[实用新型]三维存储器

摘要

本实用新型涉及一种三维存储器，包括半导体衬底、堆叠层、多个接触部以及一个或多个栅极隔槽。堆叠层位于所述衬底上并且包括间隔设置的字线。所述多个接触部的每个接触部在垂直于所述半导体衬底的方向上穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的字线接触，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的字线之间电隔离。所述一个或多个栅极隔槽垂直延伸通过所述堆叠层。本实用新型的三维存储器可以克服字线连接区的刻蚀缺陷和接触部对准等问题。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于包括：半导体衬底；堆叠层，位于所述衬底上并且包括间隔设置的字线；多个接触部，所述多个接触部的每个接触部在垂直于所述半导体衬底的方向上穿过所述堆叠层并分别与各自预定深度的字线接触，且每个接触部的侧壁和被所述每个接触部贯穿的字线之间电隔离；一个或多个栅极隔槽，垂直延伸通过所述堆叠层。