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[发明专利]一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备-CN202211008146.1有效
发明人：高平奇;赵天歌;郁建灿;朱瑞楠;朱梦琼 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明属于碲化铋单晶制备技术领域，具体涉及一种大尺寸二维热电材料碲化铋单晶的制备。为制备大尺寸Bi2Te3单晶，本发明在化学气相沉积法(CVD)的基础上，使用单温区水平管式炉通过氢气辅助的方法，并精确控制H2与惰性气体的比例，增强Te的还原性，使H2首先与Te反应生成H2Te气体，由于H2Te具有很强的还原性，可以与Bi反应生成Bi2Te3，从而提高生长速度，同时利用氢气降低衬底的吸附能，降低成核密度，还通过精确控制衬底温度(生长温度)，保证充足的Bi源和Te源供给，进而实现了大尺寸Bi2Te3单晶的制备，且制备成本低，操作简单，可批量生产。
一种尺寸二维热电材料碲化铋单晶制备

[发明专利]二维层状插层CuNb2-CN202310852826.X在审
发明人：周家东;孔德男;刘瑞斌 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维层状插层CuNb2S4晶体材料及其制备方法，属于二维材料制备领域。该制备方法包括以下步骤：将铜源、铌源和助熔剂的混合物放置于两片衬底之间，并将所述混合物和衬底放置于反应炉的中心温区，其中中心温区的温度控制在850‑950摄氏度；将硫源放置于反应炉中并位于中心温区的上游区域，距离中心温区18‑20厘米；在反应炉中通入还原性气体和惰性气体的混合气体，所述混合气体将硫蒸汽输送至中心温区，还原性气体和硫蒸汽与中心温区的铜源和铌源反应，并在衬底上沉积，从而获得二维层状插层CuNb2S4晶体材料。
二维层状 cunb base sub

[实用新型]一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置-CN202321278900.3有效
发明人：王凯;秦静 -专利权人：美若科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石单晶合成基台的稳定升降装置，涉及金刚石单晶合成技术领域，包括底座、万向轮、合成箱、基台本体、升降柱和升降组件，通过升降电机带动螺纹杆转动，螺纹杆带动螺纹环移动，螺纹环通过螺纹块带动L板移动，L板带动密封柱升降，密封柱带动基台本体进行升降，进而控制基台本体和微波等离子体之间的距离，进而控制基台本体表面的金刚石生长温度，不需要调节微波输出功率，避免影响金刚石单晶合成效率，降低合成金刚石单晶的成本，简单实用。
一种金刚石合成稳定升降装置

[发明专利]一种采用振荡温度制备二硒化钯单晶的方法与应用-CN202310682393.8在审
发明人：罗威;王万骞;何理鸣;龙明生;杨正圆;王仁钰;彭刚 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用振荡温度制备二硒化钯单晶的方法与应用，该方法包含：将Pd和Se混合压片，置于真空度为1×10‑3 5×10‑4Pa的环境中，密封，于温度为850℃ 1100℃下反应，得到多晶PdSe2；将多晶PdSe2与Se混合压片，置于真空度为1×10‑3 5×10‑4Pa的环境中，密封，于温度为750 850℃的高温区和温度为600 700℃的低温区中进行振荡温度生长，得到PdSe2单晶；其中，所述振荡温度是指高温区和低温区均以相同的振荡温度幅度和振荡时间周期进行振荡。本发明解决了现有技术中PdSe2单晶块体不仅生长速率慢、总时间较长，而且单晶的尺寸也较小的技术问题。
一种采用振荡温度制备二硒化钯单晶方法应用

[发明专利]碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法-CN202310782655.8在审
发明人：镰田功穗;土田秀一;星乃纪博;德田雄一郎;冈本武志 -专利权人：一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明是碳化硅单晶晶片及碳化硅单晶锭的制造方法。提供能获得高品位的碳化硅单晶的碳化硅单晶晶片的制造方法及碳化硅单晶晶片。通过气相生长法来制造的碳化硅单晶晶片，其中，晶片所包含的位错密度为3500个/cm2以下，在所述晶片的中心部、所述晶片的端部、及所述晶片的中间部分的比较中，所述KOH蚀坑密度的差小于平均值的50％。
碳化硅晶片单晶锭制造方法

[发明专利]制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统和方法-CN202010120753.1有效
发明人：吴锋;李明峰;赵培芝;高召帅;韩锋 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统和方法。其中，制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统包括：多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉内设有底板、多个石墨夹头、多对硅棒，所述硅棒通过所述石墨夹头设在所述底板上；所述多对硅棒包括多对内圈硅棒和多对外圈硅棒，每对所述硅棒包括1个横梁和2个棒体；多个内圈硅棒棒径检测单元，所述内圈硅棒棒径检测单元与所述内圈硅棒相连；三氯氢硅‑氢气进料管线，所述三氯氢硅‑氢气料管线与所述多晶硅还原炉相连；多个二氯二氢硅‑氢气进料喷口，所述二氯二氢硅‑氢气进料喷口布置在所述内圈硅棒的横梁与所述底板中心的连线上。该系统可以产出内应力较小区熔用电子级多晶硅产品。
制备内应力用电多晶系统方法

[发明专利]一种沉积台及MPCVD设备-CN202310482234.3在审
发明人：鲁振海;王彩利;朱肖华;张东阳;常新磊 -专利权人：河南天璇半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-04-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石制造领域，尤其涉及一种沉积台及MPCVD设备。沉积台，包括位于顶部的用于放置多个籽晶或者单个籽晶的放置台面，沉积台上设置有用于通入抑制籽晶生长气体的气道，气道具有高于放置台面且用于朝向多个籽晶中的边缘籽晶设置或者是朝向单个籽晶的边缘设置的出气口。通过在沉积台上设置气道，气道内通入对籽晶的生长抑制的气体，进而可以对特定部位的籽晶生长进行抑制；气道的出气口对准籽晶上生长较快的部分；也就是说在籽晶生长过程中，抑制边缘生长较快的籽晶的生长，使得籽晶整体生长均匀，进而解决了现有技术中籽晶边缘生长较快使得籽晶整体生长不均匀、单次生长时间短导致整体生长时间较长的问题。
一种沉积 mpcvd 设备

[发明专利]一种毫米级二维拓扑材料硒化铋单晶的制备方法-CN202210922764.0有效
发明人：高平奇;赵天歌;郁建灿;朱梦琼;朱瑞楠 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明属于拓扑绝缘体制备技术领域，具体涉及一种毫米级二维拓扑材料硒化铋单晶的制备方法。为解决目前的Bi2Se3制备方法仍无法满足低成本、可批量制备、大尺寸、高均匀性需求的问题，本发明通过限时通气(在升温过程保持真空，达到设定温度后通气的方法)，以低熔点的Bi粉和Se粉为前驱体源，精确控制衬底温度(生长温度)等方法，有效解决了成核不均匀的问题，并实现了Bi2Se3单晶片的均匀可控生长，最终获得了毫米级Bi2Se3单晶片。
一种毫米二维拓扑材料硒化铋单晶制备方法

[发明专利]一种超薄二维CoO单晶纳米片及制备方法、应用-CN202310597863.0在审
发明人：黄文娟;肖越;安楠;陈相柏 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明适用于二维纳米材料技术领域，提供了一种超薄二维CoO单晶纳米片的制备方法，包括以下步骤：采用常压CVD法，以六水氯化钴作为前驱体置于管式炉中，以蓝宝石或云母作为衬底；向管式炉中通入Ar，将管式炉的中心温度升温至600‑800℃，保温10‑60min，保温结束后，冷却至室温，取出衬底，获得超薄二维CoO单晶纳米片。本发明还提供了一种超薄二维CoO单晶纳米片的制备方法制备得到的超薄二维CoO单晶纳米片。本发明还提供了一种超薄二维CoO单晶纳米片在制备光电探测器中的应用。本发明采用常压化学气相沉积法，通过水分子的钝化、熔点较低的过渡金属氯化物前驱体和特定的衬底促进了超薄CoO纳米片的合成。
一种超薄二维 coo 纳米制备方法应用

[发明专利]一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法-CN202210982776.2有效
发明人：何军;史建平;李辉;杨俊波;李晓辉 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种大尺寸单晶二硫化钼的制备方法，包括如下步骤：将硫源置于第一温区，将钼源及氯化亚铁粉置于第二温区，将蓝宝石衬底置于第三温区；使载气依次通过所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区；将所述第一温区、所述第二温区和所述第三温区升温至各自的预定温度，进行单晶二硫化钼的生长。本申请制备方法，采用氯化亚铁辅助化学气相沉积的方法，在普通无切角蓝宝石衬底上即可制备晶圆级别单晶二硫化钼薄膜，铁掺杂可进一步调控二硫化钼的能带结构，优化沟道与电极的接触；简单易操作，过程可控，所得二硫化钼晶体畴区取向一致、无畴区晶界，表现出良好的层数均匀性和晶体质量。
一种尺寸二硫化钼制备方法

[发明专利]一种1T相CrTe2-CN202310488717.4在审
发明人：杨德仁;刘继伟;徐明生 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种1T相CrTe2薄膜的大面积低温制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用含Cr的均匀连续薄膜作为固态的第一前驱体，其中采用Cr，Cr2O3作为铬源；步骤2：处理碲源使其形成气态的第二前驱体，其中采用碲粉作为碲源；步骤3：在还原性气氛下，将气态的第二前驱体传质到带有第一前驱体的基底上进行化学反应，形成二维CrTe2材料；步骤4：所述化学反应在等离子体辅助下进行，等离子体功率为100‑500W。本发明使用含Cr的大面积薄膜作为铬源，使用等离子体增强化学气相沉积技术，实现了低温制备晶圆级CrTe2薄膜，提高了制备效率和材料产量，方法简单，可靠性高。
一种 crte base sub

[发明专利]一种超临界流体状态下生长晶体的装置及方法-CN202310597129.4在审
发明人：王书杰;孙聂枫;史艳磊;王阳;徐森锋;顾占彪;张晓丹;康永;赵红飞;李亚旗 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了超临界流体状态下生长晶体的装置及方法，属于半导体材料的制备领域，所述装置包括炉体、上下设置在炉体内部的高温室、生长室和贯穿高温室、生长室的反应气体通道；在高温室中的坩埚中放置单质熔体，将超临界流体通过反应气体通道注入到熔体中，在高温下，熔体原子混合进入高温超临界流体中，超临界流体然后进入生长室中，遇到温度较低的籽晶，开始生长化合物晶体。采用本发明提出的装置和方法，原料不使用多晶料而使用纯元素A，反应气体即起到携带纯元素A的作用，在生长室还与纯元素A合成晶体，提高效率；反应气体在反应过程中从外部注入，速度和数量可控，加快晶体生长。
一种临界流体状态生长晶体装置方法

[发明专利]一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法-CN202310643526.0在审
发明人：柯少颖;季天;李志明;周锦荣;黄志伟 -专利权人：闽南师范大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶二维硒化铂薄膜的制备方法，其特征在于：制备单晶硒化铂薄膜化学气相沉积装置为：以直径大于等于9cm的石英管的石英管腔体作为反应腔体，一端为载气入口，另一端为载气出口，惰性气体作为载气；反应腔体内包含两个温区，气流上游为低温区，用石英片放置硒粉，气流下游为高温区，放置氧化硅衬底作为铂源基底，两个温区相通；低温区以1‑5小时上升到350℃后保持3‑8小时，高温区以1‑5小时上升到500～600℃后保持3‑8小时，保持过程即为硒化过程。本发明可制备出均匀高质量的单晶硒化铂薄膜。
一种二维硒化铂薄膜制备方法

[发明专利]一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法-CN202310431729.3在审
发明人：王学锋;陈业全;宋安柯;陈中强;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法，属于电子材料技术领域，本发明方法首先准备好基片与铬碲元素化合物靶材，使用泵组将腔室内压抽至真空后，对基片进行加热至恒定温度，采用准分子激光器将激光聚焦到靶材上，沉积全程通过RHEED高能电子衍射仪保持实时原位监控，观察到沉积薄膜RHEED衍射斑点为清晰三维点阵图形后，将腔室内温度降至室温，取出基片对所得碲化铬单晶薄膜进行表征测试。测量结果表明，本方法为本技术领域内首次获得居里温度高于室温的碲化铬铁磁薄膜，其拓扑霍尔电阻率最大幅度值在现有观测到拓扑霍尔效应的所有碲化铬材料体系中最高，方法具有较高的制备效率，可拓展到制备其它高质量的碲化物薄膜。
一种具有巨大拓扑霍尔效应碲化铬薄膜外延生长方法

[发明专利]一种碳化硅及其生长装置和生长方法-CN202310623791.2在审
发明人：张永伟;袁振洲;刘欣宇 -专利权人：江苏超芯星半导体有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅及其生长装置和生长方法，所述生长装置包括：容器本体；保温层，设置于所述容器本体的内部，所述保温层的顶部设置有一开口，所述开口能容纳测温装置；坩埚，设置于所述保温层的内部，所述坩埚的底部设置有凸设于所述坩埚内部的腔室，所述坩埚包括坩埚盖，位于所述坩埚的顶部，所述坩埚盖上开设有贯穿的孔洞；发热体，所述发热体包括柱体和盘体，所述柱体嵌入到所述腔室内，所述盘体设置于所述保温层的内部；感应线圈，设置于所述容器本体的周围。采用该装置合成的碳化硅后续无需酸洗，且料块松散，无需采用常规破碎工艺，可有效避免金属污染问题，并且破碎后仅采用少量纯水即可进行冲洗，有效减少了纯水用量，降低了成本。
一种碳化硅及其生长装置方法

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