[发明专利]在3D NAND存储器结构和相关设备中的隧道氧化层形成的方法有效
申请号: | 201580010754.8 | 申请日: | 2015-02-27 |
公开(公告)号: | CN106030802B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | D.范;S.科卡;G.哈勒;J.霍普金斯;S.苏尔蒂;A.罕德卡 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;张涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供3D NADN存储器结构和相关方法。在一些实施例中,这样的结构可以包括布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料,布置在浮置栅极材料和控制栅极材料之间的多晶体间电介质(IPD)层,使得IPD层将控制栅极材料与浮置栅极材料电隔离,以及与控制栅极材料相对的沉积在浮置栅极材料上的隧道电介质材料。 | ||
搜索关键词: | nand 存储器 结构 相关 设备 中的 隧道 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种3D NAND存储器结构,包括:布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料;布置在控制栅极材料和浮置栅极材料之间的多晶体间电介质IPD层,使得IPD层将控制栅极材料与浮置栅极材料电隔离;和与控制栅极材料相对的沉积在浮置栅极材料上的隧道电介质层,其中所述浮置栅极的沿与所述隧道电介质层的界面的部分被氧化。
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- 荒井史隆;永嶋贤史 - 东芝存储器株式会社
- 2018-01-26 - 2019-03-26 - H01L27/11551
- 实施方式提供一种存储单元晶体管的集成度较高且配线层的电阻值较低的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备:第一及第二绝缘板;积层体,设置在第一绝缘板与第二绝缘板之间,且为绝缘层与配线层交替积层而成;及半导体部件。配线层具有:第一配线部,与第一绝缘板相接;第二配线部,与第二绝缘板相接;第三配线部;第四配线部;以及第五配线部及第六配线部,与第一绝缘板及第二绝缘板相隔,在与第一绝缘板及第二绝缘板相同的方向延伸。第五配线部经由第三配线部而与第一配线部连接,且与第二配线部绝缘。第六配线部经由第四配线部而与第二配线部连接,且与第一配线部绝缘。半导体部件配置在第五配线部与第六配线部之间。
- 三维存储器中高深宽比的字线形成方法-201710773083.1
- 姚兰;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦 - 长江存储科技有限责任公司
- 2017-08-31 - 2019-03-12 - H01L27/11551
- 本发明公开了一种三维存储器中高深宽比的字线形成方法,属于半导体技术领域。所述方法包括:提供具有高深宽比及待填充空隙的主体结构;对待填充空隙进行部分材料填充;对已进行部分材料填充的待填充空隙进行横向回刻;对回刻后的待填充空隙进行材料填充至无空隙形成字线。本发明中,通过“部分填充—横向回刻—再填充”的方式形成字线,有效的解决了高深宽比的字线形成过程中字线提前封口或者字线填充不满产生空隙的问题,提升了工艺质量,进而确保了三维存储器的良率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的