且可远离或靠近排气孔的进气端。本发明的有益效果为：其缓冲均压腔使得气体缓冲、压力均匀，调节阀可调节的控制进入排气孔的进气量和流速，适应性好；且此进气调节组件为进入的工艺气体提供了密闭的通道，避免泄漏。
- 一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置-201510679240.3
- 胡凡;陈特超 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2015-10-20 - 2016-01-20 - C30B25/14
- 本发明公开了一种用于SiC外延的耐高温水平多层进气装置，包括由内至外依次同轴套设的内水套组件、进气组件和安装法兰，所述进气组件包括同轴间隔套设的多层进气圈和密封环，多层进气圈由外至内逐层伸长，每一个进气圈的顶端均开设进气口，末端沿径向向外卷折形成喇叭口状的卷折面，进气口的周缘焊接密封环，所述多个密封环均设置于安装法兰的外侧且多个密封环之间、最外层的密封环与安装法兰之间均间隔布置。本发明的有益效果为：各密封环与对应的各进气圈之间形成的焊缝均暴露在进气装置的外表面，方便检修，且各密封环之间间隔布置，方便补焊。
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