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[发明专利]提拉式手动取片装置及其使用方法-CN202211402374.7在审
发明人：李枝旺;刘德昂;杨三贵;张成山 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了提拉式手动取片装置及其使用方法，包括：底座；L型提拉杆；定位孔，所述定位孔开设在第一面上；配合孔，所述配合孔有两个，开设在垂直段上且沿垂直段的长度间隔分布；定位销，所述定位销通过定位孔与某一个配合孔将L型提拉杆与第一面固接；托盘，所述托盘套接在水平段上；两个第一定位挡块，两个所述第一定位挡块关于水平段对称分布在第二面上，所述第一定位挡块的分布方向与水平段平行；两个第二定位挡块，两个所述第二定位挡块关于水平段对称分布在第二面上。本发明的有益效果是最大限度解决手动取片对片源表面污染，能很好的去除晶圆片因人为取片，导致晶圆片正反面受污染。
提拉式手动装置及其使用方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202010062288.0有效
发明人：特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧;罗晓菊;武泽成 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成多层图形化掩膜层；多层图形化掩膜层包括上下叠置的第一图形化掩膜层及第二图形化掩膜层，第一图形化掩膜层与第二图形化掩膜层具有不同的热膨胀系数。上述实施例中的半导体结构的制备方法通过制备包括不同热膨胀系数的图形化掩膜层的多层图形化掩膜层，利用各层图形化掩膜层热膨胀系数的不同，可以逐渐缓解整个多层图形化掩膜层与在其上外延的氮化镓层的热膨胀系数差异，使得在降温剥离氮化镓层的过程中，氮化镓层受到的弯曲应力较小，氮化镓层不会因受到的弯曲应力太大而造成裂片，使得氮化镓层可以整片剥离，具有较高的良率。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[实用新型]晶圆承载载具-CN202221441518.5有效
发明人：王颖慧 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆承载载具，晶圆承载载具包括：载具主体；晶圆放置槽，晶圆放置槽位于载具主体内，晶圆放置槽的侧壁呈阶梯状。本申请的晶圆承载载具中，通过将载具主体中的晶圆放置槽的侧壁设置为阶梯状，可以在载具主体中形成多个不同宽度的放置槽，可以同时存放多种尺寸的多个晶圆，晶圆的存放量及晶圆存放种类较多，利于晶圆的批量存放操作。
承载

[发明专利]氮化镓晶圆XRD测试固定装置及其使用方法-CN202211266429.6在审
发明人：候文强;刘德昂 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了氮化镓晶圆XRD测试固定装置及其使用方法，包括：载台，所述载台用于放置晶圆；外框，所述外框安装在载台外周；固定块，所述固定块固接于外框外周面；定位销，所述定位销垂直安装在固定块内；把手螺母，所述把手螺母螺纹配合在固定块底部的定位销上；压块，所述压块包括水平固定端、过渡端和水平自由端，所述水平固定端通过第一螺钉固接在定位销的顶部，所述水平自由端的末端位于晶圆上方，所述过渡端将水平固定端和水平自由端连为一体；弹簧，所述弹簧套接在水平固定端和固定块之间的定位销上。本发明的有益效果是解决了现有真空吸附晶圆导致晶圆的“曲率半径”数据测试失真问题；解决了使用胶带固定测试晶圆导致晶圆表面残胶问题。
氮化镓晶圆 xrd 测试固定装置及其使用方法

[发明专利]改善HVPE法生长氮化镓时均匀性的载台及反应腔-CN202211266923.2在审
发明人：王定;罗晓菊 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了改善HVPE法生长氮化镓时均匀性的载台及反应腔，包括：基座（1），所述基座的顶部边缘围成围坝（2），所述围坝具有一个最高端（21）和一个最低端（22），所述最高端和最低端之间通过过渡边（23）连成一体。本发明的有益效果是通过改变载台的形状来阻止气体从载台边缘溢出，得到生长均匀的晶圆。
改善 hvpe 生长氮化均匀反应

[发明专利]一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法-CN202211286389.1在审
发明人：刘德昂 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓半导体材料及其化学刻蚀方法，包括以下步骤：（1）、将氮化镓材料进行ICP‑RIE刻蚀；（2）、在2wt%‑30wt%的四甲基氢氧化铵溶液中加入0.01wt%的聚乙二醇辛基苯基醚，配成刻蚀液；（3）、将经过ICP‑RIE刻蚀的氮化镓材料放入刻蚀液中加热至30℃‑100℃进行化学刻蚀，加热时间是30min；（4）、在进行化学刻蚀的同时采用紫外光以30mW/cm2光强照射氮化镓材料和刻蚀液，增加刻蚀速度；（5）、取出氮化镓材料，用纯水冲洗并甩干。本发明的有益效果是将ICP‑RIE刻蚀和四甲基氢氧化铵化学刻蚀结合，可以得到与m面完成重合的侧壁。
一种氮化半导体材料及其化学刻蚀方法

[发明专利]一种氮化镓晶圆及其减薄方法-CN202211188317.3在审
发明人：张林;罗晓菊 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶圆及其减薄方法，包括以下步骤：提供一氮化镓晶圆；使用研磨机进行研磨，Ga面第一次减薄150μm‑200μm，N面第一次减薄200μm‑250μm，Ga面第二次减薄100μm‑150μm，N面第二次减薄100μm‑150μm。本发明的有益效果是Ga面、N面交替减薄，可以将晶圆的翘曲、弯曲度控制在很小的范围内，从而减少减薄过程中的裂片、边缘裂纹问题。
一种氮化镓晶圆及其方法

[发明专利]高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法-CN202211134400.2在审
发明人：杨三贵;李起鸣 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了高平整度HVPE氮化镓单晶衬底及其制备方法，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为2"时，TTV＜3um，Bow＜±3um，Warp＜8um，所述高平整度HVPE氮化镓单晶衬底为4"时，TTV＜5um，Bow＜±5um，Warp＜10um。本发明的有益效果是经过两次退火处理后，可以有效改善氮化镓衬底片表面的平整度，得到的氮化镓单晶衬底的TTV、Bow和Warp得到了明显改善。
平整 hvpe 氮化镓单晶衬底及其制备方法

[发明专利]批量化氮化镓晶圆的HVPE生产线及其使用方法-CN202211042935.7在审
发明人：郑小超;罗晓菊 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了批量化氮化镓晶圆的HVPE生产线及其使用方法,包括：衬底载具；密封输送轨道，所述密封输送轨道包括用于传送衬底载具的同步带和包围在同步带外的密闭腔体；窗口，所述窗口间隔开设于密闭腔体顶部；若干水平基座，所述若干水平基座位于密闭腔体上方间隔分布且与密封腔体的延伸方向相交；若干机械手，所述若干机械手滑动连接于若干水平基座底部；若干HVPE机台，所述若干HVPE机台与若干水平基座远离密闭腔体的一端连通；光学探头，所述光学探头位于水平基座的末端且与对应的机械手信号连接。本发明的有益效果是通过密封输送轨道解决输送衬底过程的污染问题，通过同步带和机械手的配合，可以一次性完成多个衬底的生长，提高了生产效率。
批量氮化镓晶圆 hvpe 生产线及其使用方法

[发明专利]多层镓舟结构及立式HVPE反应装置-CN202211094804.3在审
发明人：郑小超;刘德昂 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开了多层镓舟结构及立式HVPE反应装置，包括：矩形密闭腔体（1）；若干垂直隔板（2），所述若干垂直隔板内置于矩形密闭腔体将其分隔成若干腔室；进气口（3），所述进气口开设于矩形密闭腔体一端；出气口（4），所述出气口开设于矩形密闭腔体另一端；通孔（5），所述通孔开设于垂直隔板上且相邻垂直隔板上的通孔交错分布。本发明的有益效果是利用镓舟平台的环形出口的设计，可以让气体均匀的沉积在衬底表面，确保氮化镓生长的均匀性，镓舟的多层隔板设计，可以进行批量化反应，同时保证HCL与Ga源的充分接触反应。
多层结构立式 hvpe 反应装置

[发明专利]一种防止GaN生长时N面分解的方法-CN202211070532.3在审
发明人：黄磊;刘德昂 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止GaN生长时N面分解的方法，包括以下步骤：包括以下步骤：提供一氮化镓衬底；利用PVD镀膜技术在氮化镓衬底的N面镀上一层氮化铝膜；利用HVPE法在氮化镓衬底的Ga面生长氮化镓，工艺温度在1000℃‑1200℃，腔室压力700 torr‑900torr，载气H2：N2=1：1，反应气体HCl：NH3=1:20，时间8h‑12h。本发明的有益效果是能有效的防止外延生长时N面GaN分解，从而可以得到晶体质量好的外延产品。
一种防止 gan 生长分解方法

[发明专利]一种氮化镓生长方法及氮化镓-CN202211032703.3在审
发明人：张林;刘德昂 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了氮化镓生长方法及氮化镓，包括以下步骤：提供一衬底；在该衬底上进行氮化镓生长，生长高质量氮化镓层；在高质量氮化镓层上生长质量差、缺陷多的氮化镓预减薄层。本发明的有益效果是利用HVPE法生长氮化镓外延膜时，刻意在最表层生长一层质量差、缺陷多的氮化镓预减薄层，因表层质量差，减薄时很容易将表层去除，从而能得到高质量的氮化镓层，提高氮化镓减薄时的良率，提高产品产量。
一种氮化生长方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202210252574.2在审
发明人：王颖慧;罗晓菊;唐金凤 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，包括：提供衬底；将衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅气体，含氮气体与含硅气体反应，以于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个孔隙；停止向氢化物气相外延设备中通入含硅气体，持续向氢化物气相外延设备中通入含氮气体，并向氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于孔隙内及图形化掩膜层远离衬底的表面形成氮化镓层。本申请通过向氢化物气相外延设备内通入含氮气体和含硅气体，即可在衬底上形成具有若干个孔隙的图形化掩膜层，无需光刻及刻蚀等工艺步骤，大大简化了工艺流程，提升了生产效率。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]斜切角的测量方法-CN202210654634.3在审
发明人：罗晓菊;特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本申请提供一种斜切角的测量方法，包括：提供待测衬底；于待测衬底的表面选择扫描点；使用XRD单晶测试仪基于扫描点对待测衬底的预设晶面进行摇摆曲线扫描，以得到量测值；对XRD单晶测试仪进行调整设置，使得用于对待测衬底进行摇摆曲线扫描的入射光仅在待测衬底的表面发生发射，而未发生衍射；使用调整设置后的XRD单晶测试仪对待测衬底的预设晶面进行摇摆曲线扫描，以得到放置偏差；基于量测值及放置偏差，得到待测衬底的斜切角。上述斜切角的测量方法中，可以得到精准的斜切角。
斜切测量方法

[发明专利]减小氮化镓衬底翘曲的方法-CN202210654163.6在审
发明人：罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人： 镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提供一种减小氮化镓衬底翘曲的方法，包括：提供氮化镓衬底；使用第一研磨轮对氮化镓衬底的镓面进行第一次镓面研磨；使用第二研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第一次氮面研磨，第二研磨轮中磨料的最大粒径小于第一研磨轮中磨料的最小粒径；使用第三研磨轮对氮化镓衬底的氮面进行第二次氮面研磨，第三研磨轮中磨料的最大粒径小于第二研磨轮中磨料的最小粒径；使用第四研磨轮对氮化镓衬底的镓面进行第二次镓面研磨，第四研磨轮中磨料的最大粒径小于第三研磨轮中磨料的最小粒径；对上一步骤所得的氮化镓衬底进行化学机械抛光。上述减小氮化镓衬底翘曲的方法，可以减轻氮化镓衬底的翘曲，提高研磨抛光的良率。
减小氮化衬底方法

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