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[实用新型]检测装置-CN202320752587.6有效
发明人：朱亮;谢龙辉;吴霏霏;张夫明;黄张楠 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种检测装置。所述检测装置包括第一光源、反射镜和图像生成装置，第一光源用于向待测物发射光线，反射镜和第一光源在第一方向间隔排布，反射镜用于将待测物反射的光线二次反射，图像生成装置与反射镜在第一方向上间隔排布，以用于获取反射镜二次反射的光线并生成图像。本实用新型实施例的检测装置设置第一光源向待测物发射光线，设置反射镜将待测物反射的光线二次反射，其中包括待测物在移动方向上的正端面反射的光线，图像生成装置获取二次反射的光线并生成图像，以获取待测物正端面的图像，从而能够观察到正端面上的全部崩边缺陷。
检测装置

[发明专利]单晶硅融化控制方法、装置、设备及存储介质-CN202310857131.0在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;文灿华 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本公开提供一种单晶硅融化控制方法、装置、设备及介质。在本公开的一些实施例中，采集单晶硅在单晶炉内融化过程中至少一个旋转周期内的多张图像；将每张图像输入已经训练完成的语义分割模型，得到每张图像中像素的像素类型，通过语义分割模型对图像中的像素进行自动分类；根据多张图像中像素的像素类型，自动确定单晶硅的目标固液比值，使用语义分割模型，基于像素的分割计算，比传统轮廓提取准确率更高，固液比计算更加准确；根据单晶硅的目标固液比值，进行功率控制操作，相比采用人工进行功率控制，降低人力成本，提高功率控制的准确率。
单晶硅融化控制方法装置设备存储介质

[发明专利]单晶硅制备装置及方法-CN202211322619.5有效
发明人：曹建伟;朱亮;高宇;叶钢飞;陈思源 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶硅制备装置，装置包括：晶体生长炉本体；坩埚；升降机构，用于将籽晶垂直升降；导流筒；装置还包括：主加热单元，设在位于坩埚外侧；副加热单元，位于坩埚和导流筒之间，处于熔体液面上方，用于对熔体进行加热；控制单元，用于控制主加热单元和/或副加热单元的功率，以使晶体等径生长；其中，控制单元在控制加热单元的功率时，控制单元优先选择控制副加热单元。本申请还提供一种单晶硅制备方法。本申请通过增设一直接向熔体液面辐射热量的副加热单元，通过调节副加热单元的功率影响熔体液面温度，可以有效延长坩埚的使用寿命。
单晶硅制备装置方法

[发明专利]一种硅片脱胶检测方法、装置、设备及存储介质-CN202310642959.4在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;汪崇智 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明涉及硅片技术领域，尤其涉及一种硅片脱胶检测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取硅片脱胶图像集，并对所述硅片脱胶图像集进行预处理，得到预处理图像集，对所述预处理图像集进行特征提取，得到特征图像集，利用所述特征图像集对预训练模型训练，得到训练完成的硅片脱胶检测模型，利用所述硅片脱胶检测模型对待检测硅片图像集进行检测，得到硅片脱胶检测结果，将所述硅片脱胶检测结果中未脱胶硅片厚度合并计算，得到未脱胶硅片总厚度，基于预设阈值与所述未脱胶硅片总厚度进行比较，对判定为未脱胶成功的晶棒进行脱胶处理，完成硅片脱胶，从而减轻人工检测的劳动强度，并减少人工检测的错误，从而极大地提高了检测精度和速度。
一种硅片脱胶检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种单晶硅拉晶复投检测方法、装置、设备及存储介质-CN202310645833.2在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;陈双 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明涉及直拉硅单晶技术领域，尤其涉及一种单晶硅拉晶复投检测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取单晶硅拉制图像集，并对单晶硅拉制图像集进行标注处理，得到标注图像集，对标注图像集进行特征提取，得到特征图像集，利用特征图像集对预训练模型训练，得到训练完成的单晶硅复投检测模型，利用单晶硅复投检测模型对待检测单晶硅图像集进行像素级分割，得到像素分类检测结果，对结果硅料待熔量进行判断处理，若当前未开始投料且待熔料量小于预设值，则进行复投料，否则持续检测是否可投料，若已开始投料，判断投料是否完成，直到工步完成，降低人工成本，保证结果一致性与准确性，提高设备利用率，实现了高效、准确的单晶硅拉晶复投检测。
一种单晶硅拉晶复投检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种单晶硅生长变形检测方法、装置、设备及存储介质-CN202310645681.6在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;陈双 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其涉及一种单晶硅生长变形检测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取单晶硅拉制图像集，并对所述单晶硅拉制图像集进行标注处理，得到标注图像集，对所述标注图像集进行特征提取，得到特征图像集，利用所述特征图像集对预训练模型训练，得到训练完成的单晶硅检测模型，利用所述单晶硅检测模型对待检测单晶硅图像集进行检测，得到单晶硅检测结果，对所述单晶硅检测结果中发生形变的单晶硅进行处理，恢复单晶硅制备，基于深度学习卷积神经网络的理论，自动、实时、精准地判断等径晶棒生长是否有扭曲变形的存在，输出变形的程度进行生产操作，提高设备的整体自动化水平。
一种单晶硅生长变形检测方法装置设备存储介质

[实用新型]硅片上料装置-CN202320705939.2有效
发明人：朱亮;谢龙辉;吴霏霏;张夫明;黄张楠 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅片上料装置，所述硅片上料装置包括第一基座、第一升降件、承载平台、第一止挡件和第二止挡件，第一升降件设在第一基座上，承载平台设在第一升降件上，第一止挡件设在第一基座上，并相对于第一基座可沿第一方向移动，承载平台在第一方向的两侧分别设有第一止挡件，第二止挡件设在第一基座上，并相对于第一基座可沿第二方向移动，承载平台在第二方向的两侧分别设有第二止挡件。本实用新型的硅片上料装置在第一基座上设置用于止挡硅片的第一止挡件和第二止挡件，且第一止挡件和第二止挡件均可朝向和远离承载平台移动，以使承载平台上能够放置不同尺寸的硅片。
硅片装置

[发明专利]基于最优目标肩形的直拉单晶硅放肩自适应拉速控制方法-CN202310674504.0在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;李岁寒 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请提出了一种基于最优目标肩形的直拉单晶硅放肩自适应拉速控制方法，涉及光伏、半导体单晶拉制生产技术领域，包括：从拉晶历史状态数据筛选数据集，并对数据集进行预处理与放肩初始剩料重量划分，得到不同剩料重量下的放肩扩断数据集和放肩非扩断数据集；在同一剩料重量区间内，采用相似度衡量指标对放肩扩断数据集进行补全，并基于补全数据获得该剩料重量区间内的最优目标肩形；根据最优目标肩形与晶体直径预测模型，获取设定直径变化率与预测直径变化率；建立拉速推荐适应度约束函数，将预测直径变化率与设定直径变化率输入得到推荐拉速输出值。基于本申请提出的方法，能够有效提高单晶硅放肩的成活率与肩形一致性，减少工时浪费。
基于最优目标单晶硅自适应控制方法

[发明专利]单晶硅引晶拉速设定、调控方法及装置-CN202310660360.3在审
发明人：曹建伟;傅林坚;刘华;胡子武 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司;浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提出一种单晶硅引晶拉速设定、调控方法及装置，涉及单晶硅生产技术领域，方法包括：获取由单晶硅引晶过程中产生的引晶历史数据确定的多个引晶样本数据集，基于多个引晶样本数据集，求解单晶硅引晶拉速过程中对应的最优引晶目标拉速，并选取出与单晶硅引晶拉速相关的特征监测变量，以根据特征监测变量与单晶硅引晶拉速的对应关系，构建引晶拉速预测模型；在任一目标时刻的引晶拉速需要调控的情况下，根据最优引晶目标拉速与引晶拉速预测模型在目标时刻的预测引晶拉速之间的偏差，对目标时刻的引晶拉速进行调控，由此，基于最优引晶目标拉速与预测引晶拉速之间的偏差，进行引晶拉速的超前、自适应、精准调节，提高拉速控制的精度和稳定性。
单晶硅引晶拉速设定调控方法装置

[发明专利]单晶硅制备装置及方法-CN202211322995.4有效
发明人：曹建伟;朱亮;傅林坚;高宇;王小飞 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本申请提供一种单晶硅制备装置，装置包括：坩埚，用于盛放熔体以制备晶体；加热单元，用于加热坩埚，以提供制备晶体所需温度；装置还包括：图像传感单元，用于跟踪获取晶体的直径变化；控制单元，根据晶体的直径变化以及放肩时间，调节加热单元的功率，以使晶体的直径达到设定直径。本申请还提供一种单晶硅制备方法。本申请提供的单晶硅制备装置及方法将晶体直径变化以及放肩时间相结合，结合模拟计算从而对放肩过程的整体加热功率进行调节，在不同热场下具有更好的适用性。同时，在规模化生产中，使用同一套参数可以修正设备之间的差异保证了生产的稳定性。
单晶硅制备装置方法

[发明专利]驱动机构、晶片表面清理设备及抛光设备-CN202311042729.0在审
发明人：朱亮;李阳健;陈道光;罗洪吉;夏希林 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种驱动机构、晶片表面清理设备及抛光设备，驱动机构包括转料驱动件、输出轴、轮体支架和从动轮，输出轴连接于转料驱动件并能够转动，从动轮转动安装于轮体支架，输出轴及/或从动轮套设有可弹性形变的蓄水套，蓄水套在受压状态下释放液体。蓄水套能够在晶片边缘的压力作用下被加压，从而排出具有一定初速度的液体，因此可以利用从蓄水套中排出的液体清洗晶片的外周边缘，更好地清除晶片表面的杂质及晶粒残留，提高了晶片的清洗质量；此外，蓄水套可以对晶片起到一定的缓冲减震作用，降低晶片受震荡冲击而损坏的概率，有利于提高晶片的良品率。
驱动机构晶片表面清理设备抛光

[实用新型]一种炉门组件和管式炉-CN202223600602.X有效
发明人：王树林;武凯 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种炉门组件和管式炉，所述炉门组件包括第一摆杆、炉门和驱动件，管式炉包括炉管和炉架，所述第一摆杆绕沿所述管式炉的高度方向延伸的第一轴线可摆动地与炉架相连，所述炉门与所述第一摆杆相连，所述第一摆杆能够带动所述炉门在开启状态和关闭状态之间切换，在所述开启状态，所述炉门与所述炉管的管口分离，以便推舟装置将载片舟推送至所述炉管内，在所述关闭状态，所述炉门与所述炉管的管口密封配合，以封闭所述炉管，所述驱动件设于所述炉架上并与所述第一摆杆相连，以驱动所述第一摆杆摆动。本实用新型实施例的炉门组件具有结构简单和制造成本低等优点。
一种炉门组件管式炉

[发明专利]晶片表面处理设备-CN202311042733.7在审
发明人：朱亮;李阳健;陈道光;罗洪吉;夏希林 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片表面处理设备，包括转晶机构与清理机构，转晶机构包括驱动套和从动轮，驱动套与从动轮围绕预设转料轴线周向间隔设置，以形成用于搭载圆形晶片的载料区域，驱动套与从动轮承载晶片时，转料轴线与晶片的轴线重合；清理机构包括至少两个刷辊，每个刷辊的外周能够接触晶片并形成接触段，至少一个接触段的长度小于载料直径，载料直径为载料区域沿转料轴线的垂直方向的最大尺寸。接触段作为刷辊接触晶片端面的区域短于晶片直径，因而本发明实现了缩短刷辊和晶片之间的沟槽的目的，更短的沟槽意味着残存于沟槽内的杂质及废液更少，有利于提高晶片的清洁度，通过晶片表面处理设备清理过的晶片更容易达标。
晶片表面处理设备

[发明专利]晶片表面处理机构及晶片表面处理设备-CN202311042731.8在审
发明人：朱亮;李阳健;陈道光;罗洪吉;夏希林 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片表面处理机构及晶片表面处理设备，晶片表面处理机构包括供水系统、刷辊支架和至少两个转动安装于刷辊支架的刷辊，至少一个刷辊的外周沿轴向依次设有至少两个刷套，位于所述刷辊的至少两个刷套具有不同的热膨胀系数，供水系统包括蓄水室和供水通道，供水通道连通蓄水室，并形成朝向刷套设置的出水口。刷套获得液体后在温度影响下胀缩形变，同一根刷辊中不同刷套发生不同程度的形变和体积变化，故不同刷套接触晶片的情况不同，不再是整根刷辊上所有刷套都同时接触晶片，由此缩短了刷辊上和晶片接触的区域的长度，意味着刷辊和晶片之间的沟槽更短，更短的沟槽意味着残存于其中的杂质和废液越少。
晶片表面处理机构设备

[发明专利]抛光机及调平方法-CN202311037434.4在审
发明人：朱亮;李阳健;陈建国;张国阳;王旭东 -专利权人： 浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种抛光机及调平方法，该抛光机包括：上机架，相对上盘中心轴固定设置；接液结构，包括连接盘和接液环，连接盘套设于上盘中心轴，接液环固定连接于连接盘；刷头，至少部分位于接液环内，以与接液环内壁接触；第一驱动件，连接于上机架，用于驱动刷头转动；检测单元，用于检测第一驱动件的负载；及调平单元，可活动地设置于上机架。通过第一驱动件驱动刷头转动便能刷掉接液环内壁上的结晶，从而避免接液环内壁上形成的结晶脱落后划伤抛光中的产品。通过检测第一驱动件的负载，可以判断刷头是否在接液环调平的状态下工作，从而判断接液环是否调平并根据第一驱动件的负载通过调平单元将接液环调平。
抛光机平方

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