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[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202310732541.2在审
发明人：许宗珂;袁彬;王香凝;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：提供了一种三维(3D)存储器件。在示例中，该3D存储器件包括阶梯和穿过阶梯的多个支撑结构组。多个支撑结构组被布置在第一方向上，并且支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]一种橡胶手套漏气检测设备-CN202310289432.8有效
发明人： 王香凝;李修春;常加宁;常加会 -专利权人：临沂星宁手套有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01M3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种橡胶手套漏气检测设备，属于边发射激光器技术领域。一种橡胶手套漏气检测设备，包括底座，所述底座的上端安装有支撑架，且所述底座的内部安装有第一传送组件，所述第一传送组件的一侧安装有第一升降组件，所述第一升降组件的上端安装有第一升降杆，通过第一高压气枪和第二高压气枪向橡胶手套注入气体若有气体从橡胶手套漏出会让检测水池出现水泡，从而检测出橡胶手套是否漏气的结果，这样就避免了因为将水注入橡胶手套内并观测是否有水从橡胶手套的内部流出，若橡胶手套中漏气部位过小会影响到水从橡胶手套的内部流出的速度进而造成观测不到水源流出的现象，导致漏气的橡胶手套售卖出去的情况发生。
一种橡胶手套漏气检测设备

[发明专利]三维存储器结构及其制备方法-CN202110171089.8有效
发明人：许宗珂;袁彬;张强威;王香凝 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供定义有交界区的半导体衬底，在交界区形成预制凹槽并填充形成底部补偿结构，形成叠层结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的虚拟沟道孔结构，并填充形成应力缓冲结构，在叠层结构中制备显露底部补偿结构的栅线分割槽，其中，栅线分割槽与应力缓冲结构间的交界面位于底部补偿结构对应的区域。本发明在栅线分割槽(GLC)与虚拟沟道孔结构(DCH)交界的地方预先制作底部补偿结构，可以基于底部补偿结构有效避免栅线分割槽尖角的问题，另外，基于底部补偿结构还可以进一步增大栅线分割槽与虚拟沟道孔结构结合的工艺窗口。
三维存储器结构及其制备方法

[发明专利]三维存储器件及其形成方法-CN202180000824.7有效
发明人：许宗珂;袁彬;王香凝;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：提供了一种三维(3D)存储器件。在示例中，该3D存储器件包括阶梯和穿过阶梯的多个支撑结构组。多个支撑结构组被布置在第一方向上，并且支撑结构组中的每个组包括三个支撑结构，其中，三个支撑结构的投影在平行于第一方向的平面中形成三角形形状。
三维存储器件及其形成方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202180022275.3在审
发明人：郭振;袁彬;许宗珂;吴佳佳;李贝贝;王香凝;杨竹;张强威 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：在衬底的一侧形成包括堆叠的伪栅极层和层间绝缘层的叠层结构，各个相邻的所述伪栅极层和所述层间绝缘层形成多个阶梯台阶，其中暴露每个所述阶梯台阶的所述层间绝缘层的至少一部分；形成覆盖所述阶梯台阶的缓冲层；去除所述缓冲层的、覆盖所述阶梯台阶的侧壁的部分以形成多个间隔槽；形成填充所述间隔槽并覆盖所述阶梯台阶的介质层；以及形成贯穿所述介质层、所述缓冲层并延伸至最远离所述衬底的所述伪栅极层的接触孔。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]具有用于源选择栅极线的隔离结构的三维存储器件及用于形成其的方法-CN202310242573.4在审
发明人：郭振;耿静静;袁彬;吴佳佳;王香凝;杨竹;左晨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底；位于所述衬底上的存储堆叠层；各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的多个沟道结构；隔离结构；以及对准标记。所述存储堆叠层包括多个交织的导体层和电介质层。所述导体层中的朝向所述衬底的最外面的一个导体层是源选择栅极线(SSG)。所述隔离结构垂直地延伸进入所述衬底，并且在平面图中围绕所述沟道结构中的至少一个沟道结构，以便分隔所述SSG与所述至少一个沟道结构。所述对准标记垂直地延伸进入所述衬底，并且是与所述隔离结构共面的。
具有用于选择栅极隔离结构三维存储器件形成方法

[发明专利]形成顶部选择栅极沟槽的方法-CN202080002425.X在审
发明人：尹航;吴智鹏;韩凯;张璐;王攀;王香凝;张慧;耿静静;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件(100)的方法，该半导体器件(100)具有被布置在衬底(101)之上的交替的绝缘层(111)和牺牲字线层(112)的第一堆叠，该第一堆叠包括核心区(170)和阶梯区(130)。该方法可以包括：在第一堆叠的核心区(170)中形成第一电介质沟槽(121)；在第一堆叠的阶梯区(130)中形成与第一电介质沟槽(121)相邻并且连接的第二电介质沟槽(122)；以及形成延伸穿过第一堆叠的虚设沟道结构(151)，其中，虚设沟道结构(151)是与第二电介质沟槽(122)间隔开的。
形成顶部选择栅极沟槽方法

[发明专利]一种手套在线检漏装置及其检测方法-CN202310264856.9在审
发明人： 王香凝;李修春;常加宁;常加会 -专利权人：临沂星宁手套有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B07C5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种手套在线检漏装置及其检测方法，属于手套检漏技术领域。一种手套在线检漏装置，包括基座，基座上方的中部设置有立柱，立柱的外侧设置有转动组件，且立柱的顶端连接有十字连接板，十字连接板的端部均设置有弹性组件，弹性组件的伸缩端连接有管体。本手套在线检漏装置，通过设置转动组件，使得该装置能够带动手套进行移送，由于残缺齿轮外侧的凸齿数位于完全齿轮的四分之一，使得残缺齿轮转动一圈时能够带动完全齿轮转动90°，从而便于将手套移送到下一区域，进而便于对该手套进行检漏工作，同时通过在残缺齿轮与完全齿轮之间未啮合的时间段将下一只手套固定在管体上，能够有效的提高该装置对较多手套进行检漏的工作效率。
一种手套在线检漏装置及其检测方法

[发明专利]具有用于源选择栅极线的隔离结构的三维存储器件及用于形成其的方法-CN202080002341.6有效
发明人：郭振;耿静静;袁彬;吴佳佳;王香凝;杨竹;左晨 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：公开了三维(3D)存储器件及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：衬底；位于所述衬底上的存储堆叠层；各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠层的多个沟道结构；隔离结构；以及对准标记。所述存储堆叠层包括多个交织的导体层和电介质层。所述导体层中的朝向所述衬底的最外面的一个导体层是源选择栅极线(SSG)。所述隔离结构垂直地延伸进入所述衬底，并且在平面图中围绕所述沟道结构中的至少一个沟道结构，以便分隔所述SSG与所述至少一个沟道结构。所述对准标记垂直地延伸进入所述衬底，并且是与所述隔离结构共面的。
具有用于选择栅极隔离结构三维存储器件形成方法

[发明专利]三维存储器及其制作方法、存储器系统-CN202211225959.6在审
发明人：李贝贝;袁彬;许宗珂;王香凝 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种三维存储器及其制作方法、存储器系统，所述三维存储器的制作方法包括：形成由多个绝缘层和多个牺牲层交替层叠的初始堆叠结构；所述初始堆叠结构包括在第一方向并列排布的初始核心区和初始台阶区，所述初始台阶区中设置有初始台阶结构，所述初始台阶结构包括沿第二方向并列排布的第一部分以及第二部分；所述第一方向与所述第二方向相互垂直且均与第三方向垂直；对所述第二部分沿所述第三方向进行第一刻蚀，使所述第二部分的台阶沿所述第三方向的最高高度不高于所述第一部分的台阶沿所述第三方向的最低高度；所述第三方向与所述层叠方向平行。
三维存储器及其制作方法系统

[发明专利]双堆栈三维存储器及其制造方法-CN202010986541.1有效
发明人：左晨;耿静静;袁彬;杨竹;王香凝;张强威;程黎明;郭振 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：提供一种双堆栈三维存储器及其制造方法。该方法包括：沿堆叠方向向下对衬底上位于核心区内的第一部分进行刻蚀，使得衬底上位于阶梯区内的第二部分与第一部分之间形成高度差；在衬底的第一部分上形成下部堆栈并在衬底的第二部分上形成阶梯堆叠层；在下部堆栈和阶梯堆叠层上形成绝缘连接层，绝缘连接层的位于核心区的第一部分与绝缘连接层的位于阶梯区内的第二部分之间具有高度差；以及沿堆叠方向从上方去除绝缘连接层的第二部分的至少一部分，使得高度差减小。在所形成的双堆栈三维存储器中，衬底上位于核心区内的第一部分低于衬底上位于阶梯区内的第二部分以形成台阶。
堆栈三维存储器及其制造方法

[发明专利]3D存储器件及其制造方法-CN202010046128.7有效
发明人：王攀;耿静静;王香凝;吴佳佳;张慧;肖梦;刘新鑫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层，位于栅叠层结构底部的栅极导体提供底部选择栅极；多个沟道柱，分别贯穿栅叠层结构且被划分为多组，每组包括相邻的多个沟道柱；以及至少一个隔离结构，分别位于相邻的两组沟道柱之间，底部选择栅极被至少一个隔离结构划分为相互隔离的多个底部子栅极，其中，每个底部子栅极用于控制与其相邻的一组沟道柱，不同的底部子栅极分别控制不同组的沟道柱。该3D存储器件在相邻两组沟道柱之间形成隔离结构，从而每个底部子栅极可以分别单独控制每一组沟道柱。
存储器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法和存储系统-CN202211324858.4在审
发明人：李贝贝;徐伟;袁彬;许宗珂;杨竹;王香凝;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，一种半导体器件，包括：叠层结构，包括多层交叠设置的栅极绝缘层和栅极层；多个接触部，沿所述叠层结构的堆叠方向，各所述接触部分别贯穿至不同的所述栅极层；多个所述接触部包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部在所述堆叠方向上的投影面积大于所述第二接触部在所述堆叠方向上的投影面积。通过第一接触部和第二接触部在堆叠方向上的投影面积大小不同的设计，可以在有限的空间内比较紧凑地排布更多的接触部，进而可以压缩台阶区的空间，减小半导体器件的尺寸。
半导体器件及其制备方法存储系统

[发明专利]一种三维存储器及其制备方法-CN202210480740.4在审
发明人：杨竹;袁彬;李贝贝;吴佳佳;王香凝;郭振 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成叠层结构，其中，叠层结构包括存储区域、位于存储区域之间的台阶区域和连接区域，台阶区域在其延伸的方向上包括高度不同的第一台阶区域和第二台阶区域，第一台阶区域的高度大于第二台阶区域的高度；在叠层结构上方沉积填充层；对位于存储区域、第一台阶区域以及部分连接区域上方的填充层进行第一刻蚀；对叠层结构进行第二刻蚀，去除部分位于存储区域上方的填充层，减少位于存储区域上方的填充层的高度；以及对叠层结构进行平坦化。
一种三维存储器及其制备方法

[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法-CN202110538662.4有效
发明人： 王香凝;耿静静;王攀;张慧;刘新鑫;吴佳佳;肖梦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/11575 文献下载
摘要：一种3D NAND存储器及其形成方法，所述形成方法通过使所述沟道通孔调节区中形成的沟道通孔的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中形成的沟道通孔密度，从而使得所述伪沟道通孔调节区中形成伪沟道通孔的密度与所述沟道通孔调节区中形成沟道通孔的密度之间的差异减小，相应所述沟道通孔调节区中沟道通孔中存储结构的密度小于沟道通孔调节区外的核心区中的沟道通孔中存储结构的密度，从而使得台阶区和核心区的交界处两侧或附近的堆叠结构中薄膜的应力的差异会减小，因而在刻蚀台阶区和核心区的交界处的堆叠结构形成栅极隔槽时，使得刻蚀台阶区和核心区的交界处的栅极隔槽的侧壁不会产生倾斜或者倾斜度大幅减小，从而防止栅极隔槽与沟道通孔短路。
nand 存储器及其形成方法

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