[发明专利]三维半导体存储器件

摘要

本发明公开一种三维半导体存储器件，该三维半导体存储器件包括：电极结构，包括交替地堆叠在基板上的栅电极和绝缘层；半导体图案，在基本上垂直于基板的顶表面的第一方向上延伸并穿过电极结构；隧道绝缘层，设置在半导体图案和电极结构之间；阻挡绝缘层，设置在隧道绝缘层和电极结构之间；以及电荷存储层，设置在阻挡绝缘层和隧道绝缘层之间。电荷存储层包括具有第一能带隙的多个第一电荷捕获层以及具有大于第一能带隙的第二能带隙的第二电荷捕获层。第一电荷捕获层嵌入在栅电极和半导体图案之间的第二电荷捕获层中。

主权项

1.一种三维半导体存储器件，包括：电极结构，包括多个栅电极和多个绝缘层，其中所述栅电极和所述绝缘层交替地堆叠在基板上；半导体图案，在基本上垂直于所述基板的顶表面的第一方向上延伸并穿过所述电极结构；隧道绝缘层，设置在所述半导体图案和所述电极结构之间；阻挡绝缘层，设置在所述隧道绝缘层和所述电极结构之间；以及电荷存储层，设置在所述阻挡绝缘层和所述隧道绝缘层之间，其中所述电荷存储层包括：多个第一电荷捕获层，具有第一能带隙；和第二电荷捕获层，具有大于所述第一能带隙的第二能带隙，其中所述第一电荷捕获层嵌入在所述栅电极和所述半导体图案之间的所述第二电荷捕获层中。