[发明专利]电极结构与太阳电池结构在审
| 申请号： | 202010072891.7 | 申请日： | 2020-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112951928A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 廖士霆;罗俊杰;张瀚丞;黄建福;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极结构，包括多层掺杂多晶结构与电极。多层掺杂多晶结构包括第一掺杂多晶层、第二掺杂多晶层与第一掺杂介电层。第二掺杂多晶层位于第一掺杂多晶层上。第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层为相同掺杂型。第二掺杂多晶层的掺杂浓度大于第一掺杂多晶层的掺杂浓度。第一掺杂介电层位于第一掺杂多晶层与第二掺杂多晶层之间。电极位于第二掺杂多晶层的远离第一掺杂介电层的一侧。电极电性连接至多层掺杂多晶结构。上述电极结构可优化场效应、提升隐开路电压与降低片电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 太阳电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
