[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110115558.0 | 申请日： | 2011-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN102769028A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 林镇元;林正基;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂阱、一第一掺杂电极、一第二掺杂电极、多个掺杂条纹与一掺杂顶区。掺杂条纹位于第一掺杂电极与第二掺杂电极之间的第一掺杂阱上。掺杂条纹互相分开。掺杂顶区位于掺杂条纹上，并延伸于掺杂条纹之间的第一掺杂阱上。第一掺杂阱与掺杂顶区具有一第一导电类型。掺杂条纹具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。本发明各实施例的结构和方法能降低装置的开启阻抗，提升开启电流与效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：一第一掺杂阱；一第一掺杂电极；一第二掺杂电极；多个掺杂条纹，位于该第一掺杂电极与该第二掺杂电极之间的该第一掺杂阱上，其中这些掺杂条纹互相分开；以及一掺杂顶区，位于这些掺杂条纹上，并延伸于这些掺杂条纹之间的该第一掺杂阱上，其中，该第一掺杂阱与该掺杂顶区具有一第一导电类型，这些掺杂条纹具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型。
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